一、主营业务
公司是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。公司热制程设备主要包括硼扩散、磷扩散、氧化及退火设备等，镀膜设备主要包括 LPCVD 和PECVD 设备等，自动化设备为可以有效提升工艺设备生产效率的配套上下料设备；公司半导体分立器件设备主要包括氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列具有比较优势的产品；公司配套产品及服务是公司根据客户的需求为销售的设备适配相应零部件及提供改造服务，属于客户对公司设备产品所产生的延伸需求。
公司是第八批国家级制造业单项冠军企业、国家级专精特新“小巨人”，并荣获第二十三届及第二十四届中国专利优秀奖、2023 年度深圳市科学技术奖科技进步奖、广东省工程技术研究中心等荣誉。
1、光伏电池片领域
降本增效是推动光伏产业不断发展的内在牵引力，其中以提升光电转换效率为目标的光伏电池片技术变革是推动降本增效的关键举措之一。2015 年至 2020年，光伏电池片经历了 BSF 到 PERC 的应用技术迭代；2021 年以来，以 TOPCon、XBC、HJT 为代表的新型高效光伏电池片技术开始逐步进入规模化应用阶段。在光伏电池片技术的变革过程中，设备是支撑工艺和产能落地的基础和核心，新设备技术需要均衡成本、性能等核心要素，因此设备厂商需要与下游客户紧密配合，根据新的工艺特点提供兼顾成本、效率的系统性解决方案，具有较高的技术和产品壁垒。
公司持续聚焦高效光伏电池片高性能热制程和镀膜等关键核心工艺设备，凭借对行业变革和客户需求深刻的理解、优秀的技术研发团队，在高效光伏电池片核心工艺设备方面已建立起核心竞争优势，产品受到了下游行业领先企业的广泛认可，并实现大规模量产和出货。
在光伏电池片核心工艺设备方面，拉普拉斯利用核心技术应用，通过不断创新持续满足下游客户的多项需求，包括：①使用气态硼源，结合低压氛围、高温等特点攻克工艺难题，率先实现硼扩散设备规模化量产和应用，突破 N 型电池片量产工艺瓶颈；②率先实现光伏级大产能 LPCVD 大规模量产，可高质量满足高效光伏电池片隧穿氧化及掺杂多晶硅层制备的工艺需求；③自研水平放片工艺，有效提升产能，满足大硅片、薄硅片的生产需求，降低成本；④自主设计和生产核心零部件热场，创造性地进行非对称设计，实现精准控温，提高光伏电池片效率和良率，并提升设备可靠性等。2020 年及 2022 年，公司 PECVD 设备和 LPCVD设备分别入选深圳市“首台套重大技术装备扶持计划”；2022 年，公司 LPCVD设备入选江苏省“首台（套）重大装备”。凭借具有优势的核心技术、对客户需求的深层次了解以及稳定可靠的产品品质，公司的光伏电池片工艺设备已进入包括隆基绿能（601012.SH）、晶科能源（688223.SH）、爱旭股份（600732.SH）、钧达股份（002865.SZ）、中来股份（300393.SZ）、横店东磁（002056.SZ）、正泰新能、合盛硅业（603260.SH）、协鑫集成（002506.SZ）、林洋能源（601222.SH）等众多光伏行业内领先企业，形成了规模化的交付数量和营业收入。公司将根据行业发展趋势和下游客户需求，持续巩固并开发优质客户，持续积累技术和产品创新能力，为光伏行业持续降本增效，为中国光伏产业保持全球领先，作出更多的努力。
2、半导体分立器件领域
公司凭借技术积累，并结合市场客户的需求，开始逐步进入半导体分立器件设备领域，形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列具有比较优势的产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。
在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于 SiC 基半导体器件生产工艺；公司 LPCVD 设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。
随着产品和技术的不断成熟，公司半导体分立器件设备已完成向比亚迪、基本半导体的导入工作，并持续进行潜在优质客户的拓展。
（二）主要产品基本情况
