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修行在心，不贪不嗔，不为遇佛，只为见己。

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中线波段的老韭菜

2023-03-23 15:21:07

半导体材料(3)-电子特气

电子特种气体又称电子特气，是电子气体的一个分支，相较于传统工业气体，纯度更高，其中一些具有特殊用途。电子特气下游应用广泛，是集成电路、显示面板、太阳能电池等行业不可或缺的支撑性材料。生产过程 SS 特种气体的主要生产工序包括气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测。气体合成是将原料在特定压力、温度、催化剂等条件下，通过化学反应得到气体粗产品。气体纯化是通过精馏、吸附等方式将粗产品精制成更高纯度的产品。气体混配是将两种或两种以上有效组分气体按照特定比例混合，得到多组分均匀分

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2023-03-16 21:59:07

半导体材料(1)-溅射靶材

靶材是薄膜沉积PVD工艺中溅射工艺的源头材料，又称溅射靶材，是制备晶圆、显示面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。溅射原理溅射过程：真空状态下，用加速的离子(Ar离子)轰击靶材表面，离子和表面表面原子交换动量，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基底表面形成所需要的薄膜，这一过程称为溅射。靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺（行业俗称绑定技术）进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良

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有研新材
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江丰电子

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2023-03-14 14:29:11

半导体设备系列(11)-热处理设备

在半导体工艺中，热处理是不可或缺的重要工艺之一。热处理过程是指将晶圆放置在充满特定气体的环境中对其施加热能的过程，包括氧化/扩散/退火等。热处理应用热处理设备主要应用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺。氧化（Oxidation）是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，是集成电路工艺中应用较广泛的基础工艺之一。氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层

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北方华创

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2023-03-13 15:25:43

半导体设备系列(10)-过程控制检测

电子系统故障检测存在“十倍法则”，即如果一个芯片中的故障没有在芯片测试时发现，则在电路板（PCB）环节发现故障的成本为芯片级别的十倍。因此，检测在半导体产业中扮演着十分重要的角色，从设计验证到最终测试都不可或缺，贯穿整个半导体制造过程半导体检测的分类及应用半导体检测包括设计验证测试、工艺控制检测、晶圆测试（CP，Circuit Probe）和成品测试（FT，Final Test）。从涉及的设备类型来看，工艺工程控制测试可分为一类，设计验证测试、CP测试以及FT测试可以归为一类。工艺控制检测

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中微公司

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2023-03-12 23:34:53

半导体设备系列(9)-CMP抛光设备

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一，作用是实现晶圆全局均匀平坦化。CMP在前道制程中应用最为广泛，在各种薄膜沉积工艺之后、光刻工艺之前被多次重复使用。此外，CMP在硅片制造的抛光环节、后段封装中的先进封装中也有所应用。 CMP原理与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合起来，实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得

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华海清科

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2023-03-11 22:01:39

半导体设备系列(8)-清洗设备

清洗是贯穿半导体产业链的重要工艺环节，用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能存在的杂质，避免杂质影响芯片良率和芯片产品性能。半导体清洗主要是针对不同的工艺需求对晶圆表面进行无损伤清洗以去除半导体制造过程中的颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物、牺牲层、抛光残留物等杂质。目前，随着芯片制造工艺先进程度的持续提升，对晶圆表面污染物的控制要求不断提高，每一步光刻、刻蚀、沉积等重复性工序后，都需要一步清洗工序，对清洗设备的需求也相应增加。 1. 清洗原理及分类目前半导体清洗技术主要分

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北方华创
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芯源微
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至纯科技

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2023-03-09 13:47:52

半导体设备系列(6)-离子注入机

为改变半导体载流子浓度和导电类型需要对半导体表面附近区域进行掺杂。掺杂通常有两种方法：一是高温热扩散法，即将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内的一种方法；二是离子注入法，通过离子注入机的加速和引导，将要掺杂的离子以离子束形式入射到材料中去。离子注入机是集成电路前道工序中的关键设备。 1. 工作原理离子注入机主要由五部分组成：离子源、磁分析器、加速管或减速管、聚焦和扫描系统、工艺腔(靶室和后台处理系统)。各部分功能如下：离子源：用来产生离子的装置。原理是通过钨灯丝、射频或和微波等

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万业企业

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2023-03-08 20:35:35

半导体设备系列(5)-去胶设备

去胶是光刻工艺中的最后一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后，晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过去胶工艺进行完全清除，避免影响后续集成电路芯片制造工艺效果。 1. 分类及原理去胶工艺可分为湿法和干法两类。湿法去胶工艺使用溶剂对光刻胶等进行溶解；干法去胶工艺可视为等离子刻蚀技术的延伸，主要通过等离子体和薄膜材料的化学反应完成。湿法去胶：湿法去胶中使用的溶剂包括有机溶剂以及无机溶剂。有机溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂等；而无机溶剂则主要是硫酸和双氧水等，将光刻胶中的碳元素氧

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北方华创

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半导体设备系列(1)-总况

1. 概念半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，被广泛应用于各种电子产品中。半导体产品可细分为四大类：集成电路、分立器件、光电子器件和传感器。集成电路作为半导体产业的核心，占据半导体行业规模的八成以上，其细分领域包括逻辑芯片、存储器、微处理器和模拟芯片等，被广泛应用于 5G 通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。从产业链的角度看，半导体产业链涉及材料、设备等支撑性行业，芯片设计、晶圆制造和封测行业，半导体产品终端应用行业等。以

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北方华创
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中微公司

