应用材料公司推出了最新的 IMSTM（Integrated Materials Solution），该解决方案将六种不同的技术整合到一个高真空系统中，其中包括一种业界首创的材料组合，可帮助芯片制造商将铜布线扩展到 2nm 节点及以下。该解决方案是一种钌和钴 (RuCo) 的二元金属组合，可同时将衬里厚度减少 33% 至 2nm，为无空洞铜回流提供更好的表面特性，并将电线电阻降低高达 25%，以提高芯片性能和功耗。

重点是改善布线并改善布线上的电介质。随着特征的缩小，将铜线放入沟槽而不产生所谓的空隙（空隙中有一部分没有铜进入）变得越来越困难。这也会影响电阻和产量。电阻问题在每一代芯片中都会再次出现。

现在，该公司正改用钌和钴的组合作为铜和薄膜之间的衬里。它可以将衬里厚度减少多达 33%。结果是沟槽中有更多的空间容纳铜，从而加宽了有效导线，降低了电阻。性能提高了。结构中这些部分的宽度是微观的，因此良率更高。

所有领先的逻辑芯片制造商均已采用采用 Volta 钌 CVD（化学气相沉积）技术的全新 Applied Endura 铜阻挡层种子 IMS，并已在 3nm 节点开始出货。

【关注】盛美上海：使用SFP工艺可以对钌表面进行电解氧化，然后再使用稀氢氟酸刻蚀，可以达到无机械应力情况下很好的钌金属层去除效果，解决了微细铜线及周边介电质材料的破坏难题。该技术可用于5nm及3nm技术节点以下的铜互连工艺。