SK海力士在声明中称,包括计划逐步增加的投资在内,新生产基地的长期投资总额预计将超过20万亿韩元(合146亿美元)。该公司计划在现有的清州生产基地附近建立新工厂。
据悉,新生产基地旨在提高DRAM的产能,重点是高带宽内存(HBM)芯片。
SK海力士预测,HBM芯片市场的年增长率将超过60%,尽管随着数据中心的不断增加,普通DRAM的销量也在稳步上升。
SK海力士在韩国的投资还包括龙仁半导体产业园区等,长期投资规模约为120万亿韩元(合873亿美元)。
此外,SK海力士还计划斥资39亿美元在美国印第安纳州建立先进的封装工厂和人工智能(AI)产品研究中心。
由于芯片行业低迷,SK海力士去年削减了50%的年度投资,并在10月份表示,2024年的投资增幅将保持在最低水平。
尽管SK海力士对投资持谨慎态度,但该公司同时表示,市场对HBM芯片的需求量非常大,其今年和明年大部分时间的产能已被预订一空。
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