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当光刻机性能不足时,多重曝光是变相提升芯片制程的唯一办法
无名小韭19870918
2024-09-18 23:47:25 陕西省
不同型号光刻机有着相对应的光刻精度,比如AS­ML的1980Di光刻机,适合制造28nm,但引入“多重曝光”技术后,1980Di型号光刻机也可以生产14nm,甚至7nm制程芯片

这意味着我们可以通过低端光刻机+多重光刻技术可以提高芯片制程。

按照公布一代,测试一代,研发一代。

此次公布65nm光刻机,是否意味着28nm,甚至14nm的也在路上。

65nm四重曝光可以实现14nm,只要制程在提升一个等级用多重曝光就可以实现7nm。

要不然华为的芯片从哪里来的呢?

什么是多重曝光?

为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点,在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术,如LE­LE(li­t­ho-et­ch-li­t­ho-et­ch)、SA­DP(se­lf al­i­g­n­ed do­u­b­le pa­t­t­e­r­n­i­ng)。LE­LE技术将给定的图案分为两个密度较小的部分,通过蚀刻硬掩模,将第一层图案转移到其下的硬掩模上,最终在衬底上得到两倍图案密度的图形;SA­DP技术通过沉积和刻蚀工艺在心轴(ma­n­d­r­el)侧壁上形成间隔物,经由额外的刻蚀步骤移除心轴,使用间隔物定义最终结构,使得特征密度增加了一倍。

 
根据华安电子研报,先进光刻机受限的背景下,先进制程扩产生产需要多重曝光技术反复涂胶-光刻-显影-刻蚀等工艺流程以达到更小线宽。
 
四重曝光技术有几大增量:

大硅片、光刻胶、掩膜板、清洗和刻蚀设备

前三者是消耗品

但是大硅片和清洗刻蚀设备多数都是机构重仓

光刻胶和掩模版用量是单次光刻的2~4倍

但是考虑到四重曝光只有 20% 良品率

实际耗材消耗应该是 10~20 倍的关系了。

冠石科技司2023年5月17日公告,拟投资20亿元建设45—28nm成熟制程的半导体光掩膜版制造项目。2023年6月2日公告拟定增募资不超过8亿元,用于光掩膜板制造项目。

项目负责人陈新晋系台积电首批参与掩模版生产人员。冠石科技拟新建掩膜版项目,建设期5年,全尺寸布局,主要集中在28-45nm,是国内目前最先进的掩膜版产商,预计明年下半年开始投产45nm,1000片/月,1.2w片/年。技术团队全球顶级,掩膜版总负责人出身张汝京团队(陈新晋),张汝京是中芯国际创始人(青岛芯恩也是由他创立),中国芯片之父,同时项目的生产技术人员有台积电背景,也代表着全球最强的代工技术之一。

项目技术风险几乎为零,所有技术难度都已经打通,设备已进场。

 

 

冠石科技现有主营业务直接受益于面板行业的复苏,且有产品供应华为、苹果手机。

公司主营面板偏光片业务(对标三利谱),伴随行业景气度回升以及客户新拓展,今年中报营收已大幅回暖。;

新增项目增量敏感性测算:

1)根据公司公告,未来将投建光刻机半导体级掩模板项目,以布局制程45-28nm产品为主,届时产品技术将达到国内第三方掩模板最先进技术行列;

2)根据公开信息,公司预计项目达产后可实现8.5亿收入,2.1亿利润,从行业同比公司调研信息反馈来看,项目营收规模和净利率符合行业经验。

3)项目分两批投建:

第一节点为25年,将率先覆盖45nm及以上的产品,满产预计对应25年项目利润保守1亿+,给予60倍估值,对应60亿新增市值;

第二节点为28年,项目完全达产,制程到达28nm,以2.1亿净利率考虑,给予50倍估值,则新增100亿市值。

综上所述,公司对比现在的25亿的市值,存在非常大的边际,国产替代一直在持续,而公司也是少数拥有45nm,28nm的产品的公司,所以只多不少。

在《三体》里

三体人用智子封锁了地球科技发展的天花板

今天欧美就想用极紫外光刻机封锁我们在芯片领域的天花板

让我们的芯片制程原本最多可以到14nm

多重曝光技术尤其是四重曝光技术让我们突破了欧美对于我们最高端芯片的封锁

为我国加速研制极紫外光刻机赢得了极为宝贵的时间

在为追平国外光刻机技术之前,掩膜版都会持续的有巨大需求!

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