800V 高压平台升级， SiC 车规级应用渗透率加速提升。SiC器件主要应用于新能源车的电机控制器、车载充电机OBC、DC/DC变换器等。

相较Si器件，SiC器件具有以下优点：（1）能量损耗低：导通电阻低，同规格SiC-MOS相较Si-IGBT总能量损失可降低约80%。（2）器件尺寸小：损耗低且电流密度高，同规SiC-MOS仅为Si-MOS原尺寸的1/10。（3）开关频率高：不存在电流拖尾现象，大幅提高实际开关频率。（4）工作温度高：热导率高，器件散热容易，降低对散热系统的需求，利于终端轻量化和小型化。

2021年，汽车对SiC器件需求提升，SiC进入供应短缺状态。国内碳化硅产业快速发展，根据NE时代，2023年国内上险乘用车主驱碳化硅模块渗透率约为10.7%，下半年800V车型中SiC渗透率显著提升：6-12月800V车型中SiC车型占比分别为15%、18%、29%、35%、39%、45%，其中12月问界M9、理想MEGA等多个碳化硅车型上市。

 SiC国产供应链崛起，衬底外延器件全面突破。衬底：国产衬底突破速度快，海外大厂英飞凌、博世、安森美等公司已开始批量在6英寸的SiC MOS级产品制造中使用国产衬底。

据SMIA， 2023年中国碳化硅衬底材料出货89.4万片（折合6英寸），比2022年的30万片增长297.9%，据估算，我国2023年的碳化硅衬底产能已占到全球产能的42% 。8英寸方面，多家衬底厂商已完成研发，具备量产能力。

外延：国内相关外延厂商已实现产业化，可供应4-6英寸外延片。8英寸方面，国内已实现国产8英寸SiC衬底上同质外延生长，具备8英寸SiC外延片量产能力。

6英寸方面，行业电阻长晶炉实现突破，使用溶液法理念并利用PVT法单晶稳定生长的优势制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶，厚度为目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，推动衬底成本持续降低方面的巨大潜力。

8英寸方面，无需外延的离子注入工艺将解决电子转移速度降低，以及外延片成本过高等大规模生产的主要障碍，有助于将SiC MOSFET衬底成本降低30%，为具有良好均匀性和再现性的高质量离子注入大规模生产工艺奠定坚实的基础。

标的：士兰微、斯达半导、新洁能、芯联集成、华润微等。

风险提示：国产化进度不及预期；政策与国际关系变化。