瑞纳(Renesas)和美光(Micron)在生产过程中遇到的良率问题主要源于设备和材料问题。美光在第四季度未能提升产能，部分原因是设备和材料问题，包括设备参数无直接应用于量产，以及材料选择上的挑战。美光确实反映瑞纳的机台交付速度较慢，但这不是唯一原因。即使机台到位后，美光仍然发现了一些问题，包括Temper Bonding 工艺中的材料配合不当，以及后端 TC 制程中型卡瓦(Kawasaki)机台精准度的问题。美光内部有设计师建议重新购买EVG机台，但EVG目前也面临产能限制。美光正在观望市场情况，并可能根据实际需求调整采购策略。美光目前月产能约为I8K品圆，预计明年年底有望进一步提升产能，但取决于他们能否解决当前遇到的技术和工艺挑战。美光当前面临的主要挑战是过于激进的内部预估和实际生产能力之间的不匹配,导致资资本开支增加但实际效果不如预期。三星目前也在努力通过英伟达认证，但他们今年已经开始削减订单，预计明年进一步减少。三星对未来挑战的不确定性使得他们采取了较为保守的策略。为什么瑞纳(Renesas)在生产过程中遇到了良率问题，而其他公司如美光(Micron)也面临类似的挑战?瑞纳和美光在生产过程中遇到良率问题的原因可能是多方面的。以美光为例,他们在第四季度未能提升产能，主要原因之一是设备和材料的问题。例如，美光使用我们的设备进行量产时，发现原本用于实验开发阶段的参数无法直接应用于量产，这导致了瑞士皮(SwissP)的设定出现问题。目前，美光正在全力解决这些问题。此外，美光还面临材料选择上的挑战，他们需要重新调整与EVG 机台搭配使用的材料。美光确实反映我们的机台交付速度较慢，但这并不是唯一原因。今年年初，他们急需机台，我们尽力提高产能以满足需求。然而，即使机台到位后，他们仍然发现了一些问题，尤其是在调试和优化时间不足的情况下。这些问题包括Temper Bonding 工艺中的材料配合不当，以及后端TC制程中型卡瓦(Kawasaki)机台精准度的问题。有消息称,美光内部有设计师建议重新购买EVG机台,因为他们在研发阶段曾使用过EVG 设备然而，EVG目前也面临产能限制，因此短期内无法提供足够支持。至于是否会更换供应商，目前尚无明确迹象，但他们确实在观望市场情况，并可能根据实际需求调整采购略。根据业务反馈，美光目前月产能约为I8K品网。这个数字可能是基于他们之前设定的一些目标以及我们即将交付的新设备。如果一切顺利，他们有望在明年年底进一步提升产能。然而，这取决于他们能否解决当前遇到的技术和工艺挑战。这个时间很难准确预测，因为涉及多个因素!包括材料选择、设备调试以及整体工艺优化等。目前来看，这些挑战对他们来说非常大，需要持续投入资源进行解决。因此，具体时间还需视实际进展而定。请问贵公司目前的产能情况如何?未来是否有扩产计划?目前，我们的月产能为40,000台，预计到明年年底将保持这一水平。今年我们计划推出两个新产品，加上现有的设备，最大产能可以达到60,000台。如果一切顺利，我们的整体产能至少可以增加到16,000台。此外，我们还在评估进一步提升产能的可行性。在生产过程中是否遇到了材料问题?如果有，如何解决?是的，目前我们确实遇到了一些材料问题。具体来说，今年5月份交付给恩菲利亚(Enphilia)的 HBM产品出现了较大的问题，导致未按计划交货。这主要是因为良率未达到预期。虽然今年2月和3月期间良率曾短暂提高至70%左右，但随后又出现了下降。当前我们尚未听说他们会更换材料，只是在现有材料上进行调整。三星在通过英伟达认证方面进展如何?其对未来订单有何影响？三星目前也在努力通过英伟达认证，但他们今年已经开始削减订单，从原本与美光差异不大的数量减少到15台。明年预计进一步减少至9台。三星对未来挑战的不确定性使得他们采取了较为保守的策略。不过，即便如此，他们仍然保持一定信心，因为三星通常会在其他厂商保守时提前释放产能，以便迅速抢占市场份额。