不同光刻胶对应的制程

比如大家最关心的EUV光刻机，最先进，用于7纳米以下支撑，极紫外光的波长小于13.5纳米，就得用EUV光刻胶。

稍微容易一点，DUV光刻机，用的是深紫外光，波长193纳米，得用ArF光刻胶（或者ArFi光刻胶），也可以简称“A胶”。

再容易一点，制程都不是纳米，到了微米级别了，光的波长248纳米，得用KrF光刻胶，或者叫“K胶”。

相对来说最容易的，就是g线和i线的光刻胶，波长436纳米和365纳米。

价格上大致来说，g线/i线光刻胶2~3万元/瓶，K胶4~5万元/瓶，A胶6~8万元/瓶，EUV光刻胶10~20万元/瓶。

国产替代的过程就是从易到难的，现在g线和i线的光刻胶市场都有点饱和了，国产化率也比较高。

国产替代刚刚走到了K胶和A胶的这一步，而且国产化率极低

光刻胶非常重要

中国最早研发是南大光电，但它现在落后于徐州博康和上海新阳

7月23日起，日本针对尖端半导体制造设备出口的限制措施正式生效

三星集团的CEO就曾表示:“如果光刻机缺少了光刻胶，那么光刻机就是一堆废铁。”

而在集成电路当中，光刻工艺是最核心、最重要的加工环节，耗时达到整个芯片工艺的40%~50%。

光刻胶又是光刻工艺中最为核心的材料之一，它的纯度、质量都直接决定芯片的良率。

虽然现在日本人还没卡死光刻胶出口，但我们必须得加紧国产化的研制。

为啥呢？因为光刻胶储存难度很大，保质期只有6个月。

你光刻机被卡了，还能淘个二手货拉过来凑活用。光刻胶被卡了，那就只有干瞪眼的份儿了。不管是哪个国家的半导体产业，光刻胶一旦被人断供，那断供方可真是四两拨千斤，打蛇打七寸。2019年日本跟韩国翻脸，日本人不准给韩国出口光刻胶。结果三星半导体第一代3纳米制程的芯片良率只有10%~20%，其中一个重要原因就是三星这次用上的光刻胶材料纯度不够。这一下倒是把韩国人给逼出来了，到2022年12月，三星宣布，韩国的东进半导体研发的EUV光刻胶成功应用到芯片生产线上了，东进也是第一家把EUV光刻胶本土化到量产水平的韩国公司

标的逻辑晚上补充！