我们来看重磅消息。

随着英特尔、三星、台积电以及日本即将落成的先进晶圆代工厂 Rapidus尽管各家公司都各自准备将越来越多的晶体管塞进每平方毫米的硅片中，但它们有一个共同点，那就是它们所依赖的极紫外 (EUV) 光刻技术极其复杂、极其昂贵，而且操作成本极高。主要原因是，该系统的 13.5 纳米光的来源是使用地球上最强大的商用激光器喷射飞散的熔融锡滴的精确且昂贵的过程。

但一种非常规替代方案正在酝酿之中。日本筑波高能加速器研究组织（KEK）的一组研究人员认为，如果利用粒子加速器的能量，EUV 光刻技术可能会更便宜、更快速、更高效。可以使自由电子激光经济地产生数十千瓦的 EUV 功率。这足以同时驱动不止一台而是多台下一代光刻机，从而降低先进芯片制造的成本。

KEK 先进光源研究员 Norio Nakamura在参观该设施时告诉我：“FEL 光束的极高功率、较窄的光谱宽度以及其他特性使其非常适合用于未来的光刻技术。”

公司两年前就已经在进行下一代核能源应用及电子对撞科学装置分布同步系统研究，通过本项目对高精度同步技术的研究、低电平采集控制设备和EPICS软件开发，公司具备了在粒子加速器等领域提供高精度分部同步控制系统的能力。本项目开发的成果已经小批量应用于客户大型科研装置的验证，具备了国外产品系统的技术水平。