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CoWoS:算力芯片稀缺赛道,产业格局梳理
不见利就追
公社达人
2023-08-31 12:18:01
随着摩尔定律趋向于极限,当前最小线宽已达到几纳米,进一步缩小特征尺寸变得非常困难,先进制程大芯片的代工价格高速上涨,芯片异构等解决方案开始兴起,先进封装也成为半导体产业的下一个突破方向。
当前AI新一波浪潮背景下,芯片对先进封装技术的需求日益提升,CoWoS封装技术成为主流。
先进封装业务客户需求强劲,台积电预计供应紧张持续到明年底, CoWoS 产能将增加大约一倍。
台积电于2011年开始布局先进封装,2012年台积电与赛灵思共同开发集成电路封装解决方案CoWoS,2013年CoWoS在赛灵思28nm的FPGA上量产,之后随着AI的发展被大量采用,包括英伟达的GP 100、谷歌的TPU 2.0等,该封装技术已成为高性能和高功率设计的实际行业标准。
从技术来看,台积电重心在发展扇出型封装InFO(Integrated Fan Out,整合扇出型封装)、2.5D封装CoWoS(
Chip-on-Wafer-on-Substrate,基板上晶圆上芯片封装)和3D封装SoIC(System-on-Integrated-Chips,集成芯片系统)。
其中,CoWoS(全称Chip on Wafer on Substrate,)是一项2.5D封装技术,采用的是无源转接板。
COW:将计算核心、I/Odie、HBM等芯片封装在Interposer上,即为CoWoS(chiponwaferonsubstrate)的chiponwafer环节。
OS:完成CoW封装的整个系统在封装基板上封装,这一步即CoWoS的onsubstrate环节,其封装方式与传统的FCBGA的后段封装基本类似。
其主要工艺特点包括:通过微凸点将多颗芯片并排键合至硅基无源转接板晶圆上,形成芯片至晶圆(Chip on Wafer, CoW)装配体;减薄晶圆背面以露出TSV;制备可控塌陷芯片连接(C4)凸点;④切割晶圆并将切好的晶圆倒装焊至封装基板(Substrate)上,形成最终的CoWoS封装。
台积电CoWoS封装流程及厂商分工:

 
资料来源:台积电、各公司公告、华泰研究
在过去十年间,CoWoS-S技术已经迭代了五代,在中介层尺寸、晶体管数量、存储容量和电源完整性/信号完整性等方面都有了长足的进步。
CoWoS平台主要包括三类:CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L。
CoWoS-S技术为台积电历史最悠久的技术,是CoWoS平台最大的亮点,适用高速运算产品,是目前HBM与GPU之间封装的主流方案。
目前几乎所有的GPU和ASIC都需要芯片和显存/内存的高速连接,并且对于显存/内存而言越大越好。
由于对尖峰性能的极致追求,目前的封装方案中只有CoWoS-S能满足需求,而CoWoS-S目前由台积电独家掌握。
台积电的CoWoS封装工艺架构:

 
资料来源:EETOP
CoWoS-S为最早开发的系列,芯片通过Chip on Wafer(CoW)的封装制程连接至硅晶圆,再把CoW芯片与基板(Substrate)连接,整合成CoWoS。其采用硅中介层,可以为高性能计算应用提供更高的性能和晶体管密度,主要应用在HBM和HPC。
CoWoS-R为扇出型晶圆级封装,采用RDL中介层,利用InFO技术进行互连,更强调小芯片间的互连,使用重布层连接。可以将芯片、HBM和被动元器件等组件集成到有机中介层中,并具有较好的良率和可靠性。
CoWoS-L融合CoWoS-S和InFO技术优势,使用夹层与LSI(局部硅互连)芯片进行互连,使用RDL层进行电源和信号传输,能够集成其他元素,例如独立的IPD,位于SoC芯片正下方,支持其信号通信,提供更好的PI/SI。
CoWoS-S发展路线图:

 
资料来源:TSMC
目前看到MI300已经将HBM堆到192GB,预计后续的Training芯片的显存将突破200GB。
英伟达、博通、谷歌、亚马逊、NEC、AMD、赛灵思、Habana等公司已广泛采用CoWoS技术。
英伟达A100芯片采用台积电7nm工艺,集成超过540亿个晶体管。在封装模式上采用台积电第4代CoWoS技术封装了其A100 GPU系列产品,将1颗英伟达A100 GPU芯片和6个三星电子的HBM2集成在一个1700 mm2的无源转接板上。

 
根据TrendForce集邦咨询统计,英伟达在A100及H100等相关AI Server需求的带动下,对CoWoS产能的需求将大幅提升,加之AMD、Google等高端AI芯片的需求增长,CoWoS产能2023四季度或将供不应求。
目前市面上的算力芯片Chiplet方案大多以CoWoS为主,主要封装环节包括中段的晶圆级封装和后段的COW+OS。其中OS封装环节与传统的FC-BGA类似,率先开放给第三方封测厂商。
国内主要封装厂商包括长电科技、通富微电、华天科技、甬矽电子、伟测科技等。
国产供应链Chiplet方案,中段的晶圆级封装(Bumping)和后段的COW环节将是主要的价值量增量和国产封测厂商发力的主要方向。国内Bumping工艺的领先厂商包括盛合晶微、长电科技、甬矽电子、通富微电等。
同时,围绕这些环节的设备、材料供应链有望受益先进封装市场增长带来的增量需求。
设备供应商方面,华峰测控、长川科技、新益昌等公司分别在测试机、分选机、探针台、固晶机、焊线机等关键测试封装设备领域实现国产化突破,替代空间广阔。
材料供应商方面,IC载板作为集成电路核心封装材料,全球产能集中于日本、韩国和中国台湾地区,国内高端IC载板玩家主要有兴森科技、珠海越亚、深南电路等厂商。
整体来看,台积电3D封装结构为世界领先,目前在2.5D/3D封装技术上发展超过十年,为业内2.5D/3D封装的头交椅。其客户定位在本身晶圆代工的高端客户,包含苹果、AMD、Google、英伟达等,自2016年InFO技术推出独享苹果A系列处理器后,台积电在立体结构先进封装领域已经独占鳌头,未来有望持续引领先进的三维封装技术发展。

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  • 王侯将相
    超短低吸的老韭菜
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    2023-08-31 21:01
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  • 只看TA
    2023-08-31 20:37
    谢谢分享
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