电光调制器是超高速数据中心和相干光传输的核心光器件，体材料铌酸锂具备优势。电光调制器通过调制将通信设备中的高速电子信号转化为光信号，是光通信系统中不可或缺的一环。目前光调制的技术主要基于硅光、磷化铟和铌酸锂三种材料平台的电光调制器。其中铌酸锂电光系数显 著高于磷化铟，而硅没有直接电光系数，因而铌酸锂调制器是大容量光纤传输网络和高速光电信 息处理系统中的关键器件。

 

薄膜铌酸锂调制器芯片突破原有瓶颈，具有性能高、尺寸小、成本低的特性，有望成为高速光互联新宠。新一代薄膜铌酸锂调制器芯片技术将解决尺寸大不利于集成的问题。铌酸锂材料通过新 型微纳工艺，在硅基衬底上蒸镀二氧化硅（SiO2）层，将铌酸锂衬底高温键合构造出解理面，最 后剥离出铌酸锂薄膜。该工艺下制备出的薄膜铌酸锂调制器芯片具有高性能、低成本、小尺寸、 可批量化生产且与 CMOS 工艺兼容等优点，是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。

薄膜铌酸锂调制器芯片的关键制备技术为铌酸锂薄膜的图形化。铌酸锂单晶薄膜相对较硬，组分特殊，难以刻蚀。目前已公开的铌酸锂薄膜图形化技术路线中，主要包括电子束光刻（EBL）+干 法刻蚀/湿法刻蚀、紫外+干法刻蚀、DUV+干法刻蚀四种。其中，相对于湿法刻蚀，干法刻蚀对 薄膜铌酸锂的形貌和刻蚀速率的可控性更高，运用 EBL+干法刻蚀的路线能够充分发挥电子束光 刻加工精度高、版图设计灵活、无需掩膜版直接曝光等优点。

 

薄膜铌酸锂技术壁垒高，行业先发优势或成卡位关键。电信级铌酸锂高速调制器芯片产品设计难度大，工艺非常复杂。根据智研咨询数据，全球主要批量供货体材料铌酸锂调制器的企业为富士通、住友和光库科技三家。而薄膜铌酸锂在此基础上通过上下分布二氧化硅压缩光斑，拉近电极 的距离，提高电场、射频带宽，技术壁垒再上一个台阶。目前在薄膜铌酸锂领域已有布局的厂商 或可保持先发优势，深度收益于超高速率电光调制器需求提升。 

 

薄膜铌酸锂调制器产业链有望借势打开局面，福晶科技、光库科技等厂商具备关键核心能力。福晶科技是全球非线性光学晶体龙头，开展独立自主研发，能够提供各种规格高质量的铌酸锂晶体， 相关产品已成功推向 Lumentum 等光器件厂商。光库科技在 2019 年收购 Lumentum 的铌酸锂高 速率调制器生产线进入该领域，掌握了包括芯片设计、芯片制程、封装和测试等核心技术，具备 开发 800G 及以上速率的薄膜铌酸锂调制器芯片和器件的关键能力。