据陈海峰教授介绍,氧化镓是一种超宽禁带半导体材料,具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性,在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成,同时拥有成本低和散热好等优势。
氧化镓是继碳化硅、氮化镓等第三代半导体之后的新一代半导体材料,主要应用于通信、雷达、航空航天、高铁动车、新能源汽车等领域的辐射探测领域的传感器芯片,以及在大功率和超大功率芯片。凭借其强大的优异的性能和强大的应用潜力而受到业界高度关注。
尽管氧化镓的发展尚处于初期研发阶段,但近年来,我国已经屡获突破。2022年12月,铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底生长技术的产业化公司。
2023年2月,我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备,中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构,突破了6英寸氧化镓单晶生长技术,可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制。