山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月，是一家专注于宽禁带（第三代）半导体碳化硅衬底材料研发、生产和销售的科技型企业。

公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底，可应用于微波电子、电力电子等领域。经过十余年的技术发展，公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。

碳化硅衬底处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。公司作为我国碳化硅衬底领域的领军企业，实现了核心战略材料的自主可控，有力保障国内产品的供应，确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展。根据国际知名行业咨询机构Yole的统计，2019年及2020年公司已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三。

在导电型碳化硅衬底领 域，公司 6 英寸产品已送样至多家国内外知名客户，并于 2019 年中标国家电网的采购计划。公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件，具备广泛应用于5G 基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车及充电桩、大数据中心等“新基建”领域的潜力。
银河证券高峰指出，国内龙头衬底厂商天岳先进近期与下游客户签订大规模采购商业合同，从一定侧面体现出国内SiC产业渗透率呈现出快速增长趋势，未来产业链各环节市场规模将有望迎来快速增长。第三代半导体行业今年将迎来快速爆发元年，产业将呈现加速发展趋势。随着特斯拉Model 3以及比亚迪相关车型选用SiC方案，以及储能、高压快充、电动车、可再生能源的代替需求快速增长，SiC技术有望快速渗透。