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2023-02-28 17:36:51

光伏行业2022年发展回顾及2023年形势展望

023年2月16日，由中国光伏行业协会主办的“光伏行业2022年发展回顾与2023年形势展望研讨会”在北京顺利召开。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华出席会议并作报告。2022年全年，我国光伏制造各环节产量均同比上涨55%以上，我国新增装机量为87.41GW。制造端 2022年，我国光伏制造端各环节发展概况：多晶硅产量82.7万吨，同比增长63.4%；硅片产量357GW，同比增长57.5%；电池片产量318GW，同比增长60.7%；组件产量288.7GW，同比增长58.8%。产业集中度

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鹿山新材

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光伏铜电镀技术

降本增效是光伏行业的永恒主题。对于新型光伏电池片技术，金属化环节的银耗量成为了影响电池成本的关键因素之一。尤其是对于异质结HJT技术，由于其低温工艺限制，需要使用价格更高的低温银浆，导致其综合成本居高不下。降低银耗量成为金属化环节降本关键。铜电镀工艺铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术，在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，收集光伏效应产生的载流子。与半导体、PCB领域电镀铜工艺类似，光伏电池通过制备种子层、图形化、电镀、后处理制作铜的非接触式金属化电极，实现“以铜代银” ，制成包

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IBC-交叉背接触电池

光伏电池技术从早期的铝背场电池BSF (Aluminium Back Surface Field)，到目前市占率高达90%以上的PERC电池(Passivated Emitter and Rear Contact，发射极钝化和背面接触)，降本增效是其永恒的主题。随着PERC技术的不断发展成熟，已逐步逼近其转换效率的理论极限，业界开始寻求下一代光伏电池技术，目前推进中的主流技术有TOPCon电池技术(Tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)以及HJT电

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HIT-异质结太阳能电池

HIT电池介绍 HIT（ Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）电池，全称晶体硅异质结太阳电池。HIT电池最早由日本三洋公司于1990年开发，后因HIT被三洋注册为商标，因此HIT又被外界称为HJT、SHJ等其他名称。所谓“异质结”，是和“同质结”对比而言。同质结电池指同一种半导体材料构成P-N结，PERC和TOPCon电池为同质结电池，P型PERC是通过对P型硅片进行磷P掺杂形成P-N结，而N型TOPCon是通过对N型硅片进行硼掺杂形成P-N结。异

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钙钛矿太阳能电池

钙钛矿电池介绍钙钛矿是一种分子式为ABX3的晶体材料，呈八面体结构，其中A是较大的阳离子，如有机阳离子甲胺 CH3NH3+(MA+)、甲脒 NH2CH=NH2+（FA+）、金属阳离子铯 Cs+、铷Rb+等；B是较小的阳离子，如铅离子Pb2+、锡离子Sn2+；X一般是卤素阴离子，氯离子Cl-、溴离子Br-、碘离子I-等。每个A离子被B和X离子一起构成的八面体所包围。钙钛矿材料在光伏和LED领域有潜在应用，用于光伏太阳能电池的典型钙钛矿材料是CH3NH3PbI3。单层钙钛矿太阳能电池的结构可分为

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光伏产业研究-发电系统

万事俱备，只欠东风！核心的光伏组件有了，接下来是光伏发电系统！光伏组件并不能够单独工作，还需与逆变器、光伏支架、汇流箱等其他部件组合为发电系统，才能进行电力的产生和输出。光伏组件我们前一篇已经讲过，本篇主要分析光伏发电系统中，除组件之外的其他核心部件。（一）逆变器光伏组件所产生的电流为直流电流（DC），需要使用光伏逆变器转换为市电频率交流电（AC），反馈回商用输电系统或是供离网的电网使用。组件所发出的电全部需要通过逆变器的处理才能对外输出，逆变器属于光伏发电系统的核心设备。而在逆变器中，M

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半导体材料(3)-电子特气

电子特种气体又称电子特气，是电子气体的一个分支，相较于传统工业气体，纯度更高，其中一些具有特殊用途。电子特气下游应用广泛，是集成电路、显示面板、太阳能电池等行业不可或缺的支撑性材料。生产过程 SS 特种气体的主要生产工序包括气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测。气体合成是将原料在特定压力、温度、催化剂等条件下，通过化学反应得到气体粗产品。气体纯化是通过精馏、吸附等方式将粗产品精制成更高纯度的产品。气体混配是将两种或两种以上有效组分气体按照特定比例混合，得到多组分均匀分

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半导体材料(1)-溅射靶材

靶材是薄膜沉积PVD工艺中溅射工艺的源头材料，又称溅射靶材，是制备晶圆、显示面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。溅射原理溅射过程：真空状态下，用加速的离子(Ar离子)轰击靶材表面，离子和表面表面原子交换动量，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基底表面形成所需要的薄膜，这一过程称为溅射。靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺（行业俗称绑定技术）进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良

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半导体设备系列(11)-热处理设备

在半导体工艺中，热处理是不可或缺的重要工艺之一。热处理过程是指将晶圆放置在充满特定气体的环境中对其施加热能的过程，包括氧化/扩散/退火等。热处理应用热处理设备主要应用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺。氧化（Oxidation）是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，是集成电路工艺中应用较广泛的基础工艺之一。氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层

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半导体设备系列(10)-过程控制检测

电子系统故障检测存在“十倍法则”，即如果一个芯片中的故障没有在芯片测试时发现，则在电路板（PCB）环节发现故障的成本为芯片级别的十倍。因此，检测在半导体产业中扮演着十分重要的角色，从设计验证到最终测试都不可或缺，贯穿整个半导体制造过程半导体检测的分类及应用半导体检测包括设计验证测试、工艺控制检测、晶圆测试（CP，Circuit Probe）和成品测试（FT，Final Test）。从涉及的设备类型来看，工艺工程控制测试可分为一类，设计验证测试、CP测试以及FT测试可以归为一类。工艺控制检测