美光今年并未削减订单，即使面临不确定性，他们依然坚持今年的订单量，只是削减了明年的订单。而三星则从今年开始就进行了削减，并且明年的订单量也有所下降。这反映出两家公司面对市场需求时采取了不同策略:美光选择维持当前生产，而三星则倾向于根据市场变化灵活调整。台积电(TSMC)与贵公司的合作情况如何?未来是否有扩展计划?台积电目前对于我们的设备需求相对明确，今年下半年将会更加积极地讨论具体需求。目前已知的是明年他们需要两台TB设备。此外，科瓦斯(Kovacs)的曝光机--我们的扫描仪，在明年的需求预期中并不乐观，但我们仍然期待下半年能够看到更多明确的信息。这取决于三星接下来对于设备动态调整以及其信心程度。目前来看，虽然三星已有较大产能，但仍需观察其是否继续扩大产能以应对市场份额。如果他们能够有效提升良率或通过增加成本来弥补不足，那么取得认证并获得一定市场份额是可能的。此外，还需关注业务端反馈，以判断双方合作进展及取得认证准备情况。
当前,美光面临的问题主要集中在过于激进的内部预估和实际生产能力之间的不匹配，这导致资木开支增加但实际效果不如预期。而三星则需要克服技术验证和市场竞争带来的压力，同时还要灵活调整生产策略以应对不断变化的市场需求。因此，两家公司都需要在技术改进、资源配置和战略规划上做出相应调整，以确保持续竞争力。明年贵公司计划向客户交付多少台设备?过去的交付情况如何?由于产能扩大，预计明年将向客户交付5台设备。以往每年的交付量大约为两到三台。我们目前正在进行 Hyper Rebounding 技术的认证，该技术主要应用于微分图微分领域。预计2025年下半年至2026年将会有较大的量产需求。此外，我们的设备也用于3DIC生产，是在50IC(Systemon Integrated Chip)方面。台积电在 SOIC 方面的需求如何?是否会使用贵公司的设备?台积电确实在扩展 3DIC产能，并且我们正在进行相关认证。预计到2024年底，台积电将在50IC方面达到 6K片/月的产能，到2025年这一数字可能会增加到1,5万至2万片/月。目前已知AMD和苹果是主要客户，但英伟达暂时不会使用这项技术。美光目前在 16 层堆叠产品上可能会暂缓采用我们的绑定技术。虽然12层堆叠确定不会使用，但16层堆叠是否采用还不确定。此外，美光在材料选用上存在一些问题，这也影响了他们对新技术的引进速度。海力士、英特尔等其他客户对贵公司绑定技术的接受情况如何?我们已经向海力士和英特尔送样，并预计他们将在明年开始采用我们的绑定技术。然而，目前还没有具体时间表，只知道明年可能会有初步成果。台积电科沃斯(CoWos)产能扩展情况如何?未来有哪些预期变化?预计到 2024年底，台积电科沃斯(CoWos)的月产能将达到6万片，比之前预期有所增加。今年其月产量约为4万片，而CoWoss型产品约为2万至2.25万片/月。此外，CoWosL型产品预计可以提升至2.5万至3万片/月。对于后续几年是否继续扩展，目前尚无明确消息。苹果下一代芯片可能要到2026年下半年才会上N2工艺节点,而市场传言其下一代芯片即将使用N2并不准确。同样，联发科等其他客户也可能要到2026甚至2027年才会上N2工艺节点。目前来看，高端服务器CPU是主要应用领域之一。台积电下一代CPU Nova Lake 可能转向N2工艺，这一动向值得密切关注。此外，在高端服务器市场以及苹果、AMD等大客户的新需求动向，也需要持续跟踪。英特尔的 Luna Lake 处理器目前的进展如何?是否会转向下一代技术?Luna Lake 处理器目前已经采用了台积电的N3 工艺节点。然而，业界传闻其下一代产品可能会转向思智浦(NXP)的超低功耗技术。这一变化主要是为了满足更高效能和更低功耗的需求面板级封装(Panel Level Package,PLP)技术在当前市场上的应用情况如何?它与传统封装技术相比有哪些优势?面板级封装(PLP)是一种新兴的封装技术，其主要优势在于可以利用玻璃基板进行封装。