1、碳化硅基MOSFET与硅基比，尺寸减小至原来1/10，导通电阻降低至原来1/100，总能损耗降低70%，能 源转换效率提高。下游应用新能源车、充电桩、光伏、风电、轨道交通等领域。

 2、受益新能源车爆发，Yole预计2026年SiC功率器件市场达45亿美元，2020-2026年CAGR=36%。应用 端：解决续航痛点。成本端：单车节省400-800美元电池成本。客户端：特斯拉等车企相继布局。目前特斯 拉仅使用在主逆变器上、未来有进一步应用提升空间。 

3、性价比是决定SiC器件大批量使用的关键，其中碳化硅衬底占比总成本达46%，也是技术壁垒最高环 节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。 SiC衬底：新能源车+光伏需求潜力巨大；国内外差距逐步缩小、国产替代可期 1、市场空间：预计2025年SiC衬底在新能源车+光伏逆变器市场需求达261亿元，2021-2025年 CAGR=79%。行业核心瓶颈在于供给端不足。

 2、竞争格局：海外龙头已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。 但可观测到，国内外差距正在缩小、且整体差距小于传统硅基半导体。预计未来向8英寸进军过程中，差距 有望进一步缩小。

 3、生产工艺：核心难点在于：长晶工艺复杂、生长速度慢、产出良率低。“产学研用”为国内碳化硅衬底发 展的重要推进动力。国内高校和科研单位主要包括中科院物理所、山东大学、上海硅酸盐所等。

 4、行业趋势：降本是产业化核心。核心方式包括：提升材料使用率（大尺寸化）、降低制造成本（提升良 率）、提升生产效率（更成熟长晶工艺）。 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒 市场第三方设备厂商较少，企业更多为设备+制造一体化布局为主，便于将核心工艺机密掌握自己手里。设 备+工艺联合研发、形成互哺是关键。 投资建议 重点推荐：晶盛机电。

重点关注上市公司：天岳先进、露笑科技、三安光电、东尼电子、天通股份、凤凰 光学、华润微、天富能源等。关注非上市公司：天科合达、河北同光、山东烁科、瀚天天成、天域半导 体、中科节能、泰科天润等。

 风险提示：研发进度不及预期风险；国际贸易争端加剧风险。