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半导体设备系列(9)-CMP抛光设备

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一，作用是实现晶圆全局均匀平坦化。CMP在前道制程中应用最为广泛，在各种薄膜沉积工艺之后、光刻工艺之前被多次重复使用。此外，CMP在硅片制造的抛光环节、后段封装中的先进封装中也有所应用。 CMP原理与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合起来，实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得

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半导体设备系列(8)-清洗设备

清洗是贯穿半导体产业链的重要工艺环节，用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能存在的杂质，避免杂质影响芯片良率和芯片产品性能。半导体清洗主要是针对不同的工艺需求对晶圆表面进行无损伤清洗以去除半导体制造过程中的颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物、牺牲层、抛光残留物等杂质。目前，随着芯片制造工艺先进程度的持续提升，对晶圆表面污染物的控制要求不断提高，每一步光刻、刻蚀、沉积等重复性工序后，都需要一步清洗工序，对清洗设备的需求也相应增加。 1. 清洗原理及分类目前半导体清洗技术主要分

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半导体设备系列(6)-离子注入机

为改变半导体载流子浓度和导电类型需要对半导体表面附近区域进行掺杂。掺杂通常有两种方法：一是高温热扩散法，即将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内的一种方法；二是离子注入法，通过离子注入机的加速和引导，将要掺杂的离子以离子束形式入射到材料中去。离子注入机是集成电路前道工序中的关键设备。 1. 工作原理离子注入机主要由五部分组成：离子源、磁分析器、加速管或减速管、聚焦和扫描系统、工艺腔(靶室和后台处理系统)。各部分功能如下：离子源：用来产生离子的装置。原理是通过钨灯丝、射频或和微波等

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半导体设备系列(5)-去胶设备

去胶是光刻工艺中的最后一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后，晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过去胶工艺进行完全清除，避免影响后续集成电路芯片制造工艺效果。 1. 分类及原理去胶工艺可分为湿法和干法两类。湿法去胶工艺使用溶剂对光刻胶等进行溶解；干法去胶工艺可视为等离子刻蚀技术的延伸，主要通过等离子体和薄膜材料的化学反应完成。湿法去胶：湿法去胶中使用的溶剂包括有机溶剂以及无机溶剂。有机溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂等；而无机溶剂则主要是硫酸和双氧水等，将光刻胶中的碳元素氧

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半导体设备系列(1)-总况

1. 概念半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，被广泛应用于各种电子产品中。半导体产品可细分为四大类：集成电路、分立器件、光电子器件和传感器。集成电路作为半导体产业的核心，占据半导体行业规模的八成以上，其细分领域包括逻辑芯片、存储器、微处理器和模拟芯片等，被广泛应用于 5G 通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。从产业链的角度看，半导体产业链涉及材料、设备等支撑性行业，芯片设计、晶圆制造和封测行业，半导体产品终端应用行业等。以

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光伏行业2022年发展回顾及2023年形势展望

023年2月16日，由中国光伏行业协会主办的“光伏行业2022年发展回顾与2023年形势展望研讨会”在北京顺利召开。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华出席会议并作报告。2022年全年，我国光伏制造各环节产量均同比上涨55%以上，我国新增装机量为87.41GW。制造端 2022年，我国光伏制造端各环节发展概况：多晶硅产量82.7万吨，同比增长63.4%；硅片产量357GW，同比增长57.5%；电池片产量318GW，同比增长60.7%；组件产量288.7GW，同比增长58.8%。产业集中度

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光伏铜电镀技术

降本增效是光伏行业的永恒主题。对于新型光伏电池片技术，金属化环节的银耗量成为了影响电池成本的关键因素之一。尤其是对于异质结HJT技术，由于其低温工艺限制，需要使用价格更高的低温银浆，导致其综合成本居高不下。降低银耗量成为金属化环节降本关键。铜电镀工艺铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术，在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，收集光伏效应产生的载流子。与半导体、PCB领域电镀铜工艺类似，光伏电池通过制备种子层、图形化、电镀、后处理制作铜的非接触式金属化电极，实现“以铜代银” ，制成包

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光伏电池技术从早期的铝背场电池BSF (Aluminium Back Surface Field)，到目前市占率高达90%以上的PERC电池(Passivated Emitter and Rear Contact，发射极钝化和背面接触)，降本增效是其永恒的主题。随着PERC技术的不断发展成熟，已逐步逼近其转换效率的理论极限，业界开始寻求下一代光伏电池技术，目前推进中的主流技术有TOPCon电池技术(Tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)以及HJT电

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HIT-异质结太阳能电池

HIT电池介绍 HIT（ Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）电池，全称晶体硅异质结太阳电池。HIT电池最早由日本三洋公司于1990年开发，后因HIT被三洋注册为商标，因此HIT又被外界称为HJT、SHJ等其他名称。所谓“异质结”，是和“同质结”对比而言。同质结电池指同一种半导体材料构成P-N结，PERC和TOPCon电池为同质结电池，P型PERC是通过对P型硅片进行磷P掺杂形成P-N结，而N型TOPCon是通过对N型硅片进行硼掺杂形成P-N结。异

