2021H1业绩指引符合预期，持续受益功率景气周期。我们测算公司2021Q2单季度实现归母净利润0.95-1.00亿元（环比增加26.23%-32.89%），再创历史新高。公司业绩增长的原因主要有：1）受到新冠疫情、半导体国产替代加速、光伏和充电桩等新型应用多种因素共振，叠加上游代工产能紧张，公司所处行业细分领域景气度持续升高，产品供不应求；2）公司利用自身综合优势，积极开拓新兴市场与开发重点客户，持续优化市场、客户与产品结构，促进了销售规模的扩大与毛利率的提升。受益于新能源汽车、工业控制、变频家电、光伏发电等下游需求驱动，叠加国产替代，功率行业迎来景气周期：MOSFET方面，根据英飞凌数据，2019年全球MOSFET市场规模为81亿美元，预计2023年市场规模或达100亿美元，2019-2023年CAGR为5.4%。IGBT方面，2019年全球IGBT市场规模为63.4亿美元，预计2025年市场规模或超100亿美元,2019-2025年CAGR超7.5%。从竞争格局看，功率器件行业龙头为英飞凌、安森美等海外大厂，国内市场整体呈现中高端功率器件供给不足、超八成依赖进口的态势，国产替代空间广阔。

产业链协作优势明显，持续研发带来成长新动能。去年下半年以来，行业供需持续失衡且短期难见缓解，公司已于2021年开始陆续调涨产品价格，缓解上游涨价压力。公司产业链协同优势明显，得益于上游国内代工厂扩产动能、公司自建封测产线以及积极拓展海外代工厂，公司产能供应可得到充分保障，在此轮行业缺货涨价周期中有望进一步实现突破，推动业绩增长。公司持续加码研发，成效显著：1）MOSFET：持续技术攻关和产品迭代，公司是国内较早的转向12英寸产线的功率厂商之一，部分MOS产品已成功在12英寸芯片产线实现量产，同时大功率SJ-MOS产品的终端客户被多家中大功率电源厂家批量使用；2）IGBT：公司积极拓展IGBT业务，持续优化产品，提升产品良率，完成650VIGBT系列产品、1200V中低频和高频IGBT芯片开发，形成完整的产品系列，2020年IGBT系列产品已开始放量；3）第三代半导体：公司积极布局第三代功率器件产品研发，1200V新能源汽车用SiCMos和650VPD电源用GaNHEMT在积极研发中。短期来看，公司有望于此轮景气周期和自身客户优势充分受益；中长期来看，公司有望受益于IGBT等