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拥抱大阳线
2021-05-28 01:53:16
热热热
@短线姐妹花:
第三代半导体是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的宽禁带半导体材料,主要应用于功率半导体(即IGBT),具有抗高温、高功率、高压、高频以及高辐射等特性,相比硅基半导体可以降低50%以上的能量损失,同时使装备体积减小75%以上;主要应用于光伏、风电、新能源汽车、充电桩、工控、轨道交通、通讯基站、
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