低位挖掘一只服务器收益股
无名小韭41101214
2023-04-19 10:56:11
1国家起草扩大消费，消费主要是新能源汽车，利好汽车芯片
2公司产品应用于人工智能服务器下游，人工的核心就是服务器，公司长期收益
3公司为绩优小盘股，叠加高送转，去年填权行情一波翻倍
4相比于传统半导体芯片业绩，公司产品供不应求，受益于新能源和人工需求，将更上一个台阶
5而且公司是第三代半导体优秀企业，目前IGBT已经到了第七代
公司主要优点是位置较低，股东里面香港结算和社保406都是上季度不断加仓，股价目前处于低位，值得期待。无锡新洁能股份有限公司(以下简称”公司)成立于2013年1月,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司成立以来即专注于MOSFET、1G8T等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域 末来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年/以来连续五年名列'中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学- 无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的"智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用^项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家级技术发明奖。截至目前,公司拥有163项专利,其中发明专利48项;同时公司参与在) EEE,TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SC收录论文7篇。2021年6月,公司荣列“福布斯2021中国最具创新力企业榜TOP50'。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业 也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司。同时,公司是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本士企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700v的全系列产品、达1500余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本士企业。公司将进一步依托技术、晶牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶园芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。2020年9月28日,公司在上交所主板完成挂牌证券代码：605111。主营业务MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发 设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件
2公司产品应用于人工智能服务器下游，人工的核心就是服务器，公司长期收益3公司为绩优小盘股，叠加高送转，去年填权行情一波翻倍4相比于传统半导体芯片业绩，公司产品供不应求，受益于新能源和人工需求，将更上一个台阶5而且公司是第三代半导体优秀企业，目前IGBT已经到了第七代公司主要优点是位置较低，股东里面香港结算和社保406都是上季度不断加仓，股价目前处于低位，值得期待。无锡新洁能股份有限公司(以下简称”公司)成立于2013年1月,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司成立以来即专注于MOSFET、1G8T等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域 末来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年/以来连续五年名列'中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学- 无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的"智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用^项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家级技术发明奖。截至目前,公司拥有163项专利,其中发明专利48项;同时公司参与在) EEE,TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SC收录论文7篇。2021年6月,公司荣列“福布斯2021中国最具创新力企业榜TOP50'。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业 也是国内MOSFET品类齐全且产品技术先进的公司。同时,公司是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本士企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700v的全系列产品、达1500余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本士企业。公司将进一步依托技术、晶牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶园芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。2020年9月28日,公司在上交所主板完成挂牌证券代码：605111。主营业务MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发 设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件
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