与传统硅品圆不同，玻璃基板呈矩形，这使得可用面积大幅增加，从而提升了生产效率。此外，PLP还能够使用现有面板设备进行生产，这对于那些原本从事面板制造的公司来说是一个利好消息。目前，英飞凌等公司已经开始采用这一技术，但整体市场应用仍处于初期阶段。英特尔和台积电都已宜布将开发这一领域，因此未来有望看到更多相关应用。美光科技今年年底能否达到 18K片产能目标?是否已考虑到第四季度产能提升不及预期的问额?美光科技今年年底达到18K片产能目标时，确实已考虑到第四季度产能提升不及预期的问题。如果没有这些考量，其原本预期产能应在25K至26K片以上。因此，可以认为美光已经充分考虑了潜在的不确定性因素。台积电的 DB(Die Bonding)设备数量为何只有临时绑定设备的一半?这两者之间有什么关系?关于台积电 DB设备数量仅为临时绑定设备一半的问题，目前尚无明确答案。具体比例可能因采购其他厂商机台或混合使用不同类型设备而有所不同。这方面的信息需要进一步向业务部门确认。自积电一片硅光共封装(siconphotonics copacagng)的价格大的是多少?具体价格难以确定，因为每个客户的定价策略不同。不过，可以推测其价格大约在1万至1.2万美元之间。目前C0SL(Chip-on-Substrate Level)的成本为8,000至9,000 美元，而硅光共封装预计会贵30%至40%台积电在 CPU计划中涉及哪些新技术?特别是在硅光共封装方面有哪些进展?台积电计划在:2025年推出采用S0ICX封装方法的新型CPU，该方法将多个芯片堆叠在一起。预计到22026年，将实现将硅光芯片与交换芯片整合到同一个载板上。这项计划旨在解决当前英伟达等公司面临的功耗和发热问题，同时改善信号延迟和稳定性。目前市场上有哪些主要竞争对手参与天赋帮、TP、Cv领域?在天赋帮领域，主要玩家包括Ev7和一些台系公司。在TP领域，也有多家公司参与竞争，包括Ev7以及其他知名企业。这些企业各自在不同细分市场中占据重要地位,共同推动行业发展。星宇公司是否有自主研发产品，还是仅作为代理销售?星字公司不仅仅是代理销售，他们也有自主研发的产品。此外，日本的AIAaiMake公也是一个值得关注的企业，他们在技术和产品方面表现出色。目前市场上的主要竞争对手包括BC、Snpt、海米等。其中，BC和Snpt在业内非常知名，而海米也有一定的市场份额。另一个重要玩家是Tale，他们最近刚刚通过了认证，具体是否一直在购买还不确定。此外，还有一些企业如Michae]也在使用EBG技术，这些都说明市场竞争激烈且多样化。我们公司的设备价格大概是什么水平?价格会根客户需求有所调整吗?我们公司的设备价格大致在300万到500万人民币之间。这个价格范围会根据客户的定制需求进行调整，以满足不同客户的具体要求。科沃斯(CoWos)的先进封装光刻技术是否有变化?他们是否更换了供应商?科沃斯公司的光刻技术确实有所变化。目前，我们与Canon合作进行了认证，但具体细节尚不明确。此外，有传言称科沃斯可能会更换供应商，但业务部门并未特别提到这一点。公司是否涉及传统福利群基态产品线?如果没有，原因是什么?我们公司并未涉及传统福利群基态产品线。尽管这块市场需求量较大，但我们主要专注于coating(涂层)领域，与泰尔1v7进行竞争。这些涂层产品主要用于台积电的2D封装中台积电目前使用我们多少台设备?这些设备使用情况如何?台积电目前使用我们的设备数量超过几十台。这些设备在台积电内部被广泛应用，表现良好，是一种大众化机型。美光之前用的是 onto 检测设备，现在全部换成开普泰克了吗?原因是什么?美光确实曾经使用 onto检测设备，但后续全部更换为开普泰克。具体更换原因尚不清楚，不过听说安图现在出货量很大，美光可能准备重新拉升安图的订单量。这需要进一步调研确认。这个问题需要进一步咨询业务部门，以获取最新进展和详细信息。
Q:HBM3e 目前情况如何?
