这里提到的纳米压印技术，就是被认为最有可能替代EUV的下一代光刻技术。

纳米压印技术，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一种新型的微纳加工技术。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上。纳米压印的分辨率由所用印模板图形的大小决定，物理上没有光刻中的衍射限制，纳米压印技术可以实现纳米级线宽的图形。

纳米压印替代的是光刻环节，只有光刻的步骤被纳米压抑技术代替，其他的刻蚀、离子注入、薄膜沉积这些标准的芯片制造工艺是完全兼容的，能很好的接入现有产业，不用推翻重来。

据了解，佳能最新的纳米压印设备的参数指标不错，套刻精度为2.4nm/3.2nm，每小时可曝光超过100片晶圆，纳米压印技术已经达到3D NAND大规模生产水平和要求。

上文也提到，除了铠侠之外，SK海力士也从佳能购买了纳米压印设备，正在进行用于3D NAND型闪存生产工程的测试，这也被认为是业界最尖端制造工艺中使用的EUV光刻机的下一代设备。

有业内人士表示：“与EUV相比，纳米压印技术形成图案的自由度较低，因此预计将优先用于生产维持一定图案的NAND型闪存。”SK海力士开始采购设备也是因为这个原因。”如果纳米压印设备实现商用化，以SK海力士为首的NAND闪存企业将能够提高从200层开始的工序难度越来越高的3D NAND闪存领域的生产效率。

另一方面，存储芯片巨头三星电子也为了解决引进多图案工艺导致的成本上升问题，迅速导入了EUV光刻机，除此之外还开发了包括纳米压印技术在内的3-4种解决方案。

除了在NAND闪存领域的探索外，佳能正在尝试将NIL技术应用到DRAM和CPU等逻辑芯片上。

据佳能在纳米压印设备未来路线图显示，应用将从3D NAND存储芯片开始，逐渐过度到DRAM，最终实现CPU等逻辑芯片的制造。

美光将采用纳米印刷技术制造存储芯片

2023-3-3日，美光科技公司。她说，使用纳米印刷技术生产单层 DRAM 内存芯片的成本更低。

如果我们与传统的光学光刻进行类比，那么在适当的材料中讲话，想必我们正在谈论相当精细的技术流程。正如原始文章中所述，纳米打印技术可以实现小于一纳米的分辨率。同时，光学技术的几何限制特性不会强加在芯片设计上，对加工材料和设备的相对定位要求也简单得多。

由于纳米芯片印刷设备比当前的 EUV 光学光刻扫描仪便宜五倍，因此制造商可以以更低的成本取得类似的成功。重要的是要了解，纳米印刷技术并不能在存储芯片生产的所有阶段取代传统光刻，但它至少会降低单个技术操作的成本。至少，美光代表对此深信不疑。