【专家主要观点】

1、$捷佳伟创(SZ300724)$ 捷佳伟创异质结设备布局：捷佳伟创在异质结设备领域的思路是提供高转换效率、低成本、低设备投资来展开，常规4道设备均能提供，且还在管式PECVD、CATCVD、RPD、铜电镀等新技术进行。公司全面布局的思路是因为认为常规异质结设备（转换效率24-24.2％，设备投资成本4.5亿／GW）经济性仍需提升；

2、常州中试线进度：中试线大概6月1号的时候设备开始进场，采用的是平板式的、10＊10的PECVD，TCO采用PVD（RPD送客户了），7月20号我们的首批片下线了，近期将会出板P数据。

管P  8月1日入场，首次镀膜的效果也是非常理想，预计也会很快有正式结果出来。中试线上有客户工程师驻厂，数据验证客户也第一时间知晓。

 

3、管式PECVD优点：一是管式PECVD投资成本较低，当前单GW投资与板式PECVD的差异是9000万-1亿，未来下降的幅度会更高。二是管式设备的工艺灵活，可以自由搭配。三是管式异质结设备的能耗与平板式设备和Cat设备相对来说比较低。四是管式设备采用并行处理方式，开机率更高。

 

4、RPD进度：目前在客户量产端能够达到平均转换效率24.8％的水准，我们预期后期通过INIP流程变更等，在不牺牲设备量产能力的前提下，可以短期内实现平均转换效率达到25％的水准，总体上来讲RPD性能已经完全达到在客户端高效量产的水准。在客户端RPD的电池转换效率相对于PVD来讲非常有优势，且采用RPD镀膜的电池在组件端的输出功率比PVD要高出0.3％左右（不考虑遮边），电池转换效率和在组件端输出功率的贡献叠加使RPD优势明显。

 

【纪要正文】

 

1．捷佳伟创在异质结设备这一块的布局以及设备相关的战略方向？

 

捷佳伟创在异质结技术、设备领域的布局和研发根据三个特征来展开。第一个特征是转换效率效率的高效性，异质结平均转换效率达到25％以上才具有可量产性、盈利性，我们目前主要是针对RPD的TCO镀膜和未来的靶材研究、PECVD的IINP工艺流程，管式和平板式PECVD以及CatCVD的微晶化这三个方向来进行量产化可行性研究。第二个特征是低成本，主要是在硅材料、银浆以及金属化电极，还有低运营成本。低运营成本可能前期在异质结领域关注度不够，但大家都量产后未来的竞争就是低运营成本的竞争。第三个特征是低设备投资，只有首次投入门槛下降才会让异质结技术的量产、规划规模迅速的扩展，带来运营折旧压力的下降。

 

设备布局

公司制绒设备市场占有率非常高，而且在客户端的机制表现没有问题。我们在各种设备里都有相应的产品我们现在的中试线上全部都是捷佳伟创自己制造的设备，包括自动化、制绒、平板式和管式的PECVD、PVD、RPD、新型印刷方式。

 

中试线的情况

中试线大概6月1号的时候设备开始进场，采用的是平板式的、10＊10的PECVD，TCO镀膜本来我们是按照PAR（PVD＋RPD）的布局，但是RPD临时给客户了，所以没用。印刷这一块包括固化都是自己制造的，其中所有的自动化都由捷佳伟创自己来完成。大概在7月20号我们的首批片下线了，截止到现在效率都在持续爬坡，目前效率状况比较令人满意的。根据这段时间设备在中试线上和在我们客户端的运作情况来看，我们目前所有的设备包括平板式PECVD的运行都非常稳定，腔体的设计已经完全达到我们的预期，跟进口的PECVD也做了一些横向的比较，数据也非常满意。管式PECVD在8月1号也进入了我们中试线，这几天开始镀膜了，首次镀膜的效果也是非常理想的，很短的时间内我们会有电池数据的一个对比，这是我们中试线的基本情况。

 

我们未来的路线图围绕高效、低成本、低设备投资，把能做的工作做到客户认可的程度。预计在三季度末，我们量产达到平均转换效率24.8％的水准，现在在我们的客户端，在采用传统的RPD设备和IINP工艺流程而非最新的微晶化的情况下，就已经完全实现了这个目标，大概在四季度末，也就是明年年初，我们预计可以达到平均转化效率25％的技术能力。最新的微晶化技术总体上来讲，对于转换效率有提升，但是对于量产的良率和设备的产能都有巨大的损耗，所以我们会在管式设备和CatCVD上面做更加具体的研究，针对微晶化有专项设备来进行发展。低成本这一块，目前国内的量产效率一般是24到24.2％的水准，前期投资都在4.8亿到5亿之间，甚至比5亿更高，非硅成本都是在4毛左右，表明常规类的异质结设备经济性需要提升。

