一．重大利好之一：重大突破成功研发出8英寸N型SiC晶体
晶盛机电是真正的碳化硅国内领先企业。
8吋碳化硅国际上商业化只有美国的科瑞（CREE）做的最好，国内基本还是4吋为主，6吋还处于商业化的前夜。即使号称国内碳化硅第一股的天岳先进也是4吋为主，6吋号称取得量产，但8吋宣称处于研发阶段。8吋最卡脖子的是晶种，因为气相沉积法只有用同样面积大的晶种生长出的晶锭品质上最接近原晶种晶体品质。4吋6吋晶种或者衬底基片国际市场都可以买到，8吋美国严格限售，即使衬底正片也买不到。
晶盛可以生长出8吋碳化硅晶锭，表明其在解决大尺寸晶锭温场和气相原料分布和输运效率问题上取得重大突破，也体现了晶盛在面向国际化的道路上走出坚实的一步！
此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。
【参考某球关于8吋碳化硅重大突破的热烈讨论】
8月12日，首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，这是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。
碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。
此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。
SiC晶体生长和加工技术自主可控是抢占未来竞争制高点的关键！一直以来，晶盛机电始终坚持“打造半导体材料装备领先企业，发展绿色智能高科技制造产业”的初心使命，通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不断延伸产品系列。从2017年开始布局碳化硅业务，到2020年建立长晶和加工中试线，SiC晶体直径也从最初的4英寸增大到如今的8英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。
科技创新，为国担当！此次8英寸SiC导电单晶研制成功，不仅极大地提升了晶盛在SiC单晶衬底行业的国际竞争力，也为宽禁带半导体产业的国产化发展添砖加瓦，为喜迎党的二十大献礼！
二． 重大利好之二：晶盛机电是美国周五限制的半导体级别金刚石A股唯一正宗标的！
财联社8月12日讯（编辑 史正丞）当地时间周五，美国商务部工业与安全局（BIS）在联邦公报上披露了一项出口限制加码的临时最终决定，涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。
此次被升级出口管制的技术包括：
宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）和金刚石：氮化镓
金刚石很早就被称作“终极半导体”，拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温等特性，被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料，用其作为半导体芯片衬底，有望完全解决散热问题，并利用金刚石的多项超级优秀的物理化学性能。
这与市场之前热炒的培育钻石完全不同。晶盛的金刚石是真正的半导体级别金刚石。
