先进封装在半导体产业的比重稳步提升，其发展与通孔互连技术的演进和加工精度的提高息息相关。在高密度、高集成度先进电子系统时代，实现高性能 SiP 和 AiP 应用的中介层和基板至关重要。

玻璃通孔 (TGV)为具有挑战性且昂贵的硅技术提供了一种成本更低、损耗更低的替代方案。面向未来，TGV基板将在3D集成半导体封装广泛应用。TGV将助力英特尔超越Intel 18A制程节点，达成2030年之前在单一封装中提供1万亿个晶体管的宏愿。

什么是玻璃通孔（TGV）
TGV，Through Glass Via，是穿过玻璃基板的垂直电气互连。与TSV（Through Silicon Via）相对应，作为一种可能替代硅基板的材料被认为是下一代三维集成的关键技术。

TGV 以高品质硼硅玻璃、石英玻璃为基材，通过种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化、RDL再布线，bump工艺引出实现3D互联。TGV是直径通常为10μm-100μm的微通孔。对于先进封装领域的各种应用，每片晶圆上通常需要应用数万个TGV通孔并对其进行金属化，以获得所需要的导电性。

与硅基板相比：玻璃通孔互连技术具有优良的高频电学特性、大尺寸超薄玻璃基板成本低、工艺流程简单、机械稳定性强等优势。可应用于2.5D/3D晶圆级封装、芯片堆叠、MEMS传感器和半导体器件的3D集成、射频元件和模块、CMOS 图像传感器 (CIS)、汽车射频和摄像头模块。基于此，玻璃通孔三维互连技术成为当前先进封装的研究热点。
光学：高透明度、低荧光；

化学和机械：高耐化学性和化学惰性、各向同性、良好的机械稳定性、低热膨胀、热膨胀系数可调；

电气：完美的隔离器、低插入损耗、光滑的表面可实现细线光刻；

厚度减少，性能密度提升，成本和功耗降低。英特尔称，其玻璃基板技术能够将单个封装中的芯片区域增加50%，从而可以塞进更多的Chiplet；与ABF塑料相比，它的厚度可以减少一半左右，减薄可以提高信号传输速度和功率效率；

成分可变：从而可以根据特定应用定制玻璃特性；

板级定制：玻璃可以厚度50µ-100µm至 900μm的晶圆和大面板的形式制造。当前TGV从6英寸晶圆至12英寸晶圆，发展到510 x 515mm、457 x 610mm、600 x 600mm、1500x 800mm的面板。熔合成型工艺能够形成大尺寸超1000mm的高质量基材。为应这些挑战，目前仅有Corning、Asahi以及SCHOTT等玻璃厂商可以提供超大尺寸（>2m × 2m）和超薄（<50µm）的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料。

英特尔一直是玻璃基板领域的探索引领者，以实现更强大的算力获得规模最大、利润最高的产品。2023年9月18日，英特尔推出基于下一代先进封装的玻璃基板开发的最先进处理器，通孔节距75μm，计划于2026~2030年量产。并称该成果将重新定义芯片封装的边界，能够为数据中心、人工智能和图形构建提供改变游戏规则的解决方案，推动摩尔定律进步。此外，英特尔研发的共同封装光学元件技术（CPO） ，可通过玻璃基板设计，利用光学传输的方式增加信号。

哪里用到TGV？

英特尔旗帜鲜明地用玻璃基板讨伐硅基板得到了业界对玻璃通孔（TGV）技术及基板性能的极大兴趣和未来憧憬。

今后，英特尔将生产面向数据中心的系统级封装（SiP），具有数十个小瓦片（tile），功耗可能高达数千瓦，且需要非常密集的Chiplet互连，同时确保整个封装在生产过程中或使用过程中不会因热量而弯曲。而未来数年硅基板将难以胜任这些挑战任务。英特尔预计，玻璃基板具有卓越的机械、物理和光学特性，使该公司能够构建更高性能的多芯片SiP，在芯片上多放置50%的裸片。特别是，英特尔预计玻璃基板能够实现容纳多片硅的超大型24×24cm SiP。

下面是部分逻辑

S光力科技(sz300480）S 公司生产的半导体切割划片机广泛应用于集成电路、功率半导体器件、MiniLED、传感器等多种产品，可以实现对硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、陶瓷、水晶、石英、玻璃等多种材料的划切，可以应对玻璃基板的切割需求

S帝尔激光(sz300776）S 公司的TGV激光微孔设备，通过精密控制系统及激光改质技术，实现对不同材质的玻璃基板进行微孔、微槽加工，为后续的金属化工艺实现提供条件，可以应用于玻璃基板封装等相关领域。目前公司已经实现小批量订单