三星存储四季度官价涨幅10%-30%最高66%
西瓜包甜
2023-10-31 22:39:05
【消息速递】
其中，以DDR5最 先反弹，价格率先调涨。而市场最多库存的DDR4 8G，也已由微幅下滑，转为开始上扬，现在DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨。【HBM3概念解析】HBM3规格DRAM价格，上半年价格上涨5倍
【消息面】 超高的带宽让HBM成为了高性能GPU的核心组件。自从去年ChatGPT出现以来，HBM作为AI服务器的“标配”，更是开始狠刷存在感。从“鲜有问津”的高岭之花，变成了大厂们争相抢夺的“香饽饽”。 近日，GPU紧缺持续发酵，一位经销商告诉记者，目前其手中A800的售价已较一周前的9万多元上涨约30%，单卡现货近13万元人民币一颗，服务器现货则由120多万元一台涨至接近140万元。一位AI企业人士透露，由于英伟达对A800砍单，其订购的服务器迟迟未能到货。A800涨价与多因素有关，除了市场需求旺盛、政策因素外，上述AI企业人士表示，目前英伟达在大力推广H800，因此调低了A800的供应比例。一颗单卡H800GPU价格高达20余万元人民币。【事件驱动】
存储巨头争霸HBMHBM作为DRAM的一种，其市场也被三巨头瓜分。目前技术走在最前面的是SK海力士，并且它也拥有第一的市占率，高达50%，紧随其后的是三星，市占率约40%，美光约占10%。预计到2023年，SK 海力士市占率有望提升至 53%，而三星、美光市占率分别为38%及9%。下游厂商主要是CPU/GPU厂商，如英特尔、英伟达以及AMD。因为HBM是于GPU封装在一起的，所以HBM的封装基本也由晶圆代工厂一同包揽完成，而晶圆代工厂商包括台积电、格芯等也在发力HBM相关技术。国内厂商布局不大，只有一些企业涉及封测，如国芯科技与深科技。总的来说，HBM的竞争还是在SK 海力士、三星以及美光之间展开。从技术上先来看，SK海力士是目前唯一实现HBM3量产的厂商，并向英伟达大量供货，配置在英伟达高性能GPU H100之中，持续巩固其市场领先地位。根据此前的资料介绍，SK海力士提供了两种容量产品，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB（196Gb），另一个则是8层堆叠的16GB（128Gb），均提供819 GB/s的带宽，前者的芯片高度也仅为30微米。相比上一代HBM2E的460 GB/s带宽，HBM3的带宽提高了78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。三星在2022年技术发布会上发布的内存技术发展路线图中，显示HBM3技术已经量产，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达6.4Gbps。2024年预计实现接口速度高达7.2Gbps的HBM3P，预计2025年在新一代面向AI的GPU中见到HBM3P的应用。美光科技走得较慢，于2020年7月宣布大规模量产HBM2E，HBM3也仍作为其产品线在持续研发之中。HBM之后的发力点在于打破速度、密度、功耗、占板空间等方面的极限。为了打破速度极限，SK海力士正在评估提高引脚数据速率的传统方法的利弊，以及超过1024个数据的I/O总线位宽，以实现更好的数据并行性和向后设计兼容性。简单来讲，即用最少的取舍获得更高的带宽性能。另一方面厂商也在致力于提高功耗效率，通过评估从最低微结构级别到最高Die堆叠概念的内存结构和操作方案，最大限度地降低每带宽扩展的绝对功耗。不过要想有上述突破，存储厂商要与上下游生态系统合作伙伴携手合作和开放协同，将HBM的使用范围从现有系统扩展到潜在的下一代应用。HBM的下游也在持续发力，英伟达历代主流训练芯片基本都配置HBM；英特尔Sapphire Rapids发布全球首款配备HBM的X86 CPU；AMD也在持续更新HBM产品线。借着AI的东风，HBM最近热度大幅上升，从原来的“小透明”变成了“网红”。并且，AI的浪潮还在愈演愈烈，HBM今后的存在感或许会越来越强。