近日,全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示,已决定投资约9.4万亿韩元(约合493.4亿人民币)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。按照计划,SK海力士将于明年3月开工建设龙仁集群的首座厂房,并于2027年5月竣工。
华鑫证券毛正分析指出,随着人工智能的兴起,对高算力和带宽的需求推动了存储的发展。相较于传统的DRAM,HBM技术采用垂直堆叠DDR芯片与GPU封装实现高带宽、低延迟和低功耗,突破了传统内存的限制,适应AI时代的新需求。目前全球市场由海力士、三星和美光主导,中国厂商也在积极推进HBM国产化,市场供需缺口仍持续扩大,DRAM涨价周期叠加AI驱动下,HBM价格预计继续上涨,市场规模预计在2024年达到约70亿美金。值得一提的是,今年5月,SK海力士社长KwakNoh-Jung透露,今年SK海力士的HBM芯片已经售罄,同时,2025年的HBM芯片也几乎已经全部预定。