公司根据客户的产品和技术需求为客户提供热制程（扩散、氧化、退火等）、镀膜（LPCVD、PECVD 等）等工艺设备，在此基础上还可以根据客户的设备适配需求为客户提供配套自动化设备，相关设备的应用领域集中在光伏电池片和半导体分立器件制造。
1、光伏电池片设备
公司光伏电池片核心工艺设备主要应用于高效光伏电池片生产制造核心工艺环节，光伏电池片主要结构及对应的设备如下：
光伏电池片核心工艺设备决定了光伏电池片的结构质量，会直接影响光电转换效率，并最终影响下游产业链的成本。
新型高效电池片技术路线中 TOPCon 和 XBC 已率先完成大规模量产，公司已成为相关技术路线厂商热制程、镀膜及自动化设备的核心供应商，获得下游主流客户的高度认可。
2、半导体分立器件设备
根据市场客户的需求和技术积累，公司逐步进入半导体分立器件设备领域，已形成富有特色和市场竞争力的产品。
3、配套核心零部件
公司根据客户的生产需求痛点、自身产品的工艺需求，并结合国产替代的切实需求，逐步自主研发与制造以热场为代表的核心零部件，可以有效提升公司工艺设备性能并降低成本。报告期内，公司配套核心零部件主要自用。
（三）主营业务收入的构成及特征
报告期内，发行人营业收入构成情况如下：
二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况
（一）公司所属行业及依据
公司是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。公司热制程设备主要包括硼扩散、磷扩散、氧化及退火设备等，镀膜设备主要包括 LPCVD 和PECVD 设备等，自动化设备为可以有效提升工艺设备生产效率的配套上下料设备；公司半导体分立器件设备主要包括氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列具有比较优势的产品；公司配套产品及服务是公司根据客户的需求为销售的设备适配相应零部件及提供改造服务，属于客户对公司设备产品所产生的延伸需求。
根据《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定》（2022年修订），公司属于“高端装备领域，主要包括智能制造、航空航天、先进轨道交通、海洋工程装备及相关服务等”科技创新企业；根据《国民经济行业分类与代码》（GB/T4754-2017），公司所处行业隶属于“电气机械和器材制造业”下的“光伏设备及元器件制造（3825）”；根据国家统计局 2018 年 11 月颁布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司所处行业为太阳能设备和生产装备制造，属于新能源产业，具体为：“6、新能源产业”中的“6.3 太阳能产业”中的“6.3.1太阳能设备和生产装备制造”中的“3825 光伏设备及元器件制造”，属于战略性新兴产业。具体对应关系如下：
三、行业情况
1、光伏发电的基本原理及影响效率的核心要素
（1）光伏发电的基本原理
光生伏特效应（即“光伏效应”）是指当物体受到光照时，因光能被吸收，电子发生跃迁，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。
根据半导体的特性，半导体中有电子和空穴两种电流载体（指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，简称“载流子”），其中电子带负电、空穴带正电，半导体材料中某种载流子占大多数，则称它为多子，占小部分的即为少子。硅片最基本的材料是“硅”，纯净的硅不导电，但可以通过在硅中掺杂来改变特性：在硅晶体中掺入硼元素，即可做成 P 型硅片；掺入磷元素，即可做成 N 型硅片。因硼元素和磷元素价位特点不同，P 型硅片中空穴作为多子主要参与导电，电子是少数载流子（少子）；N 型硅片中电子作为多子主要参与导电，空穴是少子，上述 P（Positive，正电）和 N（Negative，负电）即根据硅片多子的正负电情况进行的命名。PN 结（结是指交叉，译自英文“PN junction”）是光伏电池片的基本结构单元，其通常形成于同一块硅片中 P 型区域和 N 型区域的交界处，可以通过向 P 型硅片表面扩散磷元素或者向 N 型硅片表面扩散硼元素制得。光伏电池片发电即是利用 PN 结位置产生的自由电子的电位差来产生电流，当太阳光照射在电池片表面时，电子吸收能量变为移动的自由电子，同时在原来的位置形成空穴，自由电子受到内电场的作用会向 N 区移动，同时对应空穴向 P 区移动，当连接电池正负极形成闭合回路时，自由电子受到内电场的力从 N 区经过导线向 P 区移动，在外电路产生电流。
