重磅！三星HBM因散热不达标未通过英伟达测试！芯片底部填充胶迎风口！
【三星电子HBM芯片据悉尚未通过英伟达测试 涉及发热和功耗问题】财联社5月24日电，知情人士称，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，无法用于后者的人工智能处理器。据悉，这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要根据客户的需求进行优化，“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。 (路透)

底部填充料是芯片散热关键材料之一，三星电子HBM芯片据悉因发热问题尚未通过英伟达测试，这家公司芯片级底部填充胶已通过客户验证，另一家GPU芯片散热器项目研发工作已完成。
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