【东吴电新】HJT创新成果大会要点:三减一增,实现最优LCOE
减银(苏州晶银):银包铜解决方案
#产能: 银浆产能1000吨、低温银浆200吨一年
#降银: 1、印刷细线化;2、银包铜替换
#客户导入: 低温银浆已量产供货国内外10家;银包铜5家通过可靠性,3家批量出货
#验证: ①50%银包铜细栅已进入批量量产,在多家实证电站中运行,目前无异常;②43%银包铜细栅已通过4倍IEC可靠性测试,正在进行5倍测试;③65%主栅+50%细栅组件通过5倍IEC,正在进行6倍
减栅(迈为股份):无主栅工艺方案
#目的: MBB银耗18mg/W,其中主栅8mg/W,NBB(无主栅)可有效降银耗。(目标12mg/W)
#工艺: 不同于第一代NBB(Smart Wire)用层压来焊接,迈为推出第二代NBB,串联动作和合金化同步实现,后点胶固化
#优点: ①对准要求低②超低温焊接(180度左右)③低银耗④焊接可监控
减硅(高测股份):硅片薄片化
#厚度: HJT已实现120μm硅片规模化量产,更薄硅片(80μm)研发中。
#细线化: 目前应用34/36μm,测试最细30μm以下
#工艺: HJT半片切割调整到硅片环节,不影响产能情况下实现双棒切割。
增光(赛伍技术):UV光转膜
#结构: EPE胶膜+UV光转物质"镭博"
#价格: UV光转膜约20元/平(溢价10元),成本13-15元
#原理: UV(紫外线)会使HJT电池中非晶或微晶硅表面Si-H基团破坏,造成组件功率衰减。现有封装方案为EPE截止膜滤过UV,造成组件功率偏低。光转膜将紫外转为可见光(蓝光),避免衰减并增加能量利用。
#可靠性: 光转膜封装组件满足3倍IEC,"镭博">50年可靠性
#实证: 光转膜组件比截止膜组件STC功率平均高1.22%;单瓦发电量比高透膜高3.19%/截止膜组件高0.9%。实证3月后光转膜HJT组件平均衰减率0.30%(PERC为0.84%,)。
#HJT其他材料: 高阻水封边胶(客户测试中,代替丁基胶)、非铝高阻水背板(在研)
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