（2）影响光伏发电效率的核心要素
光伏发电的本质是将光能转化为电能，因此减少光学损失和电学损失是提升光伏电池片转换效率的两个关键方向。
光学损失产生的主要原因是材料表面的反射及遮挡损失，包括电池片前表面和背表面的反射以及组件玻璃的反射、电池栅线的遮挡等。目前减少光学损失的主要方法包括：①利用化学方法对硅片表面进行腐蚀，形成绒面，增加陷光作用；②制备减反膜降低反射率，例如玻璃减反膜、电池表面的氮化硅减反膜；③优化电池栅线，减少栅线遮挡损失，例如使用多主栅及新型高效的 XBC 电池技术。目前，制绒、减反膜、多主栅等技术目前应用已较为广泛，发展较为成熟，XBC电池技术正在进入快速发展阶段，XBC 电池的 PN 结和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子。
电学损失产生的主要原因是光伏电池片体内及表面电子和空穴的复合，复合率越低，光电转换效率就越高。电池片表面的表面态（悬挂键、杂质、晶格失配和损伤层等）以及电池片内部存在的杂质，它们都会成为载流子的复合中心。对于解决材料本身的内部缺陷及杂质等引起的问题，单晶硅要优于多晶硅，N 型电池要优于 P 型电池；对于电池表面的复合中心，通过改变光伏电池的结构，如引入钝化膜（主要为 Al2O3、SiNx）、隧穿氧化及掺杂多晶硅层等方式，可以有效延长电池片内部少子寿命，减少复合导致的电学损失。随着单晶硅片已基本取代多晶硅片以及以 Al2O3、SiNx 为代表的钝化膜技术在此前的 PERC 技术也已经得到普遍应用，在材料方面引入 N 型硅片衬底及电池片结构方面进一步加强钝化效果（如引入隧穿氧化及掺杂多晶硅层）是目前进一步降低电学损失的成熟有效方式，应用该等改善材料和进行结构改变的包括了 TOPCon、XBC 及 HJT 等新型高效光伏电池片技术。
2、光伏行业是中国具备全球优势的战略新兴产业，全球市场规模呈快速增长趋势
（1）光伏产业链情况
在全球低碳的产业政策引导和市场需求的双轮驱动下，中国光伏产业实现了快速发展，已经成为中国可参与国际竞争并取得领先优势的战略性新兴产业，也是中国产业经济发展的一张崭新名片和推动我国能源变革的重要引擎。
当前中国已经形成了从工业硅、高纯硅材料、硅锭/硅棒/硅片、电池片、组件、逆变器、光伏辅材辅料、光伏生产设备到系统集成和光伏产品应用等全球最完整的产业链，并且在各主要环节均形成了一批世界级的领先企业。中国光伏产业链具备显著的技术水平高、效率高、成本低和上下游配套健全等优势，中国光伏供应链对全球光伏产业发展具有重要的影响力，中国光伏企业持续领导全球产业供应格局。光伏产业的具体产业链及对应的设备需求情况见下图：
公司产品主要应用于光伏产业链的电池片生产环节，为光伏电池片制造厂商提供高性能热制程（扩散、氧化、退火等）、镀膜（LPCVD、PECVD 等）以及配套自动化设备，深度参与客户高效电池片制造方案，并成为核心工艺设备供应商。降本增效是光伏产业发展过程中最重要的目标，公司作为高效光伏电池片核心工艺设备供应商，可以为上述目标做出更多的贡献。
（2）光伏行业规模及发展态势
①全球光伏市场规模及需求
随着生态环境问题日益显现，为应对气候变化的不利影响，1992 年联合国环境与发展大会期间全球 150 多个国家以及欧洲经济共同体共同签署了《联合国气候变化框架公约》，旨在减少温室气体排放。1997 年《京都议定书》正式签订，以法规的形式限制温室气体排放。为控制温室气体排放、保护地球家园，2016年签署的《巴黎协定》规定把全球平均气温升幅控制在工业化前水平以上低于 2摄氏度以内的基础目标和 1.5 摄氏度之内的进一步努力目标。
IRENA 根据《巴黎协定》制定的目标进行测算，2050 年之前，与能源有关的二氧化碳排放量需要每年减少 3.5%左右，并在此后持续减少，因此能源的结构组成和变革对于实现气候目标将起到决定性作用，清洁能源的使用势在必行。鉴于能源载体、技术、成本等方面的优势，太阳能和风能作为最主要的清洁能源，正在引领全球电力行业变革，对传统化石燃料发电形成了有效替代。