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钙钛矿太阳能电池

钙钛矿电池介绍钙钛矿是一种分子式为ABX3的晶体材料，呈八面体结构，其中A是较大的阳离子，如有机阳离子甲胺 CH3NH3+(MA+)、甲脒 NH2CH=NH2+（FA+）、金属阳离子铯 Cs+、铷Rb+等；B是较小的阳离子，如铅离子Pb2+、锡离子Sn2+；X一般是卤素阴离子，氯离子Cl-、溴离子Br-、碘离子I-等。每个A离子被B和X离子一起构成的八面体所包围。钙钛矿材料在光伏和LED领域有潜在应用，用于光伏太阳能电池的典型钙钛矿材料是CH3NH3PbI3。单层钙钛矿太阳能电池的结构可分为

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光伏产业研究-发电系统

万事俱备，只欠东风！核心的光伏组件有了，接下来是光伏发电系统！光伏组件并不能够单独工作，还需与逆变器、光伏支架、汇流箱等其他部件组合为发电系统，才能进行电力的产生和输出。光伏组件我们前一篇已经讲过，本篇主要分析光伏发电系统中，除组件之外的其他核心部件。（一）逆变器光伏组件所产生的电流为直流电流（DC），需要使用光伏逆变器转换为市电频率交流电（AC），反馈回商用输电系统或是供离网的电网使用。组件所发出的电全部需要通过逆变器的处理才能对外输出，逆变器属于光伏发电系统的核心设备。而在逆变器中，M

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电子特种气体又称电子特气，是电子气体的一个分支，相较于传统工业气体，纯度更高，其中一些具有特殊用途。电子特气下游应用广泛，是集成电路、显示面板、太阳能电池等行业不可或缺的支撑性材料。生产过程 SS 特种气体的主要生产工序包括气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测。气体合成是将原料在特定压力、温度、催化剂等条件下，通过化学反应得到气体粗产品。气体纯化是通过精馏、吸附等方式将粗产品精制成更高纯度的产品。气体混配是将两种或两种以上有效组分气体按照特定比例混合，得到多组分均匀分

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半导体材料(1)-溅射靶材

靶材是薄膜沉积PVD工艺中溅射工艺的源头材料，又称溅射靶材，是制备晶圆、显示面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。溅射原理溅射过程：真空状态下，用加速的离子(Ar离子)轰击靶材表面，离子和表面表面原子交换动量，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基底表面形成所需要的薄膜，这一过程称为溅射。靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺（行业俗称绑定技术）进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良

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半导体设备系列(11)-热处理设备

在半导体工艺中，热处理是不可或缺的重要工艺之一。热处理过程是指将晶圆放置在充满特定气体的环境中对其施加热能的过程，包括氧化/扩散/退火等。热处理应用热处理设备主要应用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺。氧化（Oxidation）是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，是集成电路工艺中应用较广泛的基础工艺之一。氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层

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北方华创

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半导体设备系列(10)-过程控制检测

电子系统故障检测存在“十倍法则”，即如果一个芯片中的故障没有在芯片测试时发现，则在电路板（PCB）环节发现故障的成本为芯片级别的十倍。因此，检测在半导体产业中扮演着十分重要的角色，从设计验证到最终测试都不可或缺，贯穿整个半导体制造过程半导体检测的分类及应用半导体检测包括设计验证测试、工艺控制检测、晶圆测试（CP，Circuit Probe）和成品测试（FT，Final Test）。从涉及的设备类型来看，工艺工程控制测试可分为一类，设计验证测试、CP测试以及FT测试可以归为一类。工艺控制检测

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中微公司

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半导体设备系列(9)-CMP抛光设备

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一，作用是实现晶圆全局均匀平坦化。CMP在前道制程中应用最为广泛，在各种薄膜沉积工艺之后、光刻工艺之前被多次重复使用。此外，CMP在硅片制造的抛光环节、后段封装中的先进封装中也有所应用。 CMP原理与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合起来，实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得

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华海清科

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半导体设备系列(8)-清洗设备

清洗是贯穿半导体产业链的重要工艺环节，用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能存在的杂质，避免杂质影响芯片良率和芯片产品性能。半导体清洗主要是针对不同的工艺需求对晶圆表面进行无损伤清洗以去除半导体制造过程中的颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物、牺牲层、抛光残留物等杂质。目前，随着芯片制造工艺先进程度的持续提升，对晶圆表面污染物的控制要求不断提高，每一步光刻、刻蚀、沉积等重复性工序后，都需要一步清洗工序，对清洗设备的需求也相应增加。 1. 清洗原理及分类目前半导体清洗技术主要分

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半导体设备系列(6)-离子注入机

为改变半导体载流子浓度和导电类型需要对半导体表面附近区域进行掺杂。掺杂通常有两种方法：一是高温热扩散法，即将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内的一种方法；二是离子注入法，通过离子注入机的加速和引导，将要掺杂的离子以离子束形式入射到材料中去。离子注入机是集成电路前道工序中的关键设备。 1. 工作原理离子注入机主要由五部分组成：离子源、磁分析器、加速管或减速管、聚焦和扫描系统、工艺腔(靶室和后台处理系统)。各部分功能如下：离子源：用来产生离子的装置。原理是通过钨灯丝、射频或和微波等

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半导体设备系列(5)-去胶设备

去胶是光刻工艺中的最后一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后，晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过去胶工艺进行完全清除，避免影响后续集成电路芯片制造工艺效果。 1. 分类及原理去胶工艺可分为湿法和干法两类。湿法去胶工艺使用溶剂对光刻胶等进行溶解；干法去胶工艺可视为等离子刻蚀技术的延伸，主要通过等离子体和薄膜材料的化学反应完成。湿法去胶：湿法去胶中使用的溶剂包括有机溶剂以及无机溶剂。有机溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂等；而无机溶剂则主要是硫酸和双氧水等，将光刻胶中的碳元素氧

