IGBT
公司大功率IGBT已经量产，并积极开展产学研合作，持续跟踪SiC、GaN等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。
第三代半导体
公司表示积极跟踪和研发以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，通过持续技术创新实现公司产业升级

EDA
互动易表示:公司现有工程师开展仿真设计工作，支持产品设计和应用，但手段和规模都很小，不能满足新产品和新项目的需要。“建设EDA仿真中心”是公司本次非公开发行股票募投项目建设内容的一部分。
IGBT
公司大功率IGBT已经量产，并积极开展产学研合作，持续跟踪SiC、GaN等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。
第三代半导体
公司表示积极跟踪和研发以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，通过持续技术创新实现公司产业升级

EDA
互动易表示:公司现有工程师开展仿真设计工作，支持产品设计和应用，但手段和规模都很小，不能满足新产品和新项目的需要。“建设EDA仿真中心”是公司本次非公开发行股票募投项目建设内容的一部分。