集邦咨询预计2023-2025年HBM 市场年复合增长率有望增长至40%-45%以上。而其他机构预测DRAM5年内（2022-2027）年复合增长率仅有6.1%。不过要清楚的是，与庞大的DRAM市场比起来，HBM还是“渺小的”，大约只占整个DRAM市场的1.5%。 三星电子将投资1万亿韩元（约合7.66亿美元）扩大其高带宽内存（HBM）产能。消息人士认为，三星的投资不仅是为了与SK海力士在市场上竞争，也是为了满足英伟达和AMD等公司的客户需求。三星的目标是到2024年底将HBM产能翻一番，并且已经下了主要设备的订单。据悉，WSS（晶圆承载系统）的供应商包括Tokyo Electron（TEL，东京电子）和Suss Microtech（苏斯微技术）。三星计划在天安工厂安装该设备，以增加HBM出货量。天安工厂是三星半导体后端工艺的生产基地。考虑到HBM是由多个DRAM垂直连接而成，三星需要增加更多后端工艺设备来提高出货量。据报道，此次扩建的总投资为1万亿韩元。 2023年AI服务的快速扩张导致对高性能CPU、GPU和HBM的需求增加。韩国行业消息人士指出，三星已经从英伟达和AMD等公司获得了额外的HBM订单。业内人士称，与竞争对手相比，三星在HBM领域的反应相对缓慢。一些市场研究数据还表明，三星的HBM市场份额低于SK海力士。这被认为是三星DS（设备解决方案）最近决定更换其内存业务部门技术开发主管的因素之一。三星DS部门负责人Kyung Kye-Hyun表示，三星的HBM产品仍拥有50%以上的市场份额。到2024年，HBM3和HBM3P等产品将为该部门的利润作出贡献。SK海力士还计划投资约1万亿韩元，增强利川工厂的HBM产能。业内观察人士推测，1万亿韩元将是最低投资规模。未来，三星和SK海力士预计将进一步扩大投资规模，意味着2024年HBM市场竞争将更加激烈。随着科技巨头预见人工智能服务的扩张，未来对HBM的需求只会呈上升趋势。如果三星和SK海力士想要满足未来的HBM需求，他们需要将产能提高到目前水平的十倍以上。
其中，以DDR5最 先反弹，价格率先调涨。而市场最多库存的DDR4 8G，也已由微幅下滑，转为开始上扬，现在DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨。【HBM3概念解析】HBM3规格DRAM价格，上半年价格上涨5倍【消息面】 超高的带宽让HBM成为了高性能GPU的核心组件。自从去年ChatGPT出现以来，HBM作为AI服务器的“标配”，更是开始狠刷存在感。从“鲜有问津”的高岭之花，变成了大厂们争相抢夺的“香饽饽”。 近日，GPU紧缺持续发酵，一位经销商告诉记者，目前其手中A800的售价已较一周前的9万多元上涨约30%，单卡现货近13万元人民币一颗，服务器现货则由120多万元一台涨至接近140万元。一位AI企业人士透露，由于英伟达对A800砍单，其订购的服务器迟迟未能到货。A800涨价与多因素有关，除了市场需求旺盛、政策因素外，上述AI企业人士表示，目前英伟达在大力推广H800，因此调低了A800的供应比例。一颗单卡H800GPU价格高达20余万元人民币。【事件驱动】存储巨头争霸HBMHBM作为DRAM的一种，其市场也被三巨头瓜分。目前技术走在最前面的是SK海力士，并且它也拥有第一的市占率，高达50%，紧随其后的是三星，市占率约40%，美光约占10%。预计到2023年，SK 海力士市占率有望提升至 53%，而三星、美光市占率分别为38%及9%。下游厂商主要是CPU/GPU厂商，如英特尔、英伟达以及AMD。因为HBM是于GPU封装在一起的，所以HBM的封装基本也由晶圆代工厂一同包揽完成，而晶圆代工厂商包括台积电、格芯等也在发力HBM相关技术。国内厂商布局不大，只有一些企业涉及封测，如国芯科技与深科技。总的来说，HBM的竞争还是在SK 海力士、三星以及美光之间展开。从技术上先来看，SK海力士是目前唯一实现HBM3量产的厂商，并向英伟达大量供货，配置在英伟达高性能GPU H100之中，持续巩固其市场领先地位。