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半导体设备系列(1)-总况

1. 概念半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，被广泛应用于各种电子产品中。半导体产品可细分为四大类：集成电路、分立器件、光电子器件和传感器。集成电路作为半导体产业的核心，占据半导体行业规模的八成以上，其细分领域包括逻辑芯片、存储器、微处理器和模拟芯片等，被广泛应用于 5G 通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。从产业链的角度看，半导体产业链涉及材料、设备等支撑性行业，芯片设计、晶圆制造和封测行业，半导体产品终端应用行业等。以

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光伏行业2022年发展回顾及2023年形势展望

023年2月16日，由中国光伏行业协会主办的“光伏行业2022年发展回顾与2023年形势展望研讨会”在北京顺利召开。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华出席会议并作报告。2022年全年，我国光伏制造各环节产量均同比上涨55%以上，我国新增装机量为87.41GW。制造端 2022年，我国光伏制造端各环节发展概况：多晶硅产量82.7万吨，同比增长63.4%；硅片产量357GW，同比增长57.5%；电池片产量318GW，同比增长60.7%；组件产量288.7GW，同比增长58.8%。产业集中度

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光伏铜电镀技术

降本增效是光伏行业的永恒主题。对于新型光伏电池片技术，金属化环节的银耗量成为了影响电池成本的关键因素之一。尤其是对于异质结HJT技术，由于其低温工艺限制，需要使用价格更高的低温银浆，导致其综合成本居高不下。降低银耗量成为金属化环节降本关键。铜电镀工艺铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术，在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，收集光伏效应产生的载流子。与半导体、PCB领域电镀铜工艺类似，光伏电池通过制备种子层、图形化、电镀、后处理制作铜的非接触式金属化电极，实现“以铜代银” ，制成包

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IBC-交叉背接触电池

光伏电池技术从早期的铝背场电池BSF (Aluminium Back Surface Field)，到目前市占率高达90%以上的PERC电池(Passivated Emitter and Rear Contact，发射极钝化和背面接触)，降本增效是其永恒的主题。随着PERC技术的不断发展成熟，已逐步逼近其转换效率的理论极限，业界开始寻求下一代光伏电池技术，目前推进中的主流技术有TOPCon电池技术(Tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)以及HJT电

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HIT-异质结太阳能电池

HIT电池介绍 HIT（ Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）电池，全称晶体硅异质结太阳电池。HIT电池最早由日本三洋公司于1990年开发，后因HIT被三洋注册为商标，因此HIT又被外界称为HJT、SHJ等其他名称。所谓“异质结”，是和“同质结”对比而言。同质结电池指同一种半导体材料构成P-N结，PERC和TOPCon电池为同质结电池，P型PERC是通过对P型硅片进行磷P掺杂形成P-N结，而N型TOPCon是通过对N型硅片进行硼掺杂形成P-N结。异

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钙钛矿太阳能电池

钙钛矿电池介绍钙钛矿是一种分子式为ABX3的晶体材料，呈八面体结构，其中A是较大的阳离子，如有机阳离子甲胺 CH3NH3+(MA+)、甲脒 NH2CH=NH2+（FA+）、金属阳离子铯 Cs+、铷Rb+等；B是较小的阳离子，如铅离子Pb2+、锡离子Sn2+；X一般是卤素阴离子，氯离子Cl-、溴离子Br-、碘离子I-等。每个A离子被B和X离子一起构成的八面体所包围。钙钛矿材料在光伏和LED领域有潜在应用，用于光伏太阳能电池的典型钙钛矿材料是CH3NH3PbI3。单层钙钛矿太阳能电池的结构可分为

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光伏产业研究-发电系统

万事俱备，只欠东风！核心的光伏组件有了，接下来是光伏发电系统！光伏组件并不能够单独工作，还需与逆变器、光伏支架、汇流箱等其他部件组合为发电系统，才能进行电力的产生和输出。光伏组件我们前一篇已经讲过，本篇主要分析光伏发电系统中，除组件之外的其他核心部件。（一）逆变器光伏组件所产生的电流为直流电流（DC），需要使用光伏逆变器转换为市电频率交流电（AC），反馈回商用输电系统或是供离网的电网使用。组件所发出的电全部需要通过逆变器的处理才能对外输出，逆变器属于光伏发电系统的核心设备。而在逆变器中，M

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半导体材料(3)-电子特气

电子特种气体又称电子特气，是电子气体的一个分支，相较于传统工业气体，纯度更高，其中一些具有特殊用途。电子特气下游应用广泛，是集成电路、显示面板、太阳能电池等行业不可或缺的支撑性材料。生产过程 SS 特种气体的主要生产工序包括气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测。气体合成是将原料在特定压力、温度、催化剂等条件下，通过化学反应得到气体粗产品。气体纯化是通过精馏、吸附等方式将粗产品精制成更高纯度的产品。气体混配是将两种或两种以上有效组分气体按照特定比例混合，得到多组分均匀分

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半导体材料(1)-溅射靶材

靶材是薄膜沉积PVD工艺中溅射工艺的源头材料，又称溅射靶材，是制备晶圆、显示面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。溅射原理溅射过程：真空状态下，用加速的离子(Ar离子)轰击靶材表面，离子和表面表面原子交换动量，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基底表面形成所需要的薄膜，这一过程称为溅射。靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺（行业俗称绑定技术）进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良

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半导体设备系列(11)-热处理设备

在半导体工艺中，热处理是不可或缺的重要工艺之一。热处理过程是指将晶圆放置在充满特定气体的环境中对其施加热能的过程，包括氧化/扩散/退火等。热处理应用热处理设备主要应用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺。氧化（Oxidation）是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，是集成电路工艺中应用较广泛的基础工艺之一。氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层

