IGBT+逆变器+第三代半导体+充电桩 1、公司加大IGBT大功率单管产品研发投入力度，拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作。 2、公司独创结构的Tri-gate IGBT新型功率器件由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用，尤其在电站用逆变器细分场景获得终端客户的认可并被选用，性能超越国际大厂，在高端应用领域实现国产替代。 3、公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了提前布局，在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上取得了较大的研发进展。 4、新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。