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智齿要拔光
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智齿要拔光
不讲武德的老司机
2022-08-01 07:43:51
万业股份的芯片业务华丽转身
7月29日,据上海积塔半导体设备中标结果公告显示,万业企业(600641.SH)旗下嘉芯迦能公司成功中标上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目7台薄膜沉积设备,包括6台高密度等离子薄膜沉积设备(HDP-CVD)和1台二氧化硅等离子薄膜沉积设备(PECVD)。 另据介绍,7月万业企业旗下嘉芯闳扬的快速热处理设备(RTP)、嘉芯迦能的薄膜沉积设备均成功跻身上海积塔特色工艺产线。 万业近年转型加速,在芯片的全产业链上布局出手频频。离子注入机业务已步入正轨,凯世通公司的订单日趋饱满。嘉芯项目速度惊
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今年是风光大基地项目建设发力产
从2021国家推动西北内蒙沙戈荒地区风光大基地建设以来,各地项目陆续落地开工,目前已进入紧张推进阶段,少数项目已接近并网。 三峡能源大力开发海上风电同时,深入推动以沙漠、戈壁、荒漠地区为重点的大型风光基地开发,开拓发展抽水蓄能、新型储能、氢能等新兴业务。在国家首批约 1 亿千瓦大型风电光伏基地项目中,公司获取 685 万千瓦基地项目。 中国石油重点推动“风光气储一体化”风电光伏项目,在西部油区积极参与国家以沙漠、戈壁、荒漠治理为主的风电光伏基地建设项目。 甘肃省“十四五”第一批、第二批风电、光伏
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时代电气提升碳化硅芯片的生产能力
公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目,项目建设工期24个月。项目建成达产后,将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。 SiC市场的增长主要来源于市场需求的增加,由于其带隙较宽、击穿场强、热导率强,目前主要应用于电源、新能源汽车、电机驱动、光伏和储能等领域。随着
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万业企业子公司拓展迅速,新业务中标
据上海积塔半导体设备中标结果公告显示,7月19日,万业企业(600641.SH)旗下嘉芯闳扬成功中标上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目快速热处理(RTP)设备。 快速热处理(RTP)是集成电路晶圆厂(Foundry)在芯片制造前道工艺中所需的关键设备,用于晶圆加工和多类芯片(Logic逻辑、3DNAND闪存、DRAM动态记忆体、PowerIC功率半导体、CMOS图像传感器)制造的氧化、扩散和退火制程。 嘉芯项目建设十分迅速,厂房基本上已经完成。但是公司已通过租赁园区用房方式开展二手设备
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时代电气子公司力压阳光电源中大标
华电云南公司光伏电站项目采购中标公示。中标价3.696亿。
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35kv高压级联正式走入储能市场
7月18日,广州智光电气股份有限公司(以下简称“智光电气”)控股子公司广州智光储能科技有限公司(以下简称“智光储能”)、中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司(以下简称“华能清能院”)、上海交通大学(以下简称“上海交大”)在线上进行了“级联型35kV高压直挂大容量电化学储能系统”新品发布。 发布会上,华能清能院储能技术部主任刘明义代表研发团队做研制工作汇报,就“研究内容、研发历程、产品基本情况、主要功能特点”等内容展开介绍。智光储能常务副总经理付金建则针对“面向吉瓦时电站的高压级联储能系统”进行
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万业股份的芯片业务华丽转身
7月29日,据上海积塔半导体设备中标结果公告显示,万业企业(600641.SH)旗下嘉芯迦能公司成功中标上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目7台薄膜沉积设备,包括6台高密度等离子薄膜沉积设备(HDP-CVD)和1台二氧化硅等离子薄膜沉积设备(PECVD)。 另据介绍,7月万业企业旗下嘉芯闳扬的快速热处理设备(RTP)、嘉芯迦能的薄膜沉积设备均成功跻身上海积塔特色工艺产线。 万业近年转型加速,在芯片的全产业链上布局出手频频。离子注入机业务已步入正轨,凯世通公司的订单日趋饱满。嘉芯项目速度惊
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今年是风光大基地项目建设发力产
从2021国家推动西北内蒙沙戈荒地区风光大基地建设以来,各地项目陆续落地开工,目前已进入紧张推进阶段,少数项目已接近并网。 三峡能源大力开发海上风电同时,深入推动以沙漠、戈壁、荒漠地区为重点的大型风光基地开发,开拓发展抽水蓄能、新型储能、氢能等新兴业务。在国家首批约 1 亿千瓦大型风电光伏基地项目中,公司获取 685 万千瓦基地项目。 中国石油重点推动“风光气储一体化”风电光伏项目,在西部油区积极参与国家以沙漠、戈壁、荒漠治理为主的风电光伏基地建设项目。 甘肃省“十四五”第一批、第二批风电、光伏
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时代电气提升碳化硅芯片的生产能力
公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目,项目建设工期24个月。项目建成达产后,将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。 SiC市场的增长主要来源于市场需求的增加,由于其带隙较宽、击穿场强、热导率强,目前主要应用于电源、新能源汽车、电机驱动、光伏和储能等领域。随着
