本文科普一下——薄膜铌酸锂，预期差究竟有多大？

我们都知道，AI的核心基石是算力，没有算力，吹得天花乱坠都没用

而算力的基石，是CPO

AI的发展速度超过了大部分人的想象，对于CPO也提出了更高的要求

明年光模块会进行升级迭代，从800G进入1.6T

随着800G和1.6T的持续放量，光模块新技术也会迎来从0到1的大爆发

CPO新技术中，最为核心的，就是薄膜铌酸锂

先来简单科普一下，什么是铌酸锂？

这是一种光学材料，无色透明，同时拥有光折变效应、非线性效应、电光效应、声光效应、压电效应、热点效应

这东西有多重要？我打个比方：

在光通信领域，铌酸锂的地位，相当于半导体中的硅

因为算力的高速发展，对于高带宽通讯的需求暴增，核心光网络向超高速和超远距离传输升级

高端光通信中的电光调制器，必须使用铌酸锂

但是铌酸锂现在有个问题，就是传统的铌酸锂电光调制器，封装后尺寸比较大，对光场的束缚能力差，效率很低

高算力背景下，必须用铌酸锂做电光调制器，不然传输不了，整个光通信，运转不起来，但是用了铌酸锂，尺寸又太大，效率低，成本高

咋办呢？

既然尺寸大，那是不是有方法，在不影响性能的情况下，把尺寸缩小？

薄膜铌酸锂，应时而生！

在传统的衬底上蒸镀二氧化硅层，将铌酸锂衬底高温键合构造出接理面，最后剥离出铌酸锂薄膜（这个过程比较复杂，略知一二即可）

薄膜铌酸锂，相对于传统铌酸锂，对光信号的束缚能力增强，做成的电光调制器具备低损耗，小尺寸，高带宽的特点

对应到目前的光模块：

铌酸锂电光调制器，主要用于100G以上通讯和超高速数据中心

薄膜铌酸锂电光调制器，主要用于100G+200G以上通讯和超高速数据中心

1.6T光模块，更多的是采用单通道200G方案，不得不使用薄膜铌酸锂

总结：

1、随着AI的快速发展，对CPO的要求更高，必须使用铌酸锂电光调制器

2、传统的铌酸锂电光调制器，尺寸大，效率低，只能用于100G以上的光通信

3、薄膜铌酸锂相较于传统方案，低损耗，小尺寸，可用于200G以上的光通信

4、1.6T光模块使用单通道200G方案，必须搭配薄膜铌酸锂电光调制器

目前普通的铌酸锂电光调制器，可以勉强应付800G光模块

但是，AI的发展速度已经超过大部分人的预期，很快800G就不够看了

随着明后年1.6T光模块的全面铺开，传统的铌酸锂电光调制器相应淘汰

薄膜铌酸锂迎来从0到1的爆发式增长

1.6T光模块，离我们有多远？

英伟达，明年会发布下一代芯片B100

速度是H200的三倍多，是昇腾的20倍以上

从产业链的调研来看，B100内嵌1780亿个晶体管，调整芯片集成极限

B100大概率配备1.6T光模块，明年迎来爆发节点

一个星期前流出了一份调研纪要，找卖方核实了下，基本属实：

1、最先研发和需求最紧迫的是英伟达，明年推出B100，配置1.6T，出货量不小

2、谷歌在光模块上一直都是领先的，明年对1.6T会有一定需求

3、亚马逊明年以400G为主，但后年可能一大部分直接跳到1.6T，产品处于800G和1.6T并用时代

4、全球目前1.6T领先的公司包括中际旭创和F厂（Finisar），一直按照谷歌和英

伟达的要求在联合开发