存储行业跟踪更新：Q3高端产品涨价确定+大厂展望乐观，海外存储标的大涨！

事件催化：海力士7/26发布季报、AI+复苏共振、股价大涨10%。海力士Q2收入qoq+44%、超预期，其中DRAM营收qoq+53%、NANDqoq+31%，DRAM ASP高个位数环增（AI相关产品拉动），预计23年128GB以上DDR5模组+ HBM的销量预计同比增加2倍以上，同时加大对HBM、DDR5的投资。同时展望Q3 DRAM出货量qoq+10%~15%。强化存储行业周期反转预期。

美股映射：海外存储公司股价全线大涨，其中海力士大涨10%，西部数据上涨6%，美光上涨5%，华邦电上涨5%，南亚上涨6%，威刚上涨6%。

NOR产品调研情况：Q3大容量个位数涨价、中小容量向下幅度有限

【合约价】：128M及以上高个位数涨价，128M以下环比跌幅有限，预计Q4全线涨价。

【库存】：原厂库存70-80天（此前120多天，正常健康水平是4-6周），经销商10-15天库存，客户库存小于28天（健康水平）。

【需求】：128M以上服务器、汽车及美光转单带来明显增长，128M以下需求平稳，但竞争较为激烈；

【格局】128M以上玩家少，台湾华邦、旺宏、大陆兆易垄断市场。

DRAM NAND产品调研情况：大容量部分客户小个位数涨价、低容量价格变化幅度小

价格跟踪：本周存储上游资源Flash Wafer率先上涨，DDR价格小幅下调。渠道市场方面，渠道SSD和内存条价格维持不变，汇率回落削弱品牌拉涨动作，市场需求未见明显变化，但随着上游资源表现强势，渠道价格在底部支撑力度强劲。行业市场方面，行业SATA和PCIe 3.0 SSD需求疲软，使得本周价格小幅下调，不过部分客户对PCIe 4.0 SSD需求有所增长，对PCIe 4.0 SSD价格有支撑。嵌入式市场方面，目前上游对现价表现出较强的支撑力度，部分报价还出现象征性上扬1%，不过实际成交价多以持平为主，主要反映在分离式产品价格维持平稳。

市场展望：目前来看，上游NAND Flash Wafer、渠道和嵌入式价格稳固，尤其NAND相关资源拉涨动作较为坚定，加上DRAM减产效应逐渐生效，三季度中旬市场有望出现更多积极信号。上游原厂稳价决心相当坚定，通过减少供应过剩的旧制程产能，调节库存和市场定价。值得注意的是，即便本月市况不佳，上游资源的稳价拉涨动作也没有松动。那么三季度中下旬，随着减产效应生效，市场需求回暖，部分资源有望加大拉涨动作，从而由上至下逐渐影响成品端的定价。周期底部继续看好存储行业困境反转修复机会。

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