当光刻机性能不足时，多重曝光是变相提升芯片制程的唯一办法

不同型号光刻机有着相对应的光刻精度，比如AS­ML的1980Di光刻机，适合制造28nm，但引入“多重曝光”技术后，1980Di型号光刻机也可以生产14nm，甚至7nm制程芯片

这意味着在美国制裁高端光刻机的背景下，通过低端光刻机+多重光刻技术可以提高芯片制程。

按照公布一代，测试一代，研发一代。

此次公布65nm光刻机，是否意味着28nm，甚至14nm的也在路上。

要不然华为的芯片从哪里来的呢？

根据华安电子研报，先进光刻机受限的背景下，先进制程扩产生产需要多重曝光技术反复涂胶-光刻-显影-刻蚀等工艺流程以达到更小线宽。

多重曝光技术有几大增量：

大硅片、光刻胶、掩膜板、清洗和刻蚀设备

前三者是消耗品

但是大硅片和清洗刻蚀设备多数都是机构重仓

光刻胶和掩模版用量是单次光刻的2~4倍

但是考虑到四重曝光只有 20% 良品率

实际耗材消耗应该是 10～20 倍的关系。

冠石科技司2023年5月17日公告，拟投资20亿元建设45—28nm成熟制程的半导体光掩膜版制造项目。2023年6月2日公告拟定增募资不超过8亿元，用于光掩膜板制造项目。

项目负责人陈新晋系台积电首批参与掩模版生产人员。技术团队全球顶级，掩膜版总负责人出身张汝京团队（陈新晋），张汝京是中芯国际创始人（青岛芯恩也是由他创立），中国芯片之父，同时项目的生产技术人员有台积电背景，也代表着全球最强的代工技术之一。

冠石科技现有主营业务直接受益于面板行业的复苏，且有产品供应华为、苹果手机。中报营收增速回正。

项目分两批投建：

第一节点为25年，将率先覆盖45nm及以上的产品。
第二节点为28年，项目完全达产，制程到达28nm。

刚好对应国内先进制程光刻机的突破时间。
对比现在的25亿的市值，存在非常大的边际，国产替代一直在持续，所以只多不少。