A:在 4.5 月的时候有出现一个问题，在 TCB bonding 这一道工序，生产的配方有问题，大概有10天的产能受到影响。因未能按约定出货，预计罚款加货的成本需赔偿 6-7 亿美金。M 公司目前 HBM3e的主要客户是英伟达，供给 H200 这款产品。
Q:有传闻说英伟达H200取消了一些客户订单，是因为HBM3e 供货出了间题，问题是出现M 公司这边吗?
A:是的，海力士的良率已经 80%多，目前M公司可能不到60%。
Q:生产问愿跟地震有关系吗?
A:无关，只是制程上工程师出了一点问题，工程师需要去用一个新的配方，去cover shinkawa(TcB 工艺)原本的问题，但这个新配方有问题，因此有 10天的产能都用了错的配方，所以那些货都不能出给客户，之前出给客户的有被客诉，所以 HBM3e的良率一直没有很好。
Q:之前M 公司生产也有一点问题，但是当时说换成 Brewer的胶之后，良率就提升上去了。
A:对的，可是换了胶之后，之前pillar 受损的问题又回来了。
Q:您认为这个问题会反应在这一季的财报上吗?
A:根据之前的经验，今年年初在西安的封测厂，其实也有一个赔了6-7亿美金的事件，一样也是修改配方出现错误，生产出来的产品流到客户端全部不能用。但这件事并没有反映到财报上。只能说根据之前的经验是这样，不确定这次会不会反应到财报上。
Q:HBM3e 现在有正式出货吗?
A:有。因为SUSS 机台交机的日程有 delay，所以它的产能现在是预计到年底是18-20Kwpm，明年40k wpm。
Q:之前 SUS5调研显示，M 公司今年下了 12-13 台订单，今年 Q3就会入场。
A:对。现在机台进来需要装机，接水电，然后验机。现在其实才验到第3或者第4台，所以就是delay。然后机台状况也没有很稳，即便是本来有在生产的机台。
Q:状况不稳是什么意思?
A:在生产过程中，比如说一台机台需要保养，原本可能可以生产200片再做
保养，但由于机台状况不稳，可能生产100片就要去做保养，所以产能利用率(UTR)自然下降。A:是的，材料也要是有问题，因为材料品质没有很稳定。Q:是Temporary Bonder的材料还是 MUF的材料?A:因为基本上现在 HBM3e已经交给量产部门，所以现在再要更换材料是很难的，只能从既有的材料和生产的配方是改善，但其实改善效果不大。A:因为海力士从 HBM2 开始就有量产经验，所以这些问题已经克服。A:定价不太清楚，只清楚目前的产能。正常来说，HBM一个品片的大小是两倍的 DDR5 的面积。但是M 公司由于良率较差，一个 HBM 品片的面积会是三倍DDR5 的大小。目前台中引进了第五代10nm DRAM 技术给 HBM用。原本是在日本做，因为日本算是研发厂，现在已经在做第六代，以代号来说就是1v，现在量产的是 1B。如果是说第几代的话，B是10nm的第五代，y是10nm的第六代。因为 HBM 由于后道的良率不好需要很多wafer，所以台中这边做 DRAM 的F16 已经在计划转向第五代的技术，供HBM使用。A:供生产HBM 用的wafer的量变多，产能明年会提高。因为M公司做 DRAM的主要地方是桃园跟台中。之前是在日本广岛做，先进封装就只有台中一个。A:HBM3e的12-Hi，5月底已经投入量产，虽然目前量产还是以8Hi为主。某种程度来讲，12-Hi的良率会好于8-Hi，因为12-Hi要叠比较多层，需要的TSV路径应该就比较短，原本8-Hi的TSV路径较长，在前面DRAM 的制程要挖这么长的TSV，可能会存在铜填充不满的问题，会有一些特殊的缺陷。这是由于M公司自身的技术问题导致。但以12-Hi的 TSV的 size 来说，这个问题就自然消失不见，因为它比较短。Q:明年英伟达的 B200 Ultra 是 12-Hi 的产品吗?A:应该是，不确定。目前 12-H西安M公司已经投入量产，拿去做验证，验证Q:所以目前 HBM3e 用的 1β没有用 EUV:HBM4 用的是 1Y，用了 EUV?A:对，目前HBM4日本正在做工程流片的用的都是1v。