三星V-NAND 9代出炉，钼技术成新宠
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2024-07-03 12:48:18 福建省
三星在第9代V-NAND中首次使用钼金属布线
根据韩国媒体The Elec的报道，三星在其第9代V-NAND闪存中首次尝试使用钼（Mo）作为金属布线材料。这一创新标志着三星在半导体制造技术上的新突破。
半导体制造中的金属布线工艺
在半导体制造过程中，金属布线工艺是八大核心工艺之一，其主要任务是通过各种方式连接数十亿个电子元器件，形成不同类型的半导体器件（如CPU、GPU等）。可以说，金属布线工艺为半导体“注入了生命”。
钼金属布线的优势
与现有的六氟化钨（WF6）工艺不同，钼前驱体（molybdenum precursor）是固态，需要在600℃的高温下才能升华为气态，这个过程需要专门的沉积设备。三星已经从Lam Research公司引进了五台钼沉积机，并计划明年再引进20台设备。
钼金属布线的使用可以带来一系列优势，包括提高电导率、减小电阻和增强器件的耐久性，这些都将有助于提升NAND闪存的整体性能和可靠性。
三星在今年5月宣布，已经启动了首批第9代V-NAND闪存的量产。
与第8代相比，第9代V-NAND的位密度提高了约50%。此外，第9代V-NAND还配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，将数据输入/输出速度提高了33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。
其他公司也在关注钼的应用
不仅仅是三星，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑在其NAND闪存制造工艺中使用钼。这表明，钼金属布线有望成为未来NAND闪存制造中的一个重要趋势，推动整个行业技术的进步。
三星在第9代V-NAND闪存中引入钼金属布线，不仅展示了其在半导体制造技术上的创新能力，也为提升NAND闪存性能和可靠性提供了新的途径。
随着更多公司开始关注并采用这一技术，钼金属布线有望成为推动NAND闪存技术发展的重要因素。
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