1、新洁能,国内领先 MOSFET 功率器件生产商,主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。公司的主要产品是MOSFET、IGBT等半导体功率器件,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。2019年功率器件营收5.69亿,占比73.65%,芯片2.02亿,占比26.21%。
2、新洁能,国内领先MOSFET功率器件生产商,主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研生销,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件,主要产品为沟槽型功率MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半导体功率器件,已拥有覆盖 12V~1350V 电压范围、0.1A~350A 电流范围的多系列细分型号产品,是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET 产品系列最齐全的设计企业之一。公司产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。其中,沟槽型功率 MOSFET 和屏蔽栅功率 MOSFET 主要用于手机周边、平衡车等消费电子领域以及电动车控制器、电动车大功率充电器等电动车领域,超结功率 MOSFET 主要用于 LED 照明、HID 灯等照明领域以及 TV 电源、服务器电源等消费电子领域,其他类型产品主要用于电动工具、工业电机等工业电子领域。 公司新产品开发能力强,产品导入市场速度快,已经掌握屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT 等特色工艺技术,并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司积极延伸所处产业链,逐步进入半导体功率器件的封装测试领域。目前,公司已初步建成先进封装测试生产线,实现少部分功率器件的自主生产。
3、公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一,是国内 8 英寸先进工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一,也是国内半导体功率器件行业内最早专门从事 MOSFET、IGBT 研发设计的企业之一。同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一,2016 年、2017 年分别占国内 MOSFET 市场份额比例分别为2.88%、2.83%,2018 年在国内 MOSFET 等功率器件市场占有率 3.65%,排名前列。 公司在中国半导体行业协会发布的 2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年中国半导体功率器件企业排行榜中,公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。在中国半导体行业功率器件十强企业中,公司为唯一一家主要基于先进的 8 英寸晶圆片工艺平台、且专门从事 MOSFET 和 IGBT 等半导体功率器件研发设计、并主要采用 Fabless 模式的非上市企业。 公司积极拓展产业链,逐步进入半导体功率器件封装测试领域。目前,公司已初步建成先进封装测试生产线,实现少部分功率器件的自主生产。公司在掌握了芯片设计、封装测试等产业链上下游环节技术后,可以进一步实现市场拓展。
4、MOSFET 系列产品和 IGBT 系列产品国内技术领先,进口替代空间较大。目前我国半导体分立器行业已逐步对国外产品形成进口替代,2018 年我国半导体分立器件进口金额为 285.0 亿美元,在中美贸易摩擦背景下,随着国内厂商逐渐突破高端产品技术瓶颈,进口替代效应有望进一步增强,预计 2021 年我国半导体分立器件市场需求将达到 3,010.6 亿元,同时 MOSFET 和 IGBT 模块将是各类半导体功率器件组件中增长最快的模块。在 MOSFET 领域,预计到 2022 年,全球 MOSFET 市场规模将接近 75 亿美元,且汽车应用领域需求将超越计算机和数据存储领域,目前国内功率 MOSFET 市场主要厂商是由国外厂商英飞凌、安森美占据,市占率合计近 50%,这一领域的进口替代空间巨大。而 IGBT 这是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件,成本占新能源汽车整车成本的 10%,占充电桩成本的 20%,预计未来五年我国新能源汽车和充电桩市场将带动 200 亿元 IGBT 模块的国内市场需求。我国 IGBT 起步整体较晚,未来进口替代空间巨大。
5、行业:
(1)从半导体行业来看,我国半导体行业的市场需求不断扩大。2011 年,我国半导体行业的市场需求规模约为 9,238.8 亿元,至 2018 年市场需求规模达到 18,731.6 亿元,市场需求的年均复合增长率达 10.63%,呈现快速增长态势。随着国家对半导体产业的相关鼓励政策持续推出以及下游行业迅速发展等多重利好因素的推动,国内半导体市场将迎来更广阔的前景,市场需求将保持高速增长。根据中国半导体行业协会预测,2019年至 2021 年我国半导体市场需求将有望分别达到 19,004.4 亿元、20,142.00 亿元和 22,770.9 亿元。在全球半导体市场步入下行周期的大环境下,2019 年中国半导体市场增速预期下降,2019 年同比增长率预计为 .5%。但根据上述预测,2020 年及 2021 年半导体市场同比增速将分别扩大至 5.99%和 13.05%。
