自从中兴被制裁，华为限制芯片出口，国内芯片产业链迎来蓬勃发展期。尤其是华为旗下的哈勃科技投资有限公司，频繁出手投资潜力企业，虽然主要以晶元加工为主，但仍旧涉及部分激光芯片企业。

2022年4月1日，哈勃投资持有506.50万股的长光华芯（688048）登陆科创板，但是随后低走，截至2022年5月19日收盘，股价收于78.12元每股，低于发行价80.80元每股。

从产业层面看，迫切需要建立自己的芯片产业链的华为，旗下全资子公司哈勃投资买入长光华芯，足以证明长光华芯拥有领先业界的实力，但成功上市后，长光华芯却不被市场认可，终究是华为错了，还是市场认知偏差？

成立于2012年的长光华芯，主要产品包括高功率单管系列、高功率巴条系列、高效率VCSEL系列及光通信芯片系列等。

经过10年的发展，长光华芯产品涵盖半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器四大类，广泛用于光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、国家战略高技术、科学研究等领域。

公司依托高功率半导体激光芯片（边发射EEL）优势，向面发射VCSEL芯片扩展，从GaAs材料体系扩展至InP材料体系，横向拓展了高效率VCSEL激光芯片，和高速光通信芯片两大产品平台。

现如今，长光华芯半导体激光芯片板块，已经实现一体化布局，公司近年来不断向光纤激光器、科研及特殊应用等下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，分别对应单管系列及巴条系列产品。

2021年公司高功率单管、巴条系列分别实现营业收入3.61、0.56亿元，分别占营业收入比例为84.1%、13.1%。

2021年，长光华芯VCSEL系列产品实现小批量量产，实现营业收入820万元。预计2022年实现批量量产，产品主要应用于消费电子及车载激光雷达领域。

在芯片生产环节，公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台，是全球第二、国内唯一拥有6寸量产线的厂商。

长光华芯主业飞速发展，除了成立以来的技术积累，和各大股东的产业扶持，还和2018年的一个重大的产业发展拐点有关。推动国产化替代进程

2018年，海外禁止向国内出口单管15W以上、巴条100W以上高功率半导体激光芯片，拉开了高功率半导体激光芯片国产化序幕。

2019年，长光华芯成为国内第一家量产单管15W高功率半导体激光芯片公司。一年后，长光华芯技术突破带动产品性能持续提升，终于在2020年实现单管18W、25W高功率激光芯片量产。

2021年，公司又实现30W高功率半导体单管芯片量产，产品性能在国内处于绝对领先，对标甚至超过国外产品。

随着高功率半导体激光芯片技术不断突破、产品良率持续提升，公司在下游客户份额将快速提升，业绩也将加速增长。这主要是因为产品良率上升，会极大程度节省成本支出以及时间成本，从而提升产线利用率。

2021年，长光华芯整体毛利率，由2020年的31.35%大幅提升至52.82%，高功率单管芯片毛利率，由2020年的60.46%提升至2021年上半年的67.58%，毛利率较高的单管芯片产品，2021年收入翻倍增长。

在毛利率稳定提升的背景下，长光华芯借助登陆科创板募资扩产，公司“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通讯激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”达产后，总产值为14.56亿元，有机构据此预测，如果长光华芯今年二季度一期产能投产，公司半导体激光芯片产能将提升5-10倍。

由此可见，长光华芯今天的业务布局，基本上是在2019年的基础上演进出来的，对于整个国产芯片产业链而言，2018年着实是个不可多得的时间拐点，让整个产业链企业明白掌握核心技术才能保证企业健康发展。

产品具有较强市场竞争力

长光华芯自2012年开始坚定扎根半导体激光芯片领域，华为旗下哈勃投资又愿意持有该公司超500万股股份，主要和长光华芯所处的行业具有极高的门槛有关，且公司处于整个产业链的上游，并具备可实现国产替代的产品，与国内同业企业相比，产品具有较强竞争力。

长光华芯主营的半导体激光芯片产品，属于半导体激光器的核心部件。下游应用包括各类激光器的应用，包括工业加工装备、激光雷达、光通信、医疗美容等领域，以及工业激光器领域。

根据 Laser Focus World预计，2021 年全球激光器市场规模为 184.8 亿美元，同比 15.4%。其中，中国是全球最大的应用市场。根据Laser Focus World数据，2020年中国激光器市场规模为109.1亿美元，占全球激光器市场66.12%的份额。

国内下游应用领域方面，根据《2020年中国激光产业发展报告》，材料加工与光刻市场、通信与光存储市场、科研与军事市场、医疗与美容市场、仪器与传感器领域、娱乐显示与打印市场分别占比40.94%、27.02%、12.02%、9.03%、8.01%、2.99%。

长光华芯在国内高功率半导体激光芯片领域处于领先地位，产品性能对标海外头部厂商，甚至已经实现超越。在单管芯片方面，190-230μm条宽范围内，公司目前高功率单管芯片输出功率最高达30W、电光转换效率达到63.00%、波长涵盖808、880、915、976nm。

巴条芯片方面，在100μm条宽附近，公司高功率巴条芯片可实现100W连续激光输出及300W准连续激光输出；在200μm条宽附近，公司高功率巴条芯片可实现200W连续激光输出及700W准连续激光输出，电光转换效率最大可达63%。

伴随长光华芯在高功率半导体激光芯片领域持续突破，公司目前商业化单管芯片输出功率达到30W，巴条芯片连续输出功率达到250W（CW），准连续输出1000W（QCW），产品性能与国外先进水平同步，打破国外技术封锁和芯片禁运，逐步实现半导体激光芯片的国产化及进口替代。

展望未来，伴随长光华芯新建产能逐步落地，公司激光芯片产品市占率有望进一步提升，这对增厚公司业绩大有裨益。