10月21日，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》（下称“《行动方案》”），明确力争到2030年，广东取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台。

突破关键技术，加快中试转化

《行动方案》明确，强化光芯片基础研究和原始创新能力，将鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度。加大“强芯”工程对光芯片的支持力度，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域。

加强光芯片设计研发、制造布局和封装水平。支持光芯片设计企业围绕光通信互连收发芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探测芯片、短波红外有机成像芯片、TOF/FMCW激光雷达芯片、3D视觉感知芯片等领域加强研发和产业化布局。加大基于硅基、锗基、化合物半导体、薄膜铌酸锂等平台材料，以及各类材料异质异构集成、多种功能光电融合的光芯片、光模块及光器件的产线和产能布局。大力发展片上集成、3D堆叠、光波器件与光芯片的共封装（CPO）以及光I/O接口等先进封装技术，紧贴市场需求推动光芯片封装测试工艺技术升级和能力提升。