核心话题:
1、天花板的空间估计千亿级美金市场。第三代半导体材料还在起步期，增速极 高，增量空间大，存 量空间小。
2、电力电子领域，碳化硅适合中高压，650伏以上的电压等级;微波射频5G基 站领域:氮化镓碳化 硅是互补品的关系。
3、衬底和器件是两个技术门槛高的环 节，与国外差距明显;位错国外可以达到1000/c亿 国内目前是 5000/c亿 技 术差距大约有5-8年时间差距;国外MO­S­F­ET已经大批量出货了，国内目前还是 在二极管 领域。
4、碳化硅投资强度:6寸的一台炉子300万，100台就是3个 亿，100台炉子的产能大概是4万片。材 料端3个亿，那4万片的器件线可能还要 乘个3，也就是10个亿。 5、整个碳化硅器件它的一个价值量基本上衬底占 50%，外延20%。剩下30%，工艺占20%，封装占 10%。
6、外延这块是有危机 的，因为外延本身它的技术门槛相对较低，除非体量做大了，体量不做大将来 很 有可能就被挤掉了;在这个领域要做设计企业很难，因为本身找代工的企业就不 好找。 7、Cr­ee在性能和可靠性中选择可靠性较强的平面型结构，瞄准在车上大 规模使用。 Q:第三代半导体在半导体领域到底是怎么样的存在? A:第三代半导体又称宽禁带半导体，现在比较成熟两个材料，一个就是碳化硅 (SiC), —个氮化镓 (GaN),只能做分立器件。在整个半导体的这个领域当 中，只占很小的一个领域。存量方面:半导体领 域最大的是集成电路。集成电路 现在几乎100%都是用硅来做。整个半导体领域现在一年销售额大概 是在五千亿 美金左右。其中90%都是硅,剩余10%里才是非集成电路(分立器件约占 5%)。增量领域: 例如新能源汽车、5G基站，是增速较快的领域，尤其在新能 源车领域。但即使算上增量,可能天花板的 空间估计千亿级美金市场。总结一句 话就是: 第三代半导体材料还在起步期，增速极高，增量空间 大，存量空间小。
Q:碳化硅与氮化镓之间的关系
A: 一是电力电子领域(电流电压的功率变换):它们两者之间有不同的赛道。碳 化硅适合中高压，650 伏以上的电压等级。主要应用场景是新能源汽车、光伏逆 变器以及工业的一些应用领域。 氮化镓适合 中低压，650伏以下,主要应用场景 是快充，手机快充消费电子快充等。二是微波射频5G基站领域:氮 化镓碳化硅 是互补品的关系。是在碳化硅的基板上长一层氮化镓，叫碳化硅基的氮化镓，这 样做出来 的器件，就是微波射频器件，用在5G基站的功率放大器。现在5G基站 里50%用碳化硅基的氮化镓器 件，剩余50%用传统的硅器件。
Q:碳化硅各环节国内外现状 A:衬底:国内外差距很大最主要体现在尺寸，世界主流尺寸是6英寸，但目前国 内主流还是在4英寸， 而且国外Cr­ee已经研制出8英寸，最快2022年底可能就能 进入市场，而国内现在6英寸还是小批量供 应，所以尺寸上体现出技术差别，另 外衬底品质上差别，体现在是否完美，技术中有两个指标，微管

和位错，微管部 分国内夕卜差别不大，都是每c肝小于1个，位错国外目前Cr­ee可以达到1000/c m2, 国内目前是5000-1万/cm—技术差距大约有5年时间差距。外延:整体来 看，碳化硅领域，技术瓶颈 较低的是外延，目前外延有商用商业化设备的主要有 两家国夕卜企业，一家是意大利的LPE,另一家是 德国的Ai­x­t­r­on,因为这两家公 司在卖设备的时候也会带工艺，所以技术门槛不是太高，大约一千万左 右就能买 一台设备就可以做出合格的外延产品，后续的研发主要体现在让厚度更厚，性能 更好以及在 保证品质的情况下降成本，因为器件中衬底成本大约占到50%，外 延成本在20-25%，所以外延工艺 控制好，成本可以降低很多。器件:另一个门 槛较高的就是器件，器件的难度体现在工艺步骤很多， 比如1个二极管大约几十 步工艺，1个MO­S­F­ET大约上百步工艺，另一方面前期需要大规模投资，衬底 一 条产线可能几亿，器件至少在10亿人民币以上，核心问题还是工艺步骤多及一 些核心高温工艺，如 高温栅氧高温注入等。