根据 IRENA 数据，2010 年至 2022 年期间，光伏发电度电成本由 2.75 元/KWh（根据当年末美元兑人民币即期汇率折算，下同）下降至 0.34 元/KWh，累计下降 87.64%。根据 IRENA 数据，2010 年中国煤电发电成本为 0.33 元/KWh；根据Bloomberg 数据，2021 年及 2022 年，中国煤电发电度电成本分别为 0.43 元/KWh及 0.55 元/KWh（2020 年以来，煤炭价格波动幅度较大）。2022 年光伏发电度电成本已低于 2010 年煤电发电的成本水平，光伏发电相较于传统能源发电已具备经济性。
根据 IRENA 预测，未来可再生能源将逐步取代传统能源，占整体能源消耗量的 50%，其中光伏发电将占总电力需求的 25%。为了实现 2050 年“零排放”的目标，2030 年可再生能源装机量需达到 2020 年的三倍；到 2050 年，至少有70%的发电量来自于光伏、风电等可再生能源，可再生能源装机量需达到28,000GW。
根据国际能源署（IEA）发布的《全球能源行业 2050 净零排放路线图》统计数据，2030 年之前，全球太阳能光伏每年新增装机 630GW；到 2030 年全球光伏及风能累计装机量有望达到 4,120GW；到 2050 年，全球实现净零排放，近90%的发电将来自可再生能源，其中太阳能和风能合计占近 70%，全球光伏及风能累计装机量将进一步增加至 18,088GW。
太阳能凭借其无噪声、无污染、无地域限制、分布广泛、取之不尽、用之不竭、易于获得等优点，成为最有发展前途的可再生能源之一。因此世界主要能源消耗国家高度重视光伏产业的发展，陆续出台了相应的产业支持政策，以支持本国光伏产业发展。
2010 年以来，全球光伏产业进入了高速发展期，光伏年装机量快速增长，上游相关行业也得到迅速发展。2011 年至 2022 年间，全球年度光伏新增装机量和累计装机量大幅增长，其中，新增装机量由 2011 年的 30.2GW 增加至 2022 年的230GW，增长超过 6 倍。根据CPIA数据，2023 年全球光伏新增装机量为390GW，较 2022 年水平进一步大幅提升；根据 InfoLink 预测，2030 年新增装机量将达到1,000GW（1TW）。
根据国家能源局发布的数据，中国光伏发电量占总发电量的比例已由 2015年的 0.70%提升至 2022 年的 4.80%，呈现显著提升趋势。根据国家发改委能源研究所发布的相关报告，预计 2035 年中国光伏发电量占社会用电量的 28%；2050年，光伏将成为中国第一大电源，光伏发电量占社会用电量的 39%。根据国际能源署（IEA）数据，2022 年全球光伏发电量占总发电量比例约为 4.5%；国际能源署（IEA）预计 2030 年光伏发电量占总发电量比例将达到约 21%，2035 年占比将达到约 32%，2050 年占比将达到约 40%。因此，光伏发电拥有持续增长空间，前景广阔。从全球来看，在新的能源格局背景下，各国陆续制定了更为积极严格的“零碳排放行动计划”，光伏行业将进一步加速发展。受煤炭、石油天然气等化石能源价格大幅上涨影响，光伏发电的经济性愈发明显，主要经济体纷纷上调光伏装机目标。2022 年 5 月，欧盟委员会发布了 REPowerEU 计划，计划在“减碳 55%”（Fit for 55）一揽子计划基础上，额外投资 2,100 亿欧元推广清洁能源，并将 2030 年实现的可再生能源目标从 40%提高到 45%；根据欧洲太阳能协会（SPE）公布的《能源独立建议书》，推出 8 项举措推动太瓦级光伏目标，将 2030 年欧洲光伏装机预期由 672GW 调高至 1,000GW，年均新增 90-100GW。2021 年 2 月，美国政府宣布重返《巴黎协议》，并承诺“到 2035 年，通过向可再生能源过渡实现无碳发电；到 2050 年，让美国实现碳中和”；2022 年 8 月美国参议院通过规模高达 3,690 亿美元的气候投资法案，其中包括促进清洁能源税收抵免以及鼓励光伏制造业发展等政策，根据美国调研机构 Wood Mackenzie 公司发布的研究报告，预计美国光伏装机量比原预测增加 66%，到 2030 年有望每年增加 70GW。印度、日本等国家的光伏装机目标亦大幅提升，在中东和南美地区，由于光照条件优越，光伏性价比较高，发展潜力巨大。
②我国光伏市场规模及需求