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万业企业子公司拓展迅速,新业务中标
据上海积塔半导体设备中标结果公告显示,7月19日,万业企业(600641.SH)旗下嘉芯闳扬成功中标上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目快速热处理(RTP)设备。 快速热处理(RTP)是集成电路晶圆厂(Foundry)在芯片制造前道工艺中所需的关键设备,用于晶圆加工和多类芯片(Logic逻辑、3DNAND闪存、DRAM动态记忆体、PowerIC功率半导体、CMOS图像传感器)制造的氧化、扩散和退火制程。 嘉芯项目建设十分迅速,厂房基本上已经完成。但是公司已通过租赁园区用房方式开展二手设备
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时代电气子公司力压阳光电源中大标
华电云南公司光伏电站项目采购中标公示。中标价3.696亿。
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7月18日,广州智光电气股份有限公司(以下简称“智光电气”)控股子公司广州智光储能科技有限公司(以下简称“智光储能”)、中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司(以下简称“华能清能院”)、上海交通大学(以下简称“上海交大”)在线上进行了“级联型35kV高压直挂大容量电化学储能系统”新品发布。 发布会上,华能清能院储能技术部主任刘明义代表研发团队做研制工作汇报,就“研究内容、研发历程、产品基本情况、主要功能特点”等内容展开介绍。智光储能常务副总经理付金建则针对“面向吉瓦时电站的高压级联储能系统”进行
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万业股份的芯片业务华丽转身
7月29日,据上海积塔半导体设备中标结果公告显示,万业企业(600641.SH)旗下嘉芯迦能公司成功中标上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目7台薄膜沉积设备,包括6台高密度等离子薄膜沉积设备(HDP-CVD)和1台二氧化硅等离子薄膜沉积设备(PECVD)。 另据介绍,7月万业企业旗下嘉芯闳扬的快速热处理设备(RTP)、嘉芯迦能的薄膜沉积设备均成功跻身上海积塔特色工艺产线。 万业近年转型加速,在芯片的全产业链上布局出手频频。离子注入机业务已步入正轨,凯世通公司的订单日趋饱满。嘉芯项目速度惊
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从2021国家推动西北内蒙沙戈荒地区风光大基地建设以来,各地项目陆续落地开工,目前已进入紧张推进阶段,少数项目已接近并网。 三峡能源大力开发海上风电同时,深入推动以沙漠、戈壁、荒漠地区为重点的大型风光基地开发,开拓发展抽水蓄能、新型储能、氢能等新兴业务。在国家首批约 1 亿千瓦大型风电光伏基地项目中,公司获取 685 万千瓦基地项目。 中国石油重点推动“风光气储一体化”风电光伏项目,在西部油区积极参与国家以沙漠、戈壁、荒漠治理为主的风电光伏基地建设项目。 甘肃省“十四五”第一批、第二批风电、光伏
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公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目,项目建设工期24个月。项目建成达产后,将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。 SiC市场的增长主要来源于市场需求的增加,由于其带隙较宽、击穿场强、热导率强,目前主要应用于电源、新能源汽车、电机驱动、光伏和储能等领域。随着
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从2021国家推动西北内蒙沙戈荒地区风光大基地建设以来,各地项目陆续落地开工,目前已进入紧张推进阶段,少数项目已接近并网。 三峡能源大力开发海上风电同时,深入推动以沙漠、戈壁、荒漠地区为重点的大型风光基地开发,开拓发展抽水蓄能、新型储能、氢能等新兴业务。在国家首批约 1 亿千瓦大型风电光伏基地项目中,公司获取 685 万千瓦基地项目。 中国石油重点推动“风光气储一体化”风电光伏项目,在西部油区积极参与国家以沙漠、戈壁、荒漠治理为主的风电光伏基地建设项目。 甘肃省“十四五”第一批、第二批风电、光伏
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7月18日,广州智光电气股份有限公司(以下简称“智光电气”)控股子公司广州智光储能科技有限公司(以下简称“智光储能”)、中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司(以下简称“华能清能院”)、上海交通大学(以下简称“上海交大”)在线上进行了“级联型35kV高压直挂大容量电化学储能系统”新品发布。 发布会上,华能清能院储能技术部主任刘明义代表研发团队做研制工作汇报,就“研究内容、研发历程、产品基本情况、主要功能特点”等内容展开介绍。智光储能常务副总经理付金建则针对“面向吉瓦时电站的高压级联储能系统”进行
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公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目,项目建设工期24个月。项目建成达产后,将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。 SiC市场的增长主要来源于市场需求的增加,由于其带隙较宽、击穿场强、热导率强,目前主要应用于电源、新能源汽车、电机驱动、光伏和储能等领域。随着
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