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半导体设备系列(10)-过程控制检测

电子系统故障检测存在“十倍法则”，即如果一个芯片中的故障没有在芯片测试时发现，则在电路板（PCB）环节发现故障的成本为芯片级别的十倍。因此，检测在半导体产业中扮演着十分重要的角色，从设计验证到最终测试都不可或缺，贯穿整个半导体制造过程半导体检测的分类及应用半导体检测包括设计验证测试、工艺控制检测、晶圆测试（CP，Circuit Probe）和成品测试（FT，Final Test）。从涉及的设备类型来看，工艺工程控制测试可分为一类，设计验证测试、CP测试以及FT测试可以归为一类。工艺控制检测

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半导体设备系列(9)-CMP抛光设备

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一，作用是实现晶圆全局均匀平坦化。CMP在前道制程中应用最为广泛，在各种薄膜沉积工艺之后、光刻工艺之前被多次重复使用。此外，CMP在硅片制造的抛光环节、后段封装中的先进封装中也有所应用。 CMP原理与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合起来，实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得

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半导体设备系列(8)-清洗设备

清洗是贯穿半导体产业链的重要工艺环节，用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能存在的杂质，避免杂质影响芯片良率和芯片产品性能。半导体清洗主要是针对不同的工艺需求对晶圆表面进行无损伤清洗以去除半导体制造过程中的颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物、牺牲层、抛光残留物等杂质。目前，随着芯片制造工艺先进程度的持续提升，对晶圆表面污染物的控制要求不断提高，每一步光刻、刻蚀、沉积等重复性工序后，都需要一步清洗工序，对清洗设备的需求也相应增加。 1. 清洗原理及分类目前半导体清洗技术主要分

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半导体设备系列(6)-离子注入机

为改变半导体载流子浓度和导电类型需要对半导体表面附近区域进行掺杂。掺杂通常有两种方法：一是高温热扩散法，即将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内的一种方法；二是离子注入法，通过离子注入机的加速和引导，将要掺杂的离子以离子束形式入射到材料中去。离子注入机是集成电路前道工序中的关键设备。 1. 工作原理离子注入机主要由五部分组成：离子源、磁分析器、加速管或减速管、聚焦和扫描系统、工艺腔(靶室和后台处理系统)。各部分功能如下：离子源：用来产生离子的装置。原理是通过钨灯丝、射频或和微波等

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半导体设备系列(5)-去胶设备

去胶是光刻工艺中的最后一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后，晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过去胶工艺进行完全清除，避免影响后续集成电路芯片制造工艺效果。 1. 分类及原理去胶工艺可分为湿法和干法两类。湿法去胶工艺使用溶剂对光刻胶等进行溶解；干法去胶工艺可视为等离子刻蚀技术的延伸，主要通过等离子体和薄膜材料的化学反应完成。湿法去胶：湿法去胶中使用的溶剂包括有机溶剂以及无机溶剂。有机溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂等；而无机溶剂则主要是硫酸和双氧水等，将光刻胶中的碳元素氧

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半导体设备系列(1)-总况

1. 概念半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，被广泛应用于各种电子产品中。半导体产品可细分为四大类：集成电路、分立器件、光电子器件和传感器。集成电路作为半导体产业的核心，占据半导体行业规模的八成以上，其细分领域包括逻辑芯片、存储器、微处理器和模拟芯片等，被广泛应用于 5G 通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。从产业链的角度看，半导体产业链涉及材料、设备等支撑性行业，芯片设计、晶圆制造和封测行业，半导体产品终端应用行业等。以

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光伏行业2022年发展回顾及2023年形势展望

023年2月16日，由中国光伏行业协会主办的“光伏行业2022年发展回顾与2023年形势展望研讨会”在北京顺利召开。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华出席会议并作报告。2022年全年，我国光伏制造各环节产量均同比上涨55%以上，我国新增装机量为87.41GW。制造端 2022年，我国光伏制造端各环节发展概况：多晶硅产量82.7万吨，同比增长63.4%；硅片产量357GW，同比增长57.5%；电池片产量318GW，同比增长60.7%；组件产量288.7GW，同比增长58.8%。产业集中度

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光伏铜电镀技术

降本增效是光伏行业的永恒主题。对于新型光伏电池片技术，金属化环节的银耗量成为了影响电池成本的关键因素之一。尤其是对于异质结HJT技术，由于其低温工艺限制，需要使用价格更高的低温银浆，导致其综合成本居高不下。降低银耗量成为金属化环节降本关键。铜电镀工艺铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术，在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，收集光伏效应产生的载流子。与半导体、PCB领域电镀铜工艺类似，光伏电池通过制备种子层、图形化、电镀、后处理制作铜的非接触式金属化电极，实现“以铜代银” ，制成包

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IBC-交叉背接触电池

光伏电池技术从早期的铝背场电池BSF (Aluminium Back Surface Field)，到目前市占率高达90%以上的PERC电池(Passivated Emitter and Rear Contact，发射极钝化和背面接触)，降本增效是其永恒的主题。随着PERC技术的不断发展成熟，已逐步逼近其转换效率的理论极限，业界开始寻求下一代光伏电池技术，目前推进中的主流技术有TOPCon电池技术(Tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)以及HJT电

