1、海外厂商占据绝对份额，国内存储安全重要性凸显

存力的底层支撑：半导体存储器芯片（主流为DRAM+NAND Flash）。存力的体现形式：数据中心+存储服务器。

海外巨头垄断，国内存储安全重要性日益凸显。全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断，CR3 超过 95%，全球NAND flash市场由前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，目前 CR3 市场份额达65%，CR6 市场份额接近95%。

2、国内数据圈庞大，AI驱动“从算力到存力”的长期需求

得益于人工智能、物联网、云计算等新兴技术的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长，驱动存储设备在数据中心采购占比进一步提升。据IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全球最大的数据圈。

AI技术革命推动高算力服务器等基础设施需求提升，AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服务器的8/3倍。

3、存储周期拐点已至，库存改善、价格压力缓解

美光23Q1存货环比小幅回落，集邦咨询预测23Q2DRAM价格跌幅收窄至10%-15%（23Q1为20%），库存情况改善、价格压力缓解，存储行业周期迎来拐点。

4、先进存力的前进方向：存算一体、HBM/DRAM、3D NAND

存算一体：将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算的数据搬运环节，消除由于数据搬运带来的功耗，提升计算能效。

HBM/DRAM：作为存储器主流之一的DRAM技术不断升级，衍生出HBM（高带宽内存），其是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列， 突破内存容量与带宽瓶颈。

3D NAND（立体堆叠技术）：可以摆脱对先进制程工艺的束缚，不依赖于EUV技术，而闪存的容量/性能/可靠性也有了保障。

建议关注标的：兆易创新、北京君正、澜起科技、深科技、东芯股份、聚辰股份、普冉股份、江波龙、佰维存储、德明利、易华录、朗科科技、恒烁股份、同有科技、雅创电子