IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;

下游需求持续高涨，IGBT面临着前所未有紧缺局面：据中国基金报，”随着下游需求持续高涨，被誉为“功率器件心脏”的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)面临着前所未有的紧缺局面。近日，多家国内头部厂商所述也印证了这一局面，其中不少下游客户采取签订长单锁定供应策略。为此，国内厂商迫切寻求新的产能扩张，来环节过于旺盛的市场需求。当前，英飞凌、意法半导体在内的多家国外大厂IGBT交期均站上50周以上。面对排期高度拥挤，这些大厂并未急于扩产。在业内看来，IGBT供给自去年以来持续紧张，至今并未出现任何减缓迹象。而且，国内厂商虽急于扩产，但产线建设周期一般在2年以上，预计在2025年之前供需错配难以解决。