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HIT-异质结太阳能电池

HIT电池介绍 HIT（ Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）电池，全称晶体硅异质结太阳电池。HIT电池最早由日本三洋公司于1990年开发，后因HIT被三洋注册为商标，因此HIT又被外界称为HJT、SHJ等其他名称。所谓“异质结”，是和“同质结”对比而言。同质结电池指同一种半导体材料构成P-N结，PERC和TOPCon电池为同质结电池，P型PERC是通过对P型硅片进行磷P掺杂形成P-N结，而N型TOPCon是通过对N型硅片进行硼掺杂形成P-N结。异

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钙钛矿太阳能电池

钙钛矿电池介绍钙钛矿是一种分子式为ABX3的晶体材料，呈八面体结构，其中A是较大的阳离子，如有机阳离子甲胺 CH3NH3+(MA+)、甲脒 NH2CH=NH2+（FA+）、金属阳离子铯 Cs+、铷Rb+等；B是较小的阳离子，如铅离子Pb2+、锡离子Sn2+；X一般是卤素阴离子，氯离子Cl-、溴离子Br-、碘离子I-等。每个A离子被B和X离子一起构成的八面体所包围。钙钛矿材料在光伏和LED领域有潜在应用，用于光伏太阳能电池的典型钙钛矿材料是CH3NH3PbI3。单层钙钛矿太阳能电池的结构可分为

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光伏产业研究-发电系统

万事俱备，只欠东风！核心的光伏组件有了，接下来是光伏发电系统！光伏组件并不能够单独工作，还需与逆变器、光伏支架、汇流箱等其他部件组合为发电系统，才能进行电力的产生和输出。光伏组件我们前一篇已经讲过，本篇主要分析光伏发电系统中，除组件之外的其他核心部件。（一）逆变器光伏组件所产生的电流为直流电流（DC），需要使用光伏逆变器转换为市电频率交流电（AC），反馈回商用输电系统或是供离网的电网使用。组件所发出的电全部需要通过逆变器的处理才能对外输出，逆变器属于光伏发电系统的核心设备。而在逆变器中，M

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半导体材料(3)-电子特气

电子特种气体又称电子特气，是电子气体的一个分支，相较于传统工业气体，纯度更高，其中一些具有特殊用途。电子特气下游应用广泛，是集成电路、显示面板、太阳能电池等行业不可或缺的支撑性材料。生产过程 SS 特种气体的主要生产工序包括气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测。气体合成是将原料在特定压力、温度、催化剂等条件下，通过化学反应得到气体粗产品。气体纯化是通过精馏、吸附等方式将粗产品精制成更高纯度的产品。气体混配是将两种或两种以上有效组分气体按照特定比例混合，得到多组分均匀分

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半导体材料(1)-溅射靶材

靶材是薄膜沉积PVD工艺中溅射工艺的源头材料，又称溅射靶材，是制备晶圆、显示面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。溅射原理溅射过程：真空状态下，用加速的离子(Ar离子)轰击靶材表面，离子和表面表面原子交换动量，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基底表面形成所需要的薄膜，这一过程称为溅射。靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺（行业俗称绑定技术）进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良

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半导体设备系列(11)-热处理设备

在半导体工艺中，热处理是不可或缺的重要工艺之一。热处理过程是指将晶圆放置在充满特定气体的环境中对其施加热能的过程，包括氧化/扩散/退火等。热处理应用热处理设备主要应用于氧化、扩散、退火以及合金四类工艺。氧化（Oxidation）是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程，是集成电路工艺中应用较广泛的基础工艺之一。氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层

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2023-03-13 15:25:43

半导体设备系列(10)-过程控制检测

电子系统故障检测存在“十倍法则”，即如果一个芯片中的故障没有在芯片测试时发现，则在电路板（PCB）环节发现故障的成本为芯片级别的十倍。因此，检测在半导体产业中扮演着十分重要的角色，从设计验证到最终测试都不可或缺，贯穿整个半导体制造过程半导体检测的分类及应用半导体检测包括设计验证测试、工艺控制检测、晶圆测试（CP，Circuit Probe）和成品测试（FT，Final Test）。从涉及的设备类型来看，工艺工程控制测试可分为一类，设计验证测试、CP测试以及FT测试可以归为一类。工艺控制检测

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中微公司

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2023-03-12 23:34:53

半导体设备系列(9)-CMP抛光设备

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一，作用是实现晶圆全局均匀平坦化。CMP在前道制程中应用最为广泛，在各种薄膜沉积工艺之后、光刻工艺之前被多次重复使用。此外，CMP在硅片制造的抛光环节、后段封装中的先进封装中也有所应用。 CMP原理与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合起来，实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得

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华海清科

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2023-03-11 22:01:39

半导体设备系列(8)-清洗设备

清洗是贯穿半导体产业链的重要工艺环节，用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能存在的杂质，避免杂质影响芯片良率和芯片产品性能。半导体清洗主要是针对不同的工艺需求对晶圆表面进行无损伤清洗以去除半导体制造过程中的颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物、牺牲层、抛光残留物等杂质。目前，随着芯片制造工艺先进程度的持续提升，对晶圆表面污染物的控制要求不断提高，每一步光刻、刻蚀、沉积等重复性工序后，都需要一步清洗工序，对清洗设备的需求也相应增加。 1. 清洗原理及分类目前半导体清洗技术主要分

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北方华创
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芯源微
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至纯科技

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2023-03-09 13:47:52

半导体设备系列(6)-离子注入机

为改变半导体载流子浓度和导电类型需要对半导体表面附近区域进行掺杂。掺杂通常有两种方法：一是高温热扩散法，即将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内的一种方法；二是离子注入法，通过离子注入机的加速和引导，将要掺杂的离子以离子束形式入射到材料中去。离子注入机是集成电路前道工序中的关键设备。 1. 工作原理离子注入机主要由五部分组成：离子源、磁分析器、加速管或减速管、聚焦和扫描系统、工艺腔(靶室和后台处理系统)。各部分功能如下：离子源：用来产生离子的装置。原理是通过钨灯丝、射频或和微波等