Q:桃园做1a，台中做 1β，桃园做 1Y，所以 HBM4 是在桃园做吗?A:还在研发中。4本身是8层:e和k一个12层，一个16层，16层一定要用新的 hybrid bond 的技术，以目前来看，技术方面有遇到瓶。Q:听说海力十4e还是用TC不用 hybrid bond。A:因为 hybrd bond 真的蛮难。海力士在 HBM4 的时候会采用 fan-out的封装方式，就是在 cowos的时候再加上fan-out。A:没有。应该可以达到 55%，因为为了防止客诉，现在制程中间每一个环节都要检测。Q: DRAM units(Gb 数)环比增长有2%吗?是否会受到地震的影响?A:地震没有影响，是谣言。DRAM目前产能抓得很紧，内部有算FY3QDDR5 价格大概上涨 10-15%。Q:bit个数会增长很多吗?或者说第二季的出货量会比第一季的出货量大吗?A:NAND 在 FY3Q 预计上涨 8%左右，在 5-10%之间。还有市场上有些人说NAND可以去做 DRAM 的产品，是谣言，它们的机台差很多。Q:NAND 涨价幅度低于预期的原因是为什么?口径下调的原因是什么?A:这是最新的预估结果，不清楚具体原因，根据内部目前工厂情况来看就是这A:最近的火灾不影响生产，因此不会影响到利润:地震也没有造成什么影响然后就是先进封装这边的赔偿67亿美金的事件:工厂Bonder交机delayA:目前听到的也是英伟达接受台积电的涨价，苹果不接受。A:三星现在一直没有过验证，是由于过热问题，因为三星使用的材料还是有问题。但三星一直过不了验证跟台积电无关，只是技术问题。因为要通过验证需要拿去台积电做cowos的工作，市场上有人谣传说台积电担心三星做大，故意不让三星通过验证，但是这是谣言。A:是英伟达会设下一个标准，这个标准在台积电执行。A:台积电目前 hybrid bonding 也是正在研发中还没有量产。Hybrid bonding 目前还没有公司有一条真正的量产线，虽然以前有两款产品，但那是很久以前了。三星用的 hybrid bonding 的机台是三星旗下子公司 SEMES 的:海力士是Hamni、ASMPT、Hanhua、BESI、TEL还在评估中，因为 hybrid bonding 有两种，一种是 chip on wafer,die 直接 hybrid bonding到 wafer 上面，另一种是wafer to wafer，两片 wafer 直接绑起来:台积电是用 BESI、EVG，还有 SUSS,但 sUss 太慢了。Q:Hybrid bonding的jthroughput?A:hybrid bonding 其实也有分层，看需要 bond 几层。目前，大家进度基本就是两片叠在一起。关于 chip on wafer 的 through put，假设一个 wafer 上有570个good die，然后一个 die 上面 bond一个wafer，目前一个小时可以弄 4000 个左右。A:今年预计可以达到18k wpm，die per wafer570，良率大概 60-70%，相当于good cells per wafer370,high of stacking算9，后道的良率约50%。今年年底预计18-20k wpm，明年年底会翻倍到40k wpm。目前的5-6月大概有4.5k wpm，7-8月需要看机台情况。A:就是 shinkawa 这一台机台的问题，这一台 die stacking 是最关键的步骤，但是这一台一直叠不好。之前说 HBM4 采用 Hamni，现在是想要 HBM3e 就引进Hamni，但应该是来不及。总结 waferlabel的问题，就是材料影响良率，SUSS机台 delay影响产能。Chip 方面是由于 shinkawa 机器的问题以及生产配方的问题。A:是精准度的问题。认为是硬体方面的问题，可这次损失跟硬体无关。