 

在捷佳伟创两道印刷这种新型印刷方式的推动下预期银浆的耗量前期能够先下降35％，我们还会采用其他的方式（正在进行实验），预期在未来一个时间段以内，银浆耗量总体上能够下降到50％左右，这个不是以银包铜的方式来实现，今后银包铜的研发达到一定程度的话，可以跟我们的这些技术进行相应地叠加。通过管式设备、两道印刷方式的导入，对于能耗会有巨大的贡献，能够将运营成本降低1.5分左右。设备这一块通过导入各种新型技术，也有一个客观的下降空间，这是作为设备厂家，我们在近期能够完成的一些降本方案这样异质结可能就会从高投入门槛逐渐进入具有盈利能力的新型技术路线。

 

2．管式PECVD与平板式PECVD、CatCVD对比

第一，管式设备投资成本较低且对于新型工艺技术路线的兼容性比较好，是天然的IINP相应设备配套，微晶化对于平板式设备镀膜速率的影响很大，现在至少是1.2的镀膜比例，但是由于管式设备的工艺节拍大概是20分钟，镀膜时间只占了工艺时间的1／10到1／5，所以微晶化对于管式设备产能的影响很小，因此管式设备对于微晶化的支持和兼容表现的比平板式设备更有优势，而CatCVD的优势更加明显，因为它本来就是采用热分解方式来实现的设备形式。第二，管式设备的工艺灵活，可以控制更好的界面层，也可以减少在镀膜过程中的一些轰击缺陷，对于非晶硅层和非晶硅界面层的保持都会有比较好的设备硬件支撑和技术支撑。第三，管式异质结设备的能耗与平板式设备和Cat设备相对来说比较低。第四，平板式和CatCVD采用串行方式，我们最高承诺92％的开机率，因为串行方式一旦设备出现故障，就要宕机停产，而管式设备采用并行处理方式，开机率更高，目前在PERC设备上的表现来看，都能够达到98.5％的开机率，我们的管式异质结设备达到97％左右的开机率是没有任何问题的，且复机很快，设备利用率更高。总体来说，管式设备的性价比优势比较明显。

 

3．管式设备单GW投资额具体降低了多少？我们之前解决了管式PECVD的哪些问题？主要的技术门槛是什么？

 

当前单GW的投资差异是9000万-1亿，未来下降的幅度会更高。管式设备应用到异质结这一块时有一个首先需要解决的问题，因为异质结的镀膜对于非晶硅层的损伤是非常重要的一个指标，采用中频或者高频的电源进行镀膜对非晶硅层损伤比较大，缺陷比较多，所以管式设备首先必须要能够采用射频进行镀膜，射频在导入平板式设备时比较容易，但是在今年1月份之前还没有合适的射频电源。我们优势在于有管式设备非常成熟的一些经验，现在我们通过导入平板式设备，对于平板设备的电极设计、载板设计也有一些相应的理念和经验，相当于是结合了两种设备的长期设计经验，今年年初在射频导入管式设备这一块取得了非常明显的进步。当然后续还有更多的问题需要解决，比如粉尘的处理，载具持续使用过程中怎么样保持性能，针对这些问题，我们现在也把设备放到中试线上进行相应的工艺测试，截止到目前，工艺测试的效果非常好。

 

4．公司新型两道印刷技术具体介绍，有竞争对手吗？降低银耗量的技术原理？

 

两道印刷我们有协作也有自研，是通过印刷设备、网板设计、浆料配方的改进来实现的，可以缩减设备投资，减少占用空间。现在国内研究这个的不多。

 

降低银耗量是通过两道印刷和新型网板的结合来实现的，前期降低35％银耗量的目标已经实现了，对电池的转换效率略有提升，在未来不到两个月的时间，我们会把另外一项技术叠加进来，使银耗量下降到50％，当前浆料配方中银含量仍较高，未来银包铜技术成熟的话可以使用银包铜代替银粉，使银含量进一步下降。

 

5．RPD设备介绍，RPD我们现在具体的进展如何？我们的RPD客户有谁？RPD目前展现出来的转换效率？后续RPD的销售规划是怎样的？

 

我们与客户共同努力，解决了设备一些原有的设计缺陷，比如以前RPD可能某一个批次的转化效率非常高，但是很难把转化效率非常高的那个点复原，但现在我们通过台湾团队、内陆工程师跟优质客户共同开发，已经彻底解决了这个问题。

 

主要的RPD主体有捷佳伟创、爱康。

 