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万业企业

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2023-03-08 20:35:35

半导体设备系列(5)-去胶设备

去胶是光刻工艺中的最后一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后，晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过去胶工艺进行完全清除，避免影响后续集成电路芯片制造工艺效果。 1. 分类及原理去胶工艺可分为湿法和干法两类。湿法去胶工艺使用溶剂对光刻胶等进行溶解；干法去胶工艺可视为等离子刻蚀技术的延伸，主要通过等离子体和薄膜材料的化学反应完成。湿法去胶：湿法去胶中使用的溶剂包括有机溶剂以及无机溶剂。有机溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂等；而无机溶剂则主要是硫酸和双氧水等，将光刻胶中的碳元素氧

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北方华创

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2023-03-06 16:32:40

半导体设备系列(1)-总况

1. 概念半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，被广泛应用于各种电子产品中。半导体产品可细分为四大类：集成电路、分立器件、光电子器件和传感器。集成电路作为半导体产业的核心，占据半导体行业规模的八成以上，其细分领域包括逻辑芯片、存储器、微处理器和模拟芯片等，被广泛应用于 5G 通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。从产业链的角度看，半导体产业链涉及材料、设备等支撑性行业，芯片设计、晶圆制造和封测行业，半导体产品终端应用行业等。以

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北方华创
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中微公司

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2023-02-28 17:36:51

光伏行业2022年发展回顾及2023年形势展望

023年2月16日，由中国光伏行业协会主办的“光伏行业2022年发展回顾与2023年形势展望研讨会”在北京顺利召开。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华出席会议并作报告。2022年全年，我国光伏制造各环节产量均同比上涨55%以上，我国新增装机量为87.41GW。制造端 2022年，我国光伏制造端各环节发展概况：多晶硅产量82.7万吨，同比增长63.4%；硅片产量357GW，同比增长57.5%；电池片产量318GW，同比增长60.7%；组件产量288.7GW，同比增长58.8%。产业集中度

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鹿山新材

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2023-02-22 19:56:45

光伏铜电镀技术

降本增效是光伏行业的永恒主题。对于新型光伏电池片技术，金属化环节的银耗量成为了影响电池成本的关键因素之一。尤其是对于异质结HJT技术，由于其低温工艺限制，需要使用价格更高的低温银浆，导致其综合成本居高不下。降低银耗量成为金属化环节降本关键。铜电镀工艺铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术，在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，收集光伏效应产生的载流子。与半导体、PCB领域电镀铜工艺类似，光伏电池通过制备种子层、图形化、电镀、后处理制作铜的非接触式金属化电极，实现“以铜代银” ，制成包

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宝馨科技
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迈为股份

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2023-02-12 21:09:48

IBC-交叉背接触电池

光伏电池技术从早期的铝背场电池BSF (Aluminium Back Surface Field)，到目前市占率高达90%以上的PERC电池(Passivated Emitter and Rear Contact，发射极钝化和背面接触)，降本增效是其永恒的主题。随着PERC技术的不断发展成熟，已逐步逼近其转换效率的理论极限，业界开始寻求下一代光伏电池技术，目前推进中的主流技术有TOPCon电池技术(Tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)以及HJT电

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京山轻机
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爱旭股份

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2023-02-09 18:06:03

HIT-异质结太阳能电池

HIT电池介绍 HIT（ Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）电池，全称晶体硅异质结太阳电池。HIT电池最早由日本三洋公司于1990年开发，后因HIT被三洋注册为商标，因此HIT又被外界称为HJT、SHJ等其他名称。所谓“异质结”，是和“同质结”对比而言。同质结电池指同一种半导体材料构成P-N结，PERC和TOPCon电池为同质结电池，P型PERC是通过对P型硅片进行磷P掺杂形成P-N结，而N型TOPCon是通过对N型硅片进行硼掺杂形成P-N结。异

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京山轻机

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2023-02-08 22:08:50

钙钛矿太阳能电池

钙钛矿电池介绍钙钛矿是一种分子式为ABX3的晶体材料，呈八面体结构，其中A是较大的阳离子，如有机阳离子甲胺 CH3NH3+(MA+)、甲脒 NH2CH=NH2+（FA+）、金属阳离子铯 Cs+、铷Rb+等；B是较小的阳离子，如铅离子Pb2+、锡离子Sn2+；X一般是卤素阴离子，氯离子Cl-、溴离子Br-、碘离子I-等。每个A离子被B和X离子一起构成的八面体所包围。钙钛矿材料在光伏和LED领域有潜在应用，用于光伏太阳能电池的典型钙钛矿材料是CH3NH3PbI3。单层钙钛矿太阳能电池的结构可分为

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京山轻机
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2023-02-08 21:04:39

光伏产业研究-发电系统

万事俱备，只欠东风！核心的光伏组件有了，接下来是光伏发电系统！光伏组件并不能够单独工作，还需与逆变器、光伏支架、汇流箱等其他部件组合为发电系统，才能进行电力的产生和输出。光伏组件我们前一篇已经讲过，本篇主要分析光伏发电系统中，除组件之外的其他核心部件。（一）逆变器光伏组件所产生的电流为直流电流（DC），需要使用光伏逆变器转换为市电频率交流电（AC），反馈回商用输电系统或是供离网的电网使用。组件所发出的电全部需要通过逆变器的处理才能对外输出，逆变器属于光伏发电系统的核心设备。而在逆变器中，M

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上能电气
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