根据此前的资料介绍，SK海力士提供了两种容量产品，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB（196Gb），另一个则是8层堆叠的16GB（128Gb），均提供819 GB/s的带宽，前者的芯片高度也仅为30微米。相比上一代HBM2E的460 GB/s带宽，HBM3的带宽提高了78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。三星在2022年技术发布会上发布的内存技术发展路线图中，显示HBM3技术已经量产，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达6.4Gbps。2024年预计实现接口速度高达7.2Gbps的HBM3P，预计2025年在新一代面向AI的GPU中见到HBM3P的应用。美光科技走得较慢，于2020年7月宣布大规模量产HBM2E，HBM3也仍作为其产品线在持续研发之中。HBM之后的发力点在于打破速度、密度、功耗、占板空间等方面的极限。为了打破速度极限，SK海力士正在评估提高引脚数据速率的传统方法的利弊，以及超过1024个数据的I/O总线位宽，以实现更好的数据并行性和向后设计兼容性。简单来讲，即用最少的取舍获得更高的带宽性能。另一方面厂商也在致力于提高功耗效率，通过评估从最低微结构级别到最高Die堆叠概念的内存结构和操作方案，最大限度地降低每带宽扩展的绝对功耗。不过要想有上述突破，存储厂商要与上下游生态系统合作伙伴携手合作和开放协同，将HBM的使用范围从现有系统扩展到潜在的下一代应用。HBM的下游也在持续发力，英伟达历代主流训练芯片基本都配置HBM；英特尔Sapphire Rapids发布全球首款配备HBM的X86 CPU；AMD也在持续更新HBM产品线。借着AI的东风，HBM最近热度大幅上升，从原来的“小透明”变成了“网红”。并且，AI的浪潮还在愈演愈烈，HBM今后的存在感或许会越来越强。集邦咨询预计2023-2025年HBM 市场年复合增长率有望增长至40%-45%以上。而其他机构预测DRAM5年内（2022-2027）年复合增长率仅有6.1%。不过要清楚的是，与庞大的DRAM市场比起来，HBM还是“渺小的”，大约只占整个DRAM市场的1.5%。 三星电子将投资1万亿韩元（约合7.66亿美元）扩大其高带宽内存（HBM）产能。消息人士认为，三星的投资不仅是为了与SK海力士在市场上竞争，也是为了满足英伟达和AMD等公司的客户需求。三星的目标是到2024年底将HBM产能翻一番，并且已经下了主要设备的订单。据悉，WSS（晶圆承载系统）的供应商包括Tokyo Electron（TEL，东京电子）和Suss Microtech（苏斯微技术）。三星计划在天安工厂安装该设备，以增加HBM出货量。天安工厂是三星半导体后端工艺的生产基地。考虑到HBM是由多个DRAM垂直连接而成，三星需要增加更多后端工艺设备来提高出货量。据报道，此次扩建的总投资为1万亿韩元。 2023年AI服务的快速扩张导致对高性能CPU、GPU和HBM的需求增加。韩国行业消息人士指出，三星已经从英伟达和AMD等公司获得了额外的HBM订单。业内人士称，与竞争对手相比，三星在HBM领域的反应相对缓慢。一些市场研究数据还表明，三星的HBM市场份额低于SK海力士。这被认为是三星DS（设备解决方案）最近决定更换其内存业务部门技术开发主管的因素之一。三星DS部门负责人Kyung Kye-Hyun表示，三星的HBM产品仍拥有50%以上的市场份额。到2024年，HBM3和HBM3P等产品将为该部门的利润作出贡献。SK海力士还计划投资约1万亿韩元，增强利川工厂的HBM产能。业内观察人士推测，1万亿韩元将是最低投资规模。未来，三星和SK海力士预计将进一步扩大投资规模，意味着2024年HBM市场竞争将更加激烈。随着科技巨头预见人工智能服务的扩张，未来对HBM的需求只会呈上升趋势。如果三星和SK海力士想要满足未来的HBM需求，他们需要将产能提高到目前水平的十倍以上。
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