目前国内外差距主要体现在， 国外 MO­S­F­ET已经大批量出货了，国内目前还没 有能够大规模供货的企业，原因是 因为国内目前还是在二极管领域， 在三极管领域技术还是稍有滞 后，同时二极管 部分动静态指标也有一定差距，虽然电流电压等级参数相同，但导通电阻、开关 损耗 等相对有差距，意味着当真正面临使用阶段，效率会有一定差距。除此之 外，用在消费电子、工业、 车规可靠性不同，目前车规级国内还没有企业能供 货，特斯拉是意法半导体供货，比亚迪汉据行业内 有传言是英飞凌供货，所以这 部分就是器件上与国外还有一定差距。封装:封装环节的核心矛盾在 于，碳化硅 材料的主要特性是高温高频， 但目前封装还是照搬硅封装，所以高温高频性能并 不能得 到有效发挥，但这部分国内外都还没有突破，国内斯达半导体在做硅封装 模块比较优秀，目前在碳化 硅方面也有布局。应用:最后是应用部分，应用需要 量大才有技术问题显现及突破,目前国内大部分车 企,比亚迪,北汽、宇通、蔚 来等都有相应平台在做。
Q:碳化硅的投资强度? A:投资强度上，4寸的已经没有投资意义了，预计还有3年的生存期，之后基本 上就淘汰出市场。6寸 的,按炉子算的话,一台炉子大概300万人民币,那么 100台就是3个亿。8寸的现在还没法去算,因为国内 还刚开始研发出来。就投资 强度而言,6寸到8寸,预计最大也就翻一番。如6寸一台炉子300万人民币,那 么8寸的炉子最多600万,可能还不到。炉子还好,关键是后面的加工线还远远 滞后。不管是切割还是磨 抛,机台目前都还没有。单台炉子算的话,600万这个 投资强度都多了。夕卜延端基本上都兼容，设备都 是商用的设备，如Ai­x­t­r­on、 LPE等。买一套设备就会有相应的工艺匹配，就可以做出好的产品。只不 过需要 去调工艺,来更好的降低成本。外延机台投资强度就是一台1000万。器件的投 资强度会更大一 些,因为它工艺需要的机台、步骤都会比较多,光刻、刻蚀、镀 膜以及后面的封装等等,所以这块的投资 强度会更大。 比如刚刚说的6寸的一台 炉子300万，100台就是3个亿，100台炉子的产能大概是4万 片。材料端3个 亿，那4万片的器件线可能还要乘个3,也就是10个亿。总体来说比IC的投资相 对要低很 多。
Q:整个碳化硅器件它的一个价值量或者说一个成本拆分大概是怎么样?
A: 这块基本上衬底占50%，外延20%。剩下30%，工艺占20%，封装占 10%。 毛利率的话,国内厂 家毛利率要比国外更低一点。衬底这个环节,平均 毛利率应该能到40-45%左右。外延这个环节毛利率 比较高,50-55%左右。器 件这个环节相对低一点,因为成本还是比较高,控制得好的话可以到35-40%。 封装这一块不好说,传统的封装毛利率比较高,但碳化硅如果用硅的封装,性能 会受到很大的限制。真正

给碳化硅量身定做的,适合高频高温的封装,这一块成 本会很高。目前封装这一块市场还没有一个很好的 平衡,本身这一块的研究也比 较滞后。真正要说这一块利润的话,我觉得应该和器件环节相当。 Q:衬底，夕卜延、器件、封装的格局。国内厂商它在氮化镓跟碳化硅上面跟海外 的一些厂商的差 距。
A:碳化硅或者第三代半导体，实际上国内跟国外差距还是不小。虽然我们相对 IC这个领域，第三代半 导体之间的差距要小一点，但是在我看来也至少有5-8年 的差距。这种差距体现在多方面，比如材料 端，尺寸就有差距。一个尺寸到另一 个尺寸差不多就需要花5年的时间，也就意味着我们现在没有8寸 的，可能5年之 后8寸的会慢慢出来。另一方面，在材料品质上也有差距。碳化硅最核心的一个 品质就 是位错密度。国际上现在平均是每平方厘米1000个，国内是5000个左 右，大概是5倍。位错密度直接 决定了器件的可靠性和稳定性的问题。外延这个 环节相对来说差距小一些，因为本身这个环节技术门 槛相对低一点。