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九云
2024-03-04 10:51:19
谢谢
@黑暗中的坚持:
最新消息面:IT之家 3 月 4 日消息,据 TheElec,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺,与 TC NCF 相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF
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