【碳化硅SiC产业链】近期调研精华
夜长梦山
2023-12-25 20:40:11
【碳化硅SiC产业链】近期调研精华
👉衬底：国产化进程快，8寸为弯道超车机遇。
国产衬底厂在碳化硅上实现了0到1的突破，开始获得国外订单，早期主要改善二极管，将缺陷改善至1万以下，2022年实现综合缺陷降到3-4k以下做出了MOSFET，外国芯片大厂例如英飞凌、ST、博世等开始采购国内衬底，对国内衬底进行8-9个月左右的测试，目前国外器件厂对8寸态度更积极，希望尽早确定8寸供应商，目前8寸的片子国内外差别不大，给国内衬底厂提供了弯道超车机会。
👉长晶设备：电阻法更适合8寸。
电阻法可以采用多段独立加热器，感应法下不同线圈发射的电磁波有干扰，而电阻加热更容易设计多个独立的可控加热器，满足8寸晶体生长的需要；同时晶体直径越大，径向梯度调节越难，电阻法设备本身的径向梯度小，更适合大尺寸晶体生长，能够获得更接近面的晶体生长界面，提高晶体材料利用率。目前主攻电阻法设备优晶光电的主要客户包括东尼、通威、英飞凌、中晶、弘元等。
👉激光切片：效率&良率均优于线切，放量关键在8寸。
激光加工能力强，对材料一致性的要求也很高，考虑良率后每20分钟可以切一片，一天切割大约72片，每年一台机器的产能大约为2.6万片左右，同时比线切能多切割20-30%的材料。目前国内以6寸片为主，线切割是主要的切割工艺，未来8寸放量后激光切割在良率等方面会更具优势，明年激光切割工艺会更加成熟，材料的均匀性也会更好，传统的线切割和研磨在8寸晶片上可能会遇到一些瓶颈。
👉外延炉：快速国产替代中。
国外外延设备龙头主要为意大利LPE、德国Aixtron、日本Nuflare，但交期较长，最近一年快速实现国产替代，国内相关设备厂商包括晶盛机电（龙一，国内出货量最多）、北方华创、纳设智能（未上市，估值约50亿元），以单腔、水平气流为主，月产能约为300~500片。
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