我国积极投身全球范围绿色低碳转型，并先后签署《联合国气候变化框架公约》《京都协定书》《巴黎协定》等国际公约。2020 年 9 月中国提出“双碳”目标，二氧化碳排放力争于 2030 年前达到峰值，于 2060 年前实现碳中和；到2030 年，中国单位国内生产总值二氧化碳排放将比 2005 年下降 65%以上，风电、太阳能发电总装机容量将达到 12 亿千瓦以上。
在我国“双碳”目标背景下，光伏作为近年我国增速最快的新能源，战略地位日益凸显。根据国际能源署数据，2012-2022 年，我国光伏发电量复合增长率达 61.30%，增长速度大幅领先其他清洁能源。随着分布式光伏整县推进以及风光大基地规划建设的加速落地，国内光伏产业迎来新一轮发展机遇。考虑到未来硅料新增产能逐步释放，供应链紧张程度缓解，加之电池转换效率的进一步提升，将有效带动组件成本下降，预计分布式和集中式装机规模有望快速提升。
据国家能源局数据，2022 年我国光伏新增装机 87.41GW，较 2021 年的54.88GW 新增装机增加 32.53GW，增幅达到 59.26%。据 CPIA 数据，2023 年我国新增装机量达到 216.88GW，新增装机水平较 2022 年进一步大幅提升。
（四）半导体分立器件行业的发展情况
分立器件是指具有单独功能且功能不能拆分的电子器件，主要功能为实现各类电子设备的整流、稳压、开关、混频、放大等，具有广泛的应用范围和不可替代性，是半导体产业的基础及核心领域之一。随着集成电路的集成度越来越高，半导体产品的性能、稳定性逐步提高，但出于线路结构、集成难度和成本、稳定性等各方面综合考虑，对于一些难以集成的特定功能（如高速开关、稳压保护、瞬态抑制和大电流、高电压、低功耗等应用场景），仍需要大量使用各种分立器件来完成。
1、第三代半导体前景广阔
（1）SiC 技术水平和特点、市场规模以及市场格局
底衬方面，相比传统硅基，属于第三代半导体的宽禁带材料（SiC、GaN）能在耐压和开关频率上获得更好的器件性能，逐步替代硅基器件成为高压高频应用领域的市场主流；以电压场景来分，0-300V 区间内硅材料占据成本方面优势，300V-600V 区间是 GaN 材料的优势领域，600V 以上的高压区间内 SiC 占据主要优势。
就 SiC 器件而言，其主要应用领域包含电动汽车、电力供应、光伏、UPS通信、轨道交通以及航天军工等；受益于全球电动汽车的快速发展以及 SiC 高电压、大电流、高温、高频率、低损耗的优势，预计电动汽车将成为牵引 SiC 需求快速增长的最大来源。在此基础上，根据 Yole 预计，2022 年全球 SiC 市场规模达 15.34 亿美元，同比增长 40.72%，预计到 2027 年市场规模可达 62.97 亿美元，2021~2027 年复合增速超 30%，SiC 器件仍处于加速起步阶段。
碳化硅功率器件的主要应用领域为汽车，据 Yole 数据，2021 年碳化硅功率器件下游应用于汽车行业的市场份额高达 63%，并将于 2027 年进一步提升至79%。SiC 器件在新能源汽车中的主要应用模块为主驱逆变器、车载充电器（OBC）、电源转换系统（DC/DC 转换器）和直流充电桩。据全球 SiC 领域龙头厂商Wolfspeed 预测，2026 年电动汽车中逆变器应用场景所占据的 SiC 单车价值量约为 83%，为价值量占比最大的部分；其次为 OBC，价值量占比约为 15%；最后为 DC/DC 转换器，价值量占比约 2%。将 SiC 应用于主驱逆变器、车载充电器、DC/DC 转换器和直流充电桩分别的优势整理如下图所示：
（2）SiC 器件的市场参与者
目前，全球碳化硅器件市场仍主要以海外厂商主导，国产厂商市占率低。据Yole 数据，2021 年全球市场份额由海外巨头意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美、三菱电机等厂商主导，前三大厂商占据 79%的市场份额。在此背景下，目前国内新能源汽车行业所用碳化硅功率器件的供应商亦以海外厂商为主，国产化率较低。以“造车新势力”中的蔚来和极氪为例，据安森美 2022 年 5 月消息，蔚来汽车为其下一代电动汽车选择了安森美最新的 VE-Trac Direct SiC 功率模块；据吉利汽车旗下极氪智能科技 2023 年 4 月消息，其与安森美签署了长期供货协议，由安森美为其供应碳化硅功率器件。
