据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。

基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。

奥普光电：公司控股股东长春光机所拥有国家科技重大专项(02专项)极紫外(EUV)光刻关键技术研究。

英诺激光：在半导体领域，大能量、高重频超快激光是支撑EUV光源预脉中的核心技术。

蓝英装备：瑞士子公司UCMAG为ASML及其供应商提供极紫外光刻机(EUV)的光学系统相关关键部件的清洗设备。

广信材料：公司按照曝光波长来分的话主要分为适用于300~450nm的紫外光胶(UVPR)、适用于160~280nm深紫外光胶(DUV PR)、)适用于13.5nm的极紫外光胶。