美国国防部在一份报告中这样评价：“如果电子革命的中心是以使其成为可能的硅材料命名的，那么光子学革命的发源地则很可能就是以铌酸锂命名了。”大容量的铌酸锂成为AI时代处理信息的守门人铌酸锂-AI人工智能-AI算力-CPO光模块-Ch­a­t­G­PT，AI驱动光模块技术升级需求，薄膜铌酸锂落地将加速！

        机构指出，AI大模型的训练和应用，将给算力、网络设备、光模块带来较大的弹性，且有望驱动光模块的技术升级需求。薄膜铌酸锂调制器是未来高速光互连极具竞争力的最佳解决方案。

        中国力争在 2020 年实现铌酸锂调制器芯片及器件不断替代进口，扩大市场占有率，并于 2022 年实现市场占有率超过 30%。铌酸锂晶体占高速电光调制器芯片成本的 21%以上，市场潜力巨大。

        预计23-25年大规模应用，产业链分布多为美国/日本公司，H客户超高速数据中心光模块开启薄膜铌酸锂方案，国产替代中，天通基础电子材料恰恰是单晶铌酸锂薄膜的上游产品铌酸锂压电晶圆，并且已经量产，产品供不应求，天通股份 卡住国产替代上游核心材料唯一供应。

        已有明确产业趋势，公司作为上游材料唯一公司，去年底再投入募捐巨资13.5亿，进一步扩产尺寸铌酸锂压电晶圆（早上电话咨询了董秘，是铌酸锂压电晶圆、近日互动平台会证实）的生产规模，进一步占领国产替代核心前沿。

        射频滤波器系《科技日报》整理的国外占据垄断优势 35 项卡脖子项目第 7项，钽酸锂（LT）、铌酸锂（LN）压电晶圆具有优良的压电性能、热稳定性、化学稳定性和机械稳定性，是制作声表面波滤波器（SAW）的理想基板材料。从全球市场看，目前钽酸锂、铌酸锂压电晶圆仍被日本等国外厂商占据绝对主导地位。

        天通公司作为国内领先的钽酸锂、铌酸锂压电晶圆供应商，目前压电晶圆处于订单充足、产能饱满的状态，随着 5G、物联网及消费电子对 SAW 器件的需求日益增长，公司现有 LT/LN 晶圆产能已无法满足快速增长的订单需求，亟需通过扩充产能，把握射频器件国产化的发展机遇，进一步抢占 SAW 器件市场。

        本次募投项目的实施，将进一步提升大尺寸射频压电晶圆产能，既能充分发挥自身在晶体材料生长领域的技术与平台优势，又能借助下游器件国产化的契机快速实现规模化，快速抢占产业链上游的重要位置，将进一步扩大在国内主流滤波器厂商中的市场份额，巩固公司的优势市场地位，提高公司的盈利能力。

        把握压电晶体大尺寸发展趋势，抢占市场先机
由于更大的晶圆尺寸能够很大程度上降低成本、提高产量，且晶圆尺寸的扩大与芯片特征尺寸的缩小是相应促进和互相推动的，因此当前发展大尺寸 LN/LT晶体，尤其是 SAW 器件、集成光学器件应用的特殊切型晶圆，促使 LN/LT 与半导体产业接轨，已成为行业重要发展趋势。目前，公司已经能够成熟生产 3 英寸、4 英寸和 6 英寸的声表级晶体和声表级钽酸锂、铌酸锂、掺杂钽酸锂晶片和黑化抛光晶片，并已开发出 8 英寸压电晶体材料。

        本次募投项目的实施，是公司顺应压电材料技术发展趋势的必要举措，通过引进先进的设备，不断强化技术、工艺优势，不仅能充分保障现阶段 4 英寸、6英寸压电晶片的生产能力，也将为未来进一步加强在更大尺寸压电晶体的开发上奠定坚实基础。