1)碳化硅衬底公司产能情况、 竞争力分析2)导电型衬底供需分析、 价格趋势3)衬底制备难点、 技术趋势目前碳化硅导电型衬底产能仍集中于全球头部厂家，新玩家的产能并未完全释放：Creell-VIRohm三家合计占80% t 按2021年产能来看， CreeSOw ， II-VI18w，Rohm16-17w；

SK和天科产能差异不大，各10w左右；其余包括天岳先进 （半绝缘转导电型）等。

目前全球格局并未有重大变化，国内新玩家露笑、 东尼仍处于研发向小批量发展阶段，东尼产能正在提升并与东荒夭域签订了战略合作协议。

竞争力角度，国内外产品在一致性、 稳定性上仍有差距，6时导电还有3- 5年代差。

供需角度，目前全球6时导电产能有100w I 但受制于良率实际产出量比较少，因此供不应求仍持续。

价格趋势方面，总体价格在下降，但下降幅度有所放缓，2019年1万元， 2021年降低到5800-6000多元，目前在5500-6000左右，浮动比较小，未来总体趋势肯定是下降的，27年预计能将到4000元左右。

长远来看， 6时导电还是市场主流同时8时也陆续出来。

目前能大规模生产8时的只有Cree， 国内公布的研发成功更多属于技术储备。

长晶环节仍是目前技术难点，主流PVT法存在一定制约性 ：长晶处于一个黑匣子过程，全球主流生长速度也比较慢约0.2mm/ h ， 同时存在不容易连续生长、硅原子易析出等难点，国内目 前一 个生长周期7-8天长2cm ， 总结起来就是“长不快、长不厚、长不大” ，制约产能释放。

液相法国 内外企业和科研院所都在研发和尝试，如中科院物理所、北京晶格领域、常州栗晶、日本住友、东京大学、三菱电机、韩国陶瓷工程技术研究所、韩国延世大学等，这种技术理论上能提高生长速（度是pvt法的5倍）、降低位错缺陷，但仍处研发阶段，离产业化至少还有3-5年 ，关键技术和产业化还需攻关，如助溶剂的使用、高温力学性质的深入研究、溶点表面张力、饱和蒸气压等，实验室阶段能做出小尺寸的晶体，大尺寸生长还未攻关。

Q&AQ：衬底制备设备衬底制备包括以下细分环节和流程：．长晶：原料合成炉、长晶炉．加工：滚磨、磨面（磨成圆柱体）．切片：主流金刚石多线切割，新技术有激光切割．双面研磨（粗磨）．倒角．精磨．双面粗抛CMP 精抛．清洗检测：清洗设备、外观尺寸精度检测设备、缺陷检测设备2前端长晶炉国内基本实现国产 ，价值Rm bSOw- l OOw一台晶体加工环节：1 00%国产化 ， 30 w一台多线切割设备 ：国 外 为主如日本高鸟 ， 300-350w ；

国产18 0-190w不到200w一台双面研磨机 ：日 本 创技为主 ， 1 00w左右 ；国内 包括苏 州赫瑞特、博宏源、浙江森永光光电等 ，国 产价格便宜 30-40%倒角设备 ：精度要 求高 ，日 本东 京 精密 为主 ， 300w左右 ；国内 很难做到 相同 精度精磨 ：日 本创技为主 ，1 20-l SOw左右 ；国 内 厂 家有北京特 思迫 ， 7 0w一 台左右粗抛 ：德国 设备 为主 ， 500w一台 ；国内 有仿 制的 但 仍在试用阶段，如 上面提到的赫瑞特、博宏源、森永等厂商，价格是国外的五分之一到三分之—CMP 精抛 ：日 本 创技为主 ，进口120-l SOw ；

国内70w 左右 ，厂商也 是上面提到的几家清洗设备 ：以 国外 设备 为主 ，如日 本 SEC、日本JAC ， 500w一台 ；国内 厂商 包括上 海新阳 硅密 、天津南轩科技、苏州华林科纳 ， 300w—台精度检测设备 ：国 外 为主如美国康宁 ， 300w左右 ；北京 三禾泰达在仿制，单 价不到 200 w缺陷检测设备 ：国 外 为主如 KLA、日本H it achi ， 单价 1 000w I 国 内 没有能做的Q：MOCVD设 备？

就是外延炉。

Q：产业价值量分布目前衬底45-47% t 外 延 23% t 除非出现 衬 底颠 覆 性技术 ，否则比 例 很难被打破。

3Q：IDM 模式 是否 更占 优相对更有优势，衬底材料的应用和缺陷更容易得到反愤、及时调整；国内单独做某个环节的，信息反愤速度慢，可能出现某个缺陷验证了很久才得到反质的清况，导致这个过程做了很多废品同时全产业链布局，更容易实现技术保密、全产业链价值通吃。

