近期碳化硅板块或受市场风格的影响调整较多，但行业的趋势及国内产业化进程仍十分迅速，我们近日发布百页深度报告，主要观点汇报如下:

[烟花]1.产业空间:性能完美替代，SiC器件未来将逐步替代传统硅基器件。碳化硅更是电驱系统向800V高电压升级的核“芯”，解决电动汽车里程焦虑和充电速度慢两大核心痛点，2030年碳化硅市场规模将超300亿美元，2021到 .2030年复合增速预计高达50.6%。

[烟花]2.产业格局:美国厂商占据主导地位，国内度过产业化元年。Wolfspeed的出货量占据了全球的45%。2021 年是国内SiC产业化元年，2021年- -季度国内新增SiC项目合计投资金额达到630亿元，超过2020年全年的水平，达到2012-2019年合计值的5倍以上。

[烟花]3.供需拆解:“得材料者得天下”，产业放量的核心看衬底工艺的突破。碳化硅衬底是整个碳化硅产业链中成本占比最大、技术门槛最高的环节，对产业放量起着决定性作用。根据我们的模型测算，2026年全球SiC衬底有 效产能为330万片，距离同年的衬底629万片的需求量仍有较大差距。在业内形成稳定且较高的良率规模化出货前，整个行业都将持续呈现供不应求的格局。因此，对于下游厂商而言，谁能够锁定头部材料厂商的优质产能，谁就能够在这一轮产业浪潮中提前抢滩登陆，抢占先机。目前上游大厂(如wolfspeed) 的长期供货订单基本都被国际半导体巨头锁定。

[烟花]4.趋势思考: IDM模式可能会成为未来产业主流模式，同时可能会出现上下游互相渗透的现象。碳化硅产业具有IDM模式生存发展的土壤。. 上游衬底厂商把握着碳化硅产业链最核心的产能资源;下游器件厂商则具备完善的产线、成熟的客户资源等一系列先发优势， 有望通过并购和合作等方式向上游材料端延伸。

[礼物]建议关注相关企业:三安光电、天岳先进等。

风险提示:上游材料端良率及产能提升不及预期;下游渗透率提升不及预期; SiC成本 下降不及预期等。