一，公司简介

公司连续四年名列 “中国半导体功率器件十强企业” ，是前十强（2019年第7 ）中唯一基于先进的  8英寸晶圆片工艺平台，专门从事MOSFET和IGBT等半导体功率器件研发设计的企业。公司主要产品为沟槽型功率  MOSFET，超结功率MOSFET，屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半导体功率器件，公司拥有1,000余种细分型号，是国内领先的半导体功率器件行业中  MOSFET产品系列最齐全的设计企业之一，广泛消费电子，汽车电子，工业电子以及新能源汽车 /充电桩，智能装备制造，物联网，光伏新能源等领域。

二，行业简介

分立器件主要包括功率二极管，功率三极管，晶闸管， MOSFET，IGBT 等半导体功率器件产品。对国内市场而言，功率二极管， 功率三极管，晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而  MOSFET，IGBT等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性，还导致更长的依赖进口，未来进口替代空间巨大。

 2018年，半导体半导体分立器件进口销售额2,658.4兆，较2017年增长7.50％。2018年中国半导体分立器件进口金额为285.0亿美元，与2017年基本持平。

MOSFET 是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好等优点，特别适合用于电脑，手机，移动电源，车载导航，电动交通工具，  UPS电源等电源控制领域。据IHS统计，2016年，2017年年国内MOSFET市场份额分别为22.07亿美元，26.39亿美元。国内  MOSFET主要市场的英文厂商英飞凌与安森美，占据了将近一半市场，公司2016年，2017年分别占国内MOSFET市场份额比例分别为2.88％，2.83％，且公司为除英飞凌，安森美，瑞萨电子等  9家外资品牌外的国内排名前在全球新能源汽车规模的增长中，其在汽车应用领域的需求将超越计算机和数据存储领域，占总体需求市场的22％。预计到2022年，全球MOSFET市场规模将接近75亿美元。   

IGBT  是由双极型三极管（ BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有 MOSFET的高输入电阻和双极型三极管（BJT）的低导通压降两方面的优点，IGBT驱动功率小而饱和压降，非常适合替换直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机，变频器，开关电源，照明电路，牵引传动等。IGBT是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，成本占到新能源汽车整车成本的10％，占充电桩成本的20％。由于未来几年的新能源汽车/充电桩等新兴市场的快速发展，IGBT等半导体到  2020年全球IGBT单管市场空间达到60亿美元左右，2018年，国内IGBT市场规模已达161.9 ppm，功率放大器将迎来黄金发展期。

电控系统是新能源汽车三大核心部件之一，占整车成本约  20％，而电控系统需要利用大量的MOSFET和IGBT等半导体功率器件。因此，新能源汽车产销规模扩大将拉动对MOSFET ，IGBT等半导体功率器件的需求。

三，公司业绩

16-19年，公司营收分别为  50,375.98，71,579.03和77,253.69万元，净利润分别为5,189.11，14,141.89和9,820.95万元，扣非净利润分别为6,867.81，13,955.56和8,762.74万元。

预计 2020年1-9月营业收入64,000.00万元至65,500.00万元，之后增长18.05％至20.82％，归属于上市公司股东的净利润 9,200.00万元至9,700.00万元，增长44.82％至52.69％

四，未来布局

未来三年，公司将巩固和加强功率  MOSFET和IGBT产品的国内领先地位，建成先进的功率集成器件及模块产品特色封装产线，布局SiC / GaN新材料宽禁带半导体，不断开发高功率密度，低功耗，集成度更高的功率MOSFET和IGBT产品，丰富的现有系列产品规格型号，拓宽公司产品应用领域。