劣势在于，必须实现一定规模化才能有优势，对于—个初创业者很难，对投入的资金、研发能力要求非常高，毕竟衬底和器件分属两个不同领域，前者属于材料领域，后者属千晶圆设计制造领域。

Q：衬底领域，硅基设备和碳化硅设备差异，设备对良率的影响长晶环节和硅基差异大，硅基是溶液直拉式，设备自动化程度较高并且长晶过程可控、可观察，碳化硅使用 PVT法就决定了两者的本质区别，因此设备差异大。

切磨抛环节和硅基比较类似，设备也具有很强可借鉴性，使用更高精度设备可以提高良率。

Q：国内外衬底的良率水平＆产能规划国外良率比国内高， Cree6 时导电综合良率在70%以上 ， II – VI和Ro hm稍低些在60%水平。

国内天科合达做的最好，综合良率50% 多 ；天 岳在35% 左右 ，其他国内厂商可能更低。

Cree现在产能SOw ， II -VI和Rohm接近20w ， 长期规划往5倍去扩产。

天科现有12-1 3w ， 明年扩到25w ， 25年55- 60w。

夭岳先进现有2w ， 未来24-25年扩到30w 。

其他如同光、露笑、烁科等也有20w的扩产目标。

4Q：产能定义现在公布的产能都没算上良率，一般指的是厂房和设备的最大化产出能力，如果加上良率就要打折扣，因此实际产出和产能规划有较大差距。

虽然公布的数字很大，但国内新进入者追赶头部厂商需要一定时间。

Q：国内二线厂商未来良率提升路径天科算国内起步最早的， 2006 年开始，从2时、4时、6时到8时积累了很长时间，由于早期碳化硅市场认可度不高，经历了一段进步比较缓漫的时间。

国内二线厂商目前良率比较低，但未来良率提升速度可能会比较快，因为终端市场起来了，推动了行业发展，但行业壁垒比较高、技术先发优势还在，所经历的过程包括技术积累还是需要时间。

因此良率爬坡速度可以借鉴已量产的头部厂商，但同时再考虑下每家的研发能力、 管理能力综合判断。

Q：哪些衬底厂商可以关注重点关注：天科、天岳、同光、烁科；东尼最近和下游建立了丰富的联系，成长可能更快，也值得关注。

Q：天岳半绝缘转导电难度如何；国内外定价差异半绝缘和导电型属千两个不同应用领域，材料电阻率的不同代表了不同制备方法和体系，从籽晶制备、炉子设计、热场设计、热场材料选取、原材料合成和纯度工艺等都有变化。

但经验和理论存在—定借鉴，毕竟长晶工艺环节差异大（可以细分到几十道甚至上百道工序），不是那么容易转化。

天岳 201 9年开始做导电，现在才完成小批量的规模化生产，中间也 经历了很 长时间。

目 前国内 6时导电单价平均Rm bSS00-6000 ， 国外 贵10% ， 也看客户的5量。

Q：SiC衬底下降到什么阶段和硅基比有竞争力总的趋势是下降的，最近速度有放缓，预计27年降低到4000元 ；

长期得降到硅基的2倍左右。

Q：外延和器件的成本降幅清况总体趋势也是下降的 ，因为终端有需求 ，刚才讲的硅的2倍也适用千器件。

Q：三安的衬底清况和外延器件相比，三安的衬底进步比较缓慢，还没办法自给自足，需要从Cree 、II -VI、天科合达买衬底 ，良 率可能低千天岳先进的30% 多的水平。

Q：先发者的竞争优势目前做的比较好的厂家都是有技术背景的，如天科合达来自中科院物理 所，天岳先进的技术依托是山东大学晶体研究所，同光是中科院半导体 研究所的技术，烁 科是中电2所 ，可以说是国内在碳化硅领域比较精尖的专家转化的， Cree 早期是美国军工方面的专家团队开始研究碳化硅材料。

从技术角度，籽晶还是比较关键尤其对8时而言 ，每家都保密不外售。

东尼找的台湾中央物理所团队，想要复制国内产学研发展路径，籽晶都是自己制备然后筛选。

Q：汽车碳化硅价值量主驱600多美元，OBC +DC- DC加起来100美元。

6Q：长晶高度和切片数国内厚度在2cm ， 每片一般切0.5mm ， 只能切出来20多片 ，Cree 能长到5-6cm是2- 3倍。

Q：明年全球碳化硅产能明年衬底产能在现有基础上翻倍到 200w ， 考虑50-60%良率 ，可能产出100w左右 ， 大部分比例用在车上。

因为车规验证周期长和主驱难度高，明年的产能不能完全满足汽车应用需求。

Q：在PVT法下 ，二线厂商还有机会吗目前市场厮杀残酷，新进入者技术积累时间短、不确定较大。

Q：东尼在客户端的优势7东莫夭域和国内很多衬底厂商都有合作，如天科、天岳、同光等，天科也在做外延形成竞争，因此天域也在有意培养多家供应商。