(2)从半导体分立器行业来看,分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示,近几年来,分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在 22%-25%。据中国半导体行业协会统计数据显示,2017 年我国半导体分立器件市场规模已达到2,473.9 亿元,2018 年,我国半导体分立器件全年销售规模已达 2,658.4 亿元,较 2017 年增长 7.50%。从市场需求来看,2011 年至 2018 年国内半导体分立器件市场需求保持了 11.41%的年均复合增长;2018 年国内半导体分立器件市场需求达到 2,699.8 亿元,同比 2017 年的 2,458.1 亿元增长率达到 9.8%,继续保持着高速增长趋势。其中,半导体功率器件仍是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。内半导体分立器件保持高速增长。根据中国半导体行业协会预测,2019 年中国半导体分立器件市场需求将达到 2,662.0 亿元,市场需求预期略有下滑;到 2021 年分立器件的市场需求将达到 3,010.6 亿元。从中长期来看,国内半导体市场需求仍将呈现较快的增长势头。
6、竞争格局:我国半导体分立器件行业集中度低,规模以上的半导体分立器件企业约有 2,000 家。行业内少数优质企业通过长期的技术积累和持续的自主创新,能够设计或生产附加值较高的产品,并满足客户严苛的产品认证标准。MOSFET 市场主要由国际先进企业英飞凌、安森美、瑞萨电子等占据。
7、2017-2019年营业收入5.04亿、7.16亿和7.73亿,复合增长率为23.84%, 归母净利润 5189万、1.41亿、9821万,复合增长率为37.57%,毛利率为24.69% 31.63% 20.73%。预计三季报业绩:净利润9200万元至9700万元,增长幅度为44.82%至52.69%。可比公司:富满电子、华微电子、韦尔股份、扬杰科技、台基股份。 发行价格19.91,发行PE22.99,行业PE51.05,流通市值5.03亿,市值20.11亿。
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主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。
公司的主要产品类型如下所示:
半导体产品可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品,其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元,主要实现对信息的处理、存储和转换;分立器件是指具有单一功能的电路基本元件,主要实现电能的处理与变换,而半导体功率器件是分立器件的重要部分。
分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品;其中,MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件,具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。
①MOSFET
金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,具有导通电阻小,损耗低,驱动电路简单,热阻特性好等优点,特别适合用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS 电源等电源控制领域。
随着消费电子、汽车电子和工业电子为主的市场销售稳定增长,2016 年MOSFET 市场规模持续增长。得益于市场对高效能电子器件的需求增加,预计MOSFET 市场未来将继续稳定增长。2016 年,全球 MOSFET 市场规模达到 62亿美元,预计 2016 年至 2022 年间 MOSFET 市场的复合年增长率将达到 3.4%;预计到 2022 年,全球 MOSFET 市场规模将接近 75 亿美元3。特别地,随着全球新能源汽车规模的增长,2016 年至 2022 年间 MOSFET 在汽车应用领域的市场需求预计将以 5.1%的复合年增长率快速增长;到 2022 年,其在汽车应用领域的需求将超越计算机和数据存储领域,占总体需求市场的 22%。据 IHS 统计,国内功率 MOSFET 市场主要厂商是英飞凌(Infineon),2016 年市场份额超过 25%,与安森美(ON Semiconductor)占据了国内将近一半市场,因此,在国内 MOSFET市场中,国内厂商进口替代的潜力巨大。
②IGBT
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型三极管(BJT)和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和双极型三极管(BJT)的低导通压降两方面的优点,IGBT驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统,如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。
IGBT 是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件,成本占到新能源汽车整车成本的10%,占充电桩成本的 20%。由于未来几年新能源汽车/充电桩等新兴市场的快速发展,IGBT 等半导体功率器件将迎来黄金发展期。在全球市场上,未来 IGBT 市场规模的快速增长主要受益于其在节能、能效提升等方面发挥的重要作用。根据中国产业信息网数据,到 2020 年全球 IGBT 单管市场空间达到 60 亿美元左右,市场空间巨大。预计未来五年我国新能源汽车和充电桩市场将带动 200 亿元 IGBT 模块的国内市场需求4。根据中国产业信息网数据,到 2018年,国内 IGBT 市场规模已达 161.9 亿元,2010 年至 2018 年复合增长率达到14.77%,我国 IGBT 起步整体较晚,未来进口替代空间巨大。
同行业对比
公司主要产品包括沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET 以及 IGBT 等半导体功率器件产品,公司主要竞争对手包括英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、瑞萨电子(Renesas Electronics)等国际一流半导体企业,以及扬杰科技(300373)、韦尔股份(603501)、富满电子(300671)等国内优秀的半导体功率器件企业。