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集团所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。
这标志着,我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。
集团所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。
这标志着,我国已全面掌握功率半导'体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。