在上游设备方面，碳化硅设备的国产化率整体也较低。据开源证券研究所2023 年 2 月研报统计，碳化硅设备中高温氧化炉和高温退火炉均主要由海外厂商 Centrothem 和 ULVAC 供应，其中高温氧化炉国产化率约 20%；据财信证券研究所 2023 年 7 月研报统计，2022 年度半导体设备中 CVD 设备的国产化率仅为5%-10%。
在产业机会方面，中国电动汽车产业在全球处于领先地位，是最大的汽车市场以及汽车生产国，随着 SiC 器件在汽车上面的应用逐步拓宽，将成为国内发展本土 SiC 产业的重要优势。
2、中国第三代半导体设备行业仍处于起步阶段，具有巨大市场机会半导体设备是半导体产业链的核心组成部分之一，属于半导体产业链的技术先导者，并通过“设备-工艺-产品”的链条决定了下游工艺的先进性、成熟性和最终产品的品质。根据行业内“一代设备，一代工艺，一代产品”的经验，设备、工艺和产品的相互配合共同推动产业链的迭代发展。半导体设备研发周期较长、投入较大、需要多方向的技术人才，加上客户侧的验证、导入具有较高的要求和需要较长的时间，因此具有较高的进入门槛和壁垒。
在第三代半导体设备方面，以美国应用材料、拉姆研究为代表的半导体设备领先厂商凭借深厚的技术积累仍占据着技术领先优势，是目前行业的主要参与者和引领者。
依托于中国新能源汽车市场的优势，目前中国本土 SiC 产业正在规模和技术上进行追赶，预计国内 SiC 产业规模将迎来持续的增长，也将会推动国内厂商提升在国产设备方面的资本化支出，为公司在内的行业参与者带来越来越多的市场机会。
2、行业内的主要企业
（1）光伏行业
中国光伏产业所需设备已基本实现了国产替代，中国光伏设备在全球竞争中占据较大优势。
公司聚焦高效光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备，热制程设备主要包括硼扩散、磷扩散、氧化及退火设备，镀膜设备主要包括LPCVD 和 PECVD 设备，其中硼扩散设备和 LPCVD 是高效光伏电池片新增核心工艺所需的设备。公司的行业内竞争对手主要包括捷佳伟创（热制程、镀膜）、北方华创（热制程、镀膜）、微导纳米（镀膜）、红太阳光电（热制程、镀膜）、理想晶延（热制程、镀膜）等。行业内企业具体情况如下：
（2）半导体行业
半导体设备领域中，以 AMAT 为代表的国外企业占据绝对的规模和技术优势，中国企业和国际巨头之间在各方面均存在较大的差距。国内企业中热制程和镀膜设备领域的企业中涉及半导体分立器件及第三代半导体的代表为北方华创。行业内企业具体情况如下：
在半导体领域，公司目前主要聚焦第三代半导体SiC基半导体器件生产工艺所需要的高温氧化设备和高温退火设备。现阶段，SiC仍处于产业发展的起步阶段，产业规模尚小，且相关产业链由国外主导，以美国应用材料和拉姆研究为代表的主要设备厂商也集中在国外。由于产业规模尚小，而SiC高温氧化设备和高温退火设备仅为生产工艺中一环，业务占相关设备厂商的比例也很小，经查询，未有相关报告及设备公司官网进行指标披露，因此无法直接做指标对比。
五、发行人报告期的主要财务数据及财务指标
2024年2季度 2023年度
营业总收入(元) 25.41亿 29.66亿
净利润(元) 3.52亿 4.11亿
扣非净利润(元) 3.17亿 3.59亿
发行股数 不超过过40,532,619股，超额配售选择权:
发行后总股本不超过过于过于405,326,189 股
行业市盈率:24.93倍(2024.10.13数据)
同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):13.66(捷佳伟创)、49.82(北方华创)、41.50(微导纳米)去除极值34.99
同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):9.10(捷佳伟创)、34.93(北方华创)、130.96(微导纳米)去除极值22.02
公司EPS静态不扣非:1.01
公司EPS静态扣非:0.89
公司EPS动态不扣非:1.74
公司EPS动态扣非:1.56
公司EPSTTM不扣非:1.58
公司EPSTTM扣非:1.41
拟募集资金180,000.00万元,募集资金需要发行价44.41元,实际募集资金:7.13亿元.