在客户量产端能够达到平均转换效率24.8％的水准，我们预期后期通过INIP流程变更等，在不牺牲设备量产能力的前提下，可以短期内实现平均转换效率达到25％的水准，所以总体上来讲RPD性能已经完全达到在客户端高效量产的水准。

 

在客户端RPD的电池转换效率相对于PVD来讲非常有优势，且采用RPD镀膜的电池在组件端的输出功率比PVD要高出0.3％左右，电池转换效率和在组件端输出功率的贡献叠加使RPD优势明显。

 

6．在异质结板块，捷佳伟创走的不是某一种技术路线，而是一个相对全面的技术路线布局，是基于怎样的战略考虑？

 

我们始终围绕三个特征：高效、低成本、低设备投资。我们在PECVD这一块，有平板式和管式PECVD、CatCVD，目前来看高效的技术以RPD为主体来实现，后期RPD不一定能够贡献更高的转换效率，但是我们可以通过CatCVD与平板式、管式相结合，与微晶化技术叠加来实现，所以在高效这一块，PECVD.布局本身就有必要，现在我们能够完成RPD设备技术和技术改进。

 

即使是从PERC年代发展到2021年以管式二合一为基本选型标准，仍然有20％-30％的客户会选用ALD方案，当时捷佳伟创没有开发ALD基础，纯粹只有二合一技术方案，会失去部分客户。

 

所以基于两个方面的原因，第一，要把握异质结未来的技术发展方向，而不是停留在目前比较局限的认知上，提前布局我们认为对于高效性、低成本、低设备投资有帮助的技术基础，进行相应设备的研发布局，第二，在多变的市场需求环境下，有必要提供多样性产品应对客户选择。

 

7．管式PECVD和平板式PECVD的验证／落地的时间点？

 

可能最近就能在中试线上看到相关的数据，客户可以到我们的中试线上去做相应的测试，也可以把相应的材料进行交换测试、交叉对比。

 

中试线数据的验证对客户而言有比较大的意义我们相当于是一个开放型的平台，可以帮客户进行一些相应的技术验证和技术培养，也可以帮我们的友商验证一切有利于我们提高高效性、降低成本、降低设备投资的设备材料和技术。

 

8．目前我们常州中试线的具体规模是多大？中式线上目前在跑的设备有哪些？

 

常州中试线上有制绒、平板式PECVD、PVD、印刷、固化，包括全线的自动化，本来我们TCO镀膜这一块是按照PAR来设计的，但是RPD这一块被东方日升先拿过去了，我们现在自己还要想办法补，以平板式PECVD的产量为基准，现在中试线能达到250MW以上的规模。

 

9．CVD环节的INIP和PVD环节的微晶化的作用？如何节省成本？

 

常规流程是I-N-I-P，现在钧石、迈为一起进行过相应的实验，通过I-IN-P的改造，使用I、IN、P三套设备完成I-IN-P的转换，通过这种转化能够减少层间镀膜的污染，对于转换效率的提升有一定的帮助，这种技术验证确实能够支撑这么一个说法，对于兼容性高的管式设备的来讲，易于实现这种技术改造。

 

微晶化是今后在效率提高的过程中去探索的技术路线，通过微晶化可以改变透光率和镀膜层的禁带宽度，后期对效率的提升有发展空间。CatCVD易于实微晶化，管式PECVD的兼容性也更好一点，但是平板式设备的兼容性不够，且是串行设备，在串行设备上进行微晶化对于镀膜速率、整体节拍的影响比较大的，成本上升空间较大，实现了高效性却不能实现低成本，与异质结设备需要具备的三个主要特征背道而驰。

 

10．如何理解管式PECVD天然具备大产能的优势？

 

因为管式PECVD的装片量提升优势大，我们现在的装载量大概定在300多片／炉，炉子又能进行叠加，每管单独进行工艺，互相不干涉，I层可以做一台设备，IN层可以做一台设备，P层可以做一台设备，这是一种组合方式，也可以两管做一个I层、两管做一个IN层、两管做一个P层，可以有非常灵活的组合方式，当然它的载具不能通用，这个通过设备软件自动对载具进行识别区分。现在一台设备可以做到5400到5500片／H的产能，通过多台组合可以使产能迅速扩大，但是占地面积远远低于平板式设备，设备有往空中发展趋势。

 

11．公司铜电镀技术的布局如何？

 

铜电镀我们现在正在研发，有布局，铜电镀最有利于异质结银耗的下降，从技术上来讲，在TOPCon 这一块的兼容性相对更好，有拓展前景，我们有铜电镀的专业人才，也有铜电镀相关设备的基础，因为我们现在走的路线，湿法设备比较多，也有干法设备，包括我们的PVD 设备和 PECVD 设备都会要用到。总体上来讲，现在铜电镀是设备厂家和电子厂家都在发展的一种方向。