碳化硅（SiC）：第三代半导体芯片材料大势所趋，碳化硅MOSFET将与硅基IGBT长期共存。相比于硅基，SiC拥有更高的禁带宽度、电导率等优良特性，更适合应用在高功率和高频高速领域，如新能源汽车和5G射频器件领域。特斯拉在MODEL3上使用24个SiCMOSFET模块作为主驱逆变器的核心部件替代IGBT，SiCMOSFET使逆变器效率从ModelS的82%提升到Model3的90%。除了逆变器效率提升，SiCMOSFET使器件体积缩小到原来的1/10，承载功率是硅基器件的80倍，另外关断能力和可靠性也得到大幅提升。

新能源汽车为碳化硅材料带来巨大增量。新能源汽车为碳化硅的最重要下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等，单车用量平均为0.5片6寸碳化硅（单片切325个器件），SiC晶片价格为7000元/片，单车碳化硅衬底价值量约3500元。根据IHS数据，2018年和2027年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和100亿美金，复合增速约40%。碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2027年的30亿美金，复合增速达44%。目前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。

露笑科技：致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链，中国顶尖团队致力打造碳化硅的国之重器。（1）在碳化硅长晶炉方面，公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务，依托于历史的蓝宝石业务积累，公司目前战略转型布局碳化硅业务。（2）在碳化硅晶片方面，公司引进国内最早和最顶尖的从事碳化硅晶体生长研究的技术团队——陈之战博士研究团队。

露笑科技碳化硅业务：短期看长晶炉批量订单，长期看与合肥政府百亿元的合作协同。（1）碳化硅长晶炉：公司前期公告和中科钢研、国宏中宇签订约3亿元的碳化硅长晶炉销售合同，未来随着中国步入碳化硅的扩产周期，公司的碳化硅长晶炉业务有望步入快速发展期；（2）公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园。在暂时不考虑合肥合资公司碳化硅衬底收入贡献的情况下，我们预计露笑科技的碳化硅业务2020-2022年收入分别为1.25、2.75、4.00亿元。

技术上逢阴介入，做周期强势股反抽。（仅供参考，请勿买入