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复利追光者
2025-02-26 09:02:44
三星“借力”长江存储混合键合技术国产设备商拓荆科技迎风口
近日,三星电子宣布与长江存储达成3D NAND混合键合技术专利授权协议,计划从第十代V-NAND(V10)开始采用后者的关键技术。这一合作不仅标志着国产存储技术首次进入国际头部供应链体系,也为国内混合键合设备供应商——拓荆科技(证券代码:688072)带来直接利好。 技术卡位:长江存储“晶栈”撬动三星需求 根据协议内容,三星将在V10 NAND中引入长江存储的“晶栈(Xtacking)”混合键合技术。该技术通过晶圆直接贴合替代传统凸点连接,可显著缩短芯片内部电气路径,解决400层以上堆叠带来的可
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三星“借力”长江存储混合键合技术国产设备商拓荆科技迎风口
近日,三星电子宣布与长江存储达成3D NAND混合键合技术专利授权协议,计划从第十代V-NAND(V10)开始采用后者的关键技术。这一合作不仅标志着国产存储技术首次进入国际头部供应链体系,也为国内混合键合设备供应商——拓荆科技(证券代码:688072)带来直接利好。 技术卡位:长江存储“晶栈”撬动三星需求 根据协议内容,三星将在V10 NAND中引入长江存储的“晶栈(Xtacking)”混合键合技术。该技术通过晶圆直接贴合替代传统凸点连接,可显著缩短芯片内部电气路径,解决400层以上堆叠带来的可
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近日,三星电子宣布与长江存储达成3D NAND混合键合技术专利授权协议,计划从第十代V-NAND(V10)开始采用后者的关键技术。这一合作不仅标志着国产存储技术首次进入国际头部供应链体系,也为国内混合键合设备供应商——拓荆科技(证券代码:688072)带来直接利好。 技术卡位:长江存储“晶栈”撬动三星需求 根据协议内容,三星将在V10 NAND中引入长江存储的“晶栈(Xtacking)”混合键合技术。该技术通过晶圆直接贴合替代传统凸点连接,可显著缩短芯片内部电气路径,解决400层以上堆叠带来的可
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近日,三星电子宣布与长江存储达成3D NAND混合键合技术专利授权协议,计划从第十代V-NAND(V10)开始采用后者的关键技术。这一合作不仅标志着国产存储技术首次进入国际头部供应链体系,也为国内混合键合设备供应商——拓荆科技(证券代码:688072)带来直接利好。 技术卡位:长江存储“晶栈”撬动三星需求 根据协议内容,三星将在V10 NAND中引入长江存储的“晶栈(Xtacking)”混合键合技术。该技术通过晶圆直接贴合替代传统凸点连接,可显著缩短芯片内部电气路径,解决400层以上堆叠带来的可
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