新能源领域需求急增，这类半导体加速“上车”，这家公司市占率连续保持全球前三
日本半导体材料大厂昭和电工icon近日宣布，其碳化硅icon（SiC）功率半导体的8英寸SiC 外延晶圆已开始进行样品出货。昭和电工表示，和原先使用硅晶圆icon的功率半导体相比，SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热，来自电动车、再生能源领域的需求急增。
大功率高压器件理想材料之一 SiC半导体性能优异，其禁带宽度是硅的3倍，击穿电压是硅的8-10倍，导热率是硅的3-5倍，电子饱和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。
2018年，特斯拉icon的Model 3icon首次采用意法半导体icon和英飞凌icon的SiC逆变器取代了Si-IGBT，逆变器效率提升了5-8%。2020年，比亚迪将自主研发制造的SiC MOSFET 功率器件搭载在汉EV四驱高性能版上，实现了200KW的输出功率，功率密度提升一倍。比亚迪此前表示，预计到2023年，比亚迪旗下所有电动车都将会实现SiC对IGBTicon的全面替代。
光伏icon领域，相比于硅基IGBT，SiC MOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器icon使用寿命。根据SiC芯观察数据，采用SiC器件可有效提高光伏发电转换效率，光伏逆变器的转换效率可从硅基的96%提升至SiC MOSFET的 99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。
有望对下游领域加速渗透 东方证券icon分析指出，未来随着大直径衬底占比提升、衬底和外延晶片质量提高、单晶平均可用厚度持续增加以及扩产导致规模效应增大，SiC产业链各环节成本有望持续降低，并实现对于下游领域的加速渗透。
相关上市公司
天岳先进在半绝缘SiC衬底的市场占有率连续三年保持全球前三，公司日前与客户签订了预计金额13.93亿元的长期协议。
露笑科技表示，碳化硅衬底片现在已经在连续供货，目前每个月可供1000片左右，预计到今年年底可以实现5000片/月的供货能力，在价格方面，预计1-2年内难以下跌，甚至可能上涨。
三安光电icon表示，碳化硅二极管在2021年新开拓送样客户超过500家，出货客户超过200家，超过60种产品已进入量产阶段，在车载充电机领域拥有威迈斯、弗迪动力（比亚迪）等客户。