设备是商用 的设备，这块实际上国内外差距不大，就是有差距，也不会是5年，觉得 最多就 一两年差距，主要是控成本的差距以及材料的一致性、可靠性的问题上。国内有 两家还不错， 东莞天域、瀚天天成都是不错的企业。器件上的差距也不小。国际 上三极管、MO­S­F­ET产业化要比 SBD晚了将近10年，因为它难度大。国内这一 块可以说研发成功了，但是真正产业化供货MO­S­F­ET基 本上还处于创业阶段。 真正产业化的还是以SBD为主，不管是国内做得最早的碳化硅器件泰科天润，还 是湖南长沙的线，主 要是以SBD为主。国外都是大批量的生产MO­S­F­ET，而且在 真正的器件用量上，MO­S­F­ET、三极管体 量远远大于二极管。单说二极管的话， 实际上它也有代替的产品，现在国际上也到第7代了。国内实 际上至少要晚一 代，晚一代就意味着同样规格的器件，性能就会要落后于别人。性能落后于别 人，最 终到电路上效率就会低，所以这就是差距。这就是国际上的竞争。 Q:外延和设计这两个环节怎么看? A:外延这块是有危机的，因为外延本身它的技术门槛相对较低，除非体量做大 了，体量不做大将来很 有可能就被挤掉了。有两种可能， 一种是被上游的衬底厂 商给挤掉，因为他有彻底再做外延，很容易 做上去。另一种也是可能会被下游的 器件厂商给挤掉。 因为这两个环节技术门槛都比较高的，它们往 技术门槛比较低 的地方去是比较容易的。所以没有体量就意味着没有规模经济带来的价格优势， 就很 容易被挤掉。瀚天天成，东莞天域这两家也是不错的，一直这么多年体量也 不错，所以在这个领域确 实没有看到新的企业进来，也许正是看到了这个状态， 也不敢进来，进来以后就没有生存空间。设计 这块，很多新进入的玩家一开始走 的设计路线。其实， 在这个领域要做设计企业很难，因为本身找代 工的企业就不 好找，代工企业的技术能力有多强也不好说。 这个领域代工体系还没有建立，代 工体 系的建立需要时间，这期间找谁去做，实际上自己有工艺线，就能很快生产 出。另外，代工本身费用 高，周期长，三五个周期才迭代出来，根本赶不上人家 的速度，在分立器件方面，IDM为王，若干年 后代工体系可能才会慢慢出来。设 计企业想要进入车企供应链更难，很多主机厂希望是一个具备IDM 技术的企 业，因为车载应用要求的一致性和可靠性非常高，包括产出、产线的固定。
Q: Cr­ee器件采用平面型结构，罗姆是沟槽型(tr­e­n­ch),这个会不会有什么 不同? A:确实两者的技术路线不太一样。Cr­ee是做了平面结构的MO­S­F­ET。罗姆是沟 槽型tr­e­n­c­ho tr­e­n­ch实 际上从技术先进性上来说应该更好一些，tr­e­n­ch结构的 器件的性能也会更好。所谓的性能更好，就是 它的脉压还有导通电阻在当下实验 室测试、出场测试的时候性能都会很好。但是碳化硅器件我们需要

在性能和可靠 性两者之间做平衡。我一般把性能理解成一个爆发力，把可靠性比喻成持久力。 一个器 件不仅需要有爆发力，同时也需要有持久力。实际上tr­e­n­ch的这种结构， 它可以提升性能，但是这种 tr­e­n­ch结构，它的可靠性方面会有本质的缺憾。当然 也有办法去改善它，改善意味着成本又会上去。 所以这两种技术路线，Cr­ee可 以看出来是比较保守的，他用平面的结构，它可靠性很好，可靠性好就 损失了一 部分的性能。然后就看什么资产上用了。对于车用来说，对于可靠性的要求更 高。因为车使 用上基本是10年以上，不是说今天开得很好，过了两年就不行 了。所以Cr­ee为什么一直坚持平面型的 结构，他是要瞄准了在车上大规模的使 用。tr­e­n­ch的结构的可靠性也能提升，提升就意味着成本会上 升。性能也好了， 可靠性也好了，但是价格贵了，你愿不愿意买单?实际上又回到了一个你愿意买 碳 化硅还是硅的问题。
Q:上碳化硅半绝缘衬底产能的为啥很少?
A: 一是:半绝缘目前主要用在5G基站建设，现在基