抛光环节国内市场空间60亿，抛光垫20亿，未来五年整体市场空间翻5倍，主要得益于晶圆厂扩产+3DNAND芯片层数增加。3D NAND每多一层就要抛光一次，长存长制程切换64128层将带来35-40%增量。此外，清洗液已布局5年，客户端测试顺利；抛光液下半年送样；金刚石修整盘在研发阶段。

竞争格局：此前由美国陶氏（D0W）全球垄断，目前国内D0W市占率90%，鼎龙市占率接近10%，而抛光液由3、4家龙头厂商寡头垄断，无其他竞争者，格局良好。原因：市场空间小+研发周期长、难度高。鼎龙十年技术积累，成功突破，并且进入长存一供；长期垄断下国内晶圆厂国产替代意愿强烈；以未来50%国内市占率计算，叠加晶圆厂扩产/存储制程升级的5倍需求将有25倍市场空间，利润率弹性将更加明显。

产能：抛光垫一期18万片已投产，当前已满产，良率70-80%在爬坡，二期18万片今年最晚10月投产，目标产能年底达到30-40W片，即明年对应营收8-10亿。

盈利预测：2021年营收上看25亿+，净利3.5亿。远期40亿净利可期。