募集资金用途: 1光伏高端装备研发生产总部基地项目2半导体及光伏高端设备研发制造基地项目3补充流动资金
10月发行新股数量5支。9月发行新股数量7支。
是否有战略配售: 本次发行最终战略配售数量为 422.1169 万股，占发行总数量的 10.41%。
是否有保荐公司跟投:本次获配股数 2,026,630 股。
(科创板)
行业市盈率:24.93倍(2024.10.13数据)
行业市盈率预估发行价:22.19元，可比公司预估市盈率发行价静态:31.14元，可比公司预估市盈率发行价动态:19.60元。
实际发行价:17.58元,发行流通市值:7.13亿,发行总市值:71.23亿
价格区间:38.31元,最高:60.78元,最低:15.83元.是否有炒作价值:
动态行业市盈率预估发行价:43.38元。
上市首日市盈率:10.10(动)、11.13(TTM)倍.行业市盈率是否高估: 可比公司市盈率是否高估:
公司EPS动态不扣非:1.74公司公司EPSTTM不扣非:1.58
EPSPE
同行业可比公司静态市盈率估值(不扣非):9.10(捷佳伟创)、34.93(北方华创)、130.96(微导纳米)去除极值22.02
发行公告可比公司:拉普拉斯、捷佳伟创、微导纳米、迈为股份、北方华创。
是否建议申购: 估值没有问题，理论不存在破发的概率。
上市首日开盘价:溢价%，市盈率。是否破发:
行业:软件和信息技术服务业、智慧农业。
电力设备 -- 光伏设备 -- 光伏加工设备
所属地域：广东省
主营业务：光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售。
产品名称：低压水平硼扩散设备 、低压水平磷扩散设备 、低压水平氧化/退火设备 、低压水平化学气相沉积镀膜设备（LPCVD） 、等离子增强化学气相沉积镀膜设备（PECVD） 、扩散/LPCVD/PECVD自动上下料设备 、SiC基半导体器件用超高温氧化炉 、SiC基半导体器件用超高温退火炉 、半导体器件用LPCVD 、真空钎焊炉 、热场 、涂层石英管
关键词:公司是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。
1、光伏电池片设备:热制程设备(低压水平硼扩散设备、低压水平磷扩散设备、低压水平氧化/退火设备)、镀膜设备(低压水平化学气相沉积镀膜设备（LPCVD）、等离子增强化学气相沉积镀膜设备（PECVD）)配套自动化设备(扩散/LPCVD/PECVD自动上下料设备)
2、半导体分立器件设备:(SiC 基半导体器件用超高温氧化炉、SiC 基半导体器件用超高温退火炉、半导体器件用LPCVD、真空钎焊炉)
3、配套核心零部件(热场、涂层石英管)
硼扩散设备领域竞争对手:拉普拉斯、捷佳伟创、北方华创 。
LPCVD 设备领域竞争对手:拉普拉斯、捷佳伟创、北方华创、微导纳米。
发行价:17.58元。
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风险揭示:股市有风险,投资需谨慎.请您务必对此有清醒的认识,认真考虑是否进行证券交易.投资建议内容仅供参考,不构成直接买卖建议